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IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3ATMA1-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3BTMA1-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
35+2.10 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R050G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R080G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R102G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R125G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
18+4.15 EUR
19+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R190G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S408.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S409.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI020N06NAKSA1 IPI020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI020N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160 IPI032N06N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.30 EUR
62+1.16 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPI041N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI111N15N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI120N04S402AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t IPI120N04S402 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI147N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI320N20N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a IPI320N20N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090 IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
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IPI530N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R125CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152843d47d12b3 IPI60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.70 EUR
18+3.98 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093 IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494 IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60 IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
30+2.39 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
50+1.90 EUR
250+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3ATMA1-DTE.pdf
IPD90R1K2C3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3BTMA1-DTE.pdf
IPD90R1K2C3BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
35+2.10 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7.pdf
IPD95R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7.pdf
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
18+4.15 EUR
19+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408.pdf
IPG20N04S408ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409.pdf
IPG20N04S409ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPI020N06NAKSA1 IPI020N06N-DTE.pdf
IPI020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3G-DTE.pdf
IPI024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06N-DTE.pdf
IPI029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI030N10N3GXKSA1 dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI032N06N3GAKSA1 IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI032N06N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.30 EUR
62+1.16 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IPI041N12N3GAKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IPI086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
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31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
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IPI111N15N3GAKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IPI120N04S402AKSA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI120N04S402 THT N channel transistors
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IPI147N12N3GAKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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43+1.69 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
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IPI200N25N3GAKSA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI320N20N3GAKSA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI320N20N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R140CPXKSA1 Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R199CPXKSA1 IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R350CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R399CPXKSA1 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA2 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI530N15N3GXKSA1 IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R099CPXKSA1 IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152843d47d12b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6-DTE.pdf
IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.70 EUR
18+3.98 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R250CPAKSA1 IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6-DTE.pdf
IPI60R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R380C6XKSA1 IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFD-DTE.pdf
IPI65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6-DTE.pdf
IPI65R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFD-DTE.pdf
IPI65R190CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6-DTE.pdf
IPI65R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6-DTE.pdf
IPI65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
30+2.39 EUR
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50+1.90 EUR
250+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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