Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (151640) > Seite 1272 nach 2528
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF450R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF450R33T3E3B5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FF45MR12W1M1B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FF500R17KE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 900A Case: AG-PRIME2-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Technology: PrimePACK™ 2 Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FM24C64B-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: SOIC8 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FM24CL16B-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke |
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FM24CL16B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FM24CL64B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FM25CL64B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2.7...3.65V DC Memory: 64kb FRAM Memory organisation: 8kx8bit Clock frequency: 20MHz Case: DFN8 Kind of memory: FRAM Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of package: reel; tape Interface: SPI Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FM25L04B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 4kb FRAM Memory organisation: 512x8bit Clock frequency: 20MHz Case: DFN8 Kind of memory: FRAM Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of package: reel; tape Interface: SPI Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FM25L16B-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: SPI Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 20MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Anzahl je Verpackung: 81 Stücke |
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FM25L16B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: SPI Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 20MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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FM25V05-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...3.6V DC Memory: 512kb FRAM Memory organisation: 64kx8bit Clock frequency: 40MHz Case: SOIC8 Kind of memory: FRAM Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of package: reel; tape Interface: SPI Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FM25V10-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...3.6V DC Memory: 1Mb FRAM Memory organisation: 128kx8bit Clock frequency: 40MHz Case: DFN8 Kind of memory: FRAM Type of integrated circuit: FRAM memory Interface: SPI Anzahl je Verpackung: 370 Stücke |
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FM25VN10-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8 Case: SOIC8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...3.6V DC Memory: 1Mb FRAM Memory organisation: 128kx8bit Clock frequency: 40MHz Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Interface: SPI Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FP06R12W1T4B3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 12A Power dissipation: 94W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-1 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP10R12W1T7B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP15R12W1T4_B3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Case: AG-EASY1B-1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Power dissipation: 130W Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FP20R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Application: Inverter Power dissipation: 94W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-2 Anzahl je Verpackung: 24 Stücke |
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FP25R12W1T7B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FP30R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-ECONO2C Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Power dissipation: 125W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP40R12KT3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 40A Case: AG-ECONO2-5 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Power dissipation: 210W Technology: EconoPIM™ 2 Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP50R06W2E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 175W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 2B Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP50R12KT3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 280W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FP75R12KT4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-3 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 385W Mechanical mounting: screw Technology: EconoPIM™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-EASY2B-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FS10R12VT3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FS150R12KT4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 750W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FS150R17PE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 4 Case: AG-ECONO4-1 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed collector current: 300A Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FS15R12VT3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FS200R12KT4RB11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1kW Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FS50R12KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FS75R12W2T4B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 375W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 15 Stücke |
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FS75R17KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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FS820R08A6P2LBBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FZ1000R33HE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FZ1400R33HE4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FZ2000R33HE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FZ400R12KS4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FZ400R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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FZ600R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FZ900R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IAUA170N10S5N031AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA180N04S5N012AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA180N08S5N026AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA200N04S5N010AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA210N10S5N024AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 26A Pulsed drain current: 674A Power dissipation: 238W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 119nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IAUA220N08S5N021AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA250N04S6N005AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA250N04S6N006AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors |
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IAUA250N04S6N007AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors |
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IAUA250N04S6N007EAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA250N04S6N008AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUA250N08S5N018AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IAUC100N04S6L014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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FF450R12KT4HOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF450R33T3E3B5BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
10+ | 66.47 EUR |
FF500R17KE4BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF500R17KE4 IGBT modules
FF500R17KE4 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
FF900R12IE4 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-PRIME2-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 5.1kW
Technology: PrimePACK™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-PRIME2-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 5.1kW
Technology: PrimePACK™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FF900R12ME7B11BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF900R12ME7B11 IGBT modules
FF900R12ME7B11 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
FM24C64B-GTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FM24CL16B-DG |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FM24CL16B-DGTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FM24CL64B-DGTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FM25CL64B-DGTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25L04B-DGTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25L16B-DG |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25L16B-DGTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25V05-GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 512kb FRAM
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 512kb FRAM
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25V10-DG |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FM25VN10-GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP06R12W1T4B3BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
FP100R12KT4B11BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP10R12W1T7B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP15R12W1T4_B3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 44.62 EUR |
FP20R06W1E3B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: Inverter
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: Inverter
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP25R12W1T7B11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FP25R12W1T7B11 IGBT modules
FP25R12W1T7B11 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP30R06KE3BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Power dissipation: 125W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Power dissipation: 125W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FP40R12KT3BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FP50R06W2E3B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FP50R12KT3BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FP75R12KT4 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 278.85 EUR |
FS100R12W2T7B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY2B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY2B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FS10R12VT3BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS10R12VT3 IGBT modules
FS10R12VT3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS150R12KT4BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS150R17PE4BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS15R12VT3BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS15R12VT3 IGBT modules
FS15R12VT3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS200R12KT4RB11BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS50R12KE3BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS50R12KE3BPSA1 IGBT modules
FS50R12KE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS75R12W2T4B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS75R17KE3BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FS820R08A6P2LBBPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2LB IGBT modules
FS820R08A6P2LB IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ1000R33HE3BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ1400R33HE4BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ2000R33HE4BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ400R12KS4HOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ400R17KE4HOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ600R12KE3HOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FZ900R12KE4HOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA170N10S5N031AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA180N04S5N012AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA180N08S5N026AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA180N10S5N029AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors
IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA200N04S5N010AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA210N10S5N024AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA220N08S5N021AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N04S6N005AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N04S6N006AUMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N04S6N007AUMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N04S6N007EAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N04S6N008AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUC100N04S6L014ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IAUC100N04S6L020ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH