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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
50+1.49 EUR
100+1.39 EUR
200+1.29 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 220W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 220W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
53+1.37 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
65+1.12 EUR
100+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
25+2.86 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71 IRF250P225 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.14 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
100+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
25+2.87 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.84 EUR
100+1.63 EUR
200+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
100+0.82 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
45+1.6 EUR
58+1.25 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
69+1.04 EUR
100+0.98 EUR
250+0.91 EUR
500+0.84 EUR
800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
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40+1.83 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
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200+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
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250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3067 Stücke:
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19+3.8 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
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114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
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42+1.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
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200+0.68 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B74F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540z.pdf?ci_sign=dc37eeef6533ef9813e70c1f6eb24e960c6946c6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.12 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 0.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
182+0.39 EUR
261+0.27 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
249+0.29 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
89+0.8 EUR
100+0.72 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
100+0.72 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
1600+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
142+0.5 EUR
170+0.42 EUR
194+0.37 EUR
220+0.33 EUR
252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
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114+0.63 EUR
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IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7487F4D128F1A303005056AB0C4F&compId=irf7241pbf.pdf?ci_sign=3e6eac7109da8f3470ac2e7a87b7804a4856b55f description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3142 Stücke:
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3053 Stücke:
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32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
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IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2507 Stücke:
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50+1.44 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
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47+1.54 EUR
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IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
108+0.66 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
56+1.28 EUR
61+1.18 EUR
87+0.83 EUR
92+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
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IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
121+0.59 EUR
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181+0.4 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
102+0.7 EUR
122+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
72+1 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
50+1.49 EUR
100+1.39 EUR
200+1.29 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 220W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 220W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
53+1.37 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9
IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
65+1.12 EUR
100+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc
IRF2204PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
25+2.86 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225 Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF250P225 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.14 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
100+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
25+2.87 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.84 EUR
100+1.63 EUR
200+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
100+0.82 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
45+1.6 EUR
58+1.25 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
69+1.04 EUR
100+0.98 EUR
250+0.91 EUR
500+0.84 EUR
800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39
IRF40B207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244
IRF40R207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
135+0.53 EUR
147+0.49 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
100+1 EUR
200+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905LPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db
IRF4905LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211
IRF4905PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
100+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3067 Stücke:
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19+3.8 EUR
29+2.5 EUR
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100+1.83 EUR
250+1.63 EUR
500+1.49 EUR
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
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50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
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Anzahl Preis
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3431 Stücke:
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Anzahl Preis
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
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Anzahl Preis
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4631 Stücke:
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Anzahl Preis
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B74F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540z.pdf?ci_sign=dc37eeef6533ef9813e70c1f6eb24e960c6946c6
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
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Anzahl Preis
64+1.12 EUR
100+0.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857
IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 0.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
182+0.39 EUR
261+0.27 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6
IRF5802TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
249+0.29 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
100+0.72 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
100+0.72 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
1600+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
142+0.5 EUR
170+0.42 EUR
194+0.37 EUR
220+0.33 EUR
252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780
IRF7205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
142+0.5 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7487F4D128F1A303005056AB0C4F&compId=irf7241pbf.pdf?ci_sign=3e6eac7109da8f3470ac2e7a87b7804a4856b55f
IRF7241TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
71+1.01 EUR
100+0.72 EUR
115+0.63 EUR
250+0.53 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
92+0.78 EUR
117+0.61 EUR
130+0.55 EUR
200+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
93+0.78 EUR
138+0.52 EUR
250+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
66+1.1 EUR
92+0.78 EUR
106+0.68 EUR
200+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
250+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
68+1.05 EUR
80+0.9 EUR
100+0.73 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4
IRF7343TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
108+0.66 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
56+1.28 EUR
61+1.18 EUR
87+0.83 EUR
92+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf
IRF7413ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
121+0.59 EUR
160+0.45 EUR
181+0.4 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8
IRF7416TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
102+0.7 EUR
122+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab
IRF7425TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
72+1 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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