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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
8+8.94 EUR
20+3.58 EUR
50+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf IPAN70R360P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf IPAN70R750P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.69 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
20+3.73 EUR
100+3.35 EUR
250+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c IPB017N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
25+2.97 EUR
26+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b IPB025N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
29+2.52 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
16+4.52 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 IPB029N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.3 EUR
25+2.97 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 IPB107N20NAATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.09 EUR
10+7.65 EUR
250+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.86 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
100+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f IPB60R180C7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.03 EUR
36+2.02 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
31+2.32 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.93 EUR
40+1.83 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 IPD034N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf IPD060N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
120+0.6 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
166+0.43 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
68+1.06 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
100+0.84 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
200+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
158+0.45 EUR
164+0.44 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
81+0.89 EUR
123+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
100+0.79 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2356 Stücke:
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IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 IPD60R280P7 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
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IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c IPD70R360P7S SMD N channel transistors
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IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
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IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
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IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R900P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
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IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
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18+3.99 EUR
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IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
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47+1.54 EUR
72+1 EUR
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IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
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IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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28+2.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
2000+0.87 EUR
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IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
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49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122650f87c6114d IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.95 EUR
17+4.2 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
33+2.22 EUR
37+1.94 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
77+0.93 EUR
79+0.92 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.94 EUR
115+0.62 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a IPP014N06NF2SAKMA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 IPP015N04NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
8+8.94 EUR
20+3.58 EUR
50+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1 infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R750P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.69 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
20+3.73 EUR
100+3.35 EUR
250+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB017N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
25+2.97 EUR
26+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB025N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
29+2.52 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
16+4.52 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IPB029N06N3GATMA1 IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB029N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
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24+3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
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IPB107N20NAATMA1 IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB107N20NAATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 695 Stücke:
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9+8.09 EUR
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IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
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10+7.86 EUR
14+5.12 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R180C7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 936 Stücke:
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24+3.03 EUR
36+2.02 EUR
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IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
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Anzahl Preis
26+2.82 EUR
31+2.32 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
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65+1.12 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 612 Stücke:
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33+2.22 EUR
38+1.93 EUR
40+1.83 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
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IPD034N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
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24+3.02 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
250+1.34 EUR
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IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD060N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
120+0.6 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.43 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
68+1.06 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
100+0.84 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
200+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
158+0.45 EUR
164+0.44 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
81+0.89 EUR
123+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
100+0.79 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R280P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
50+1.46 EUR
52+1.39 EUR
200+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.08 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
93+0.77 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+0.68 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R360P7S SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
167+0.43 EUR
173+0.41 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
102+0.7 EUR
108+0.66 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7.pdf
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.82 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2294 Stücke:
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51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1325 Stücke:
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23+3.13 EUR
33+2.2 EUR
35+2.09 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
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Anzahl Preis
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
19+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
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Anzahl Preis
47+1.54 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
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Anzahl Preis
15+4.86 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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28+2.62 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122650f87c6114d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.95 EUR
17+4.2 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.46 EUR
33+2.22 EUR
37+1.94 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
77+0.93 EUR
79+0.92 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
115+0.62 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP014N06NF2SAKMA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP015N04NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis
40+1.8 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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