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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375 IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105 IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R280E6XKSA1 IPP65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP77N06S212AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B77N06S2_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333a115ab8&ack=t IPP77N06S212 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80N06S2H5AKSA2 IPP80N06S2H5AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPx80N06S2-H5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c200b9d5d467c IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e3d89cfa175f IPP80R280P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53 IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
38+1.90 EUR
40+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R600P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06 IPP80R600P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08a45848f2 IPP80R750P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R1K4C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS65R1K5CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.40 EUR
196+0.37 EUR
220+0.33 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R400CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb6b9a04f98 IPS65R400CE THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R950C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1 IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fe3300d61 IPS70R360P7S THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394 IPS80R600P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 IPS80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT020N10N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 IPT029N08N5 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT60R022S7XTMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A
Case: TO220
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
On-state resistance: 84mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 245W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 207A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a IPT60R065S7XTMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU50R1K4CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R1K4CE.2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K0CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c201e1f424685 IPU80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056 IPU80R2K0P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R3K3P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R4K5P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.70 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455 IPU80R600P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPU80R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9f69e1187 IPU80R750P7 THT N channel transistors
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IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153 IPU80R900P7 THT N channel transistors
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43+1.67 EUR
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IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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IPU95R450P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893 IPU95R450P7 THT N channel transistors
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IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU95R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
45+1.62 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
750+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IPW50R280CEFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R031CFD7 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+15.02 EUR
6+12.50 EUR
7+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPW60R037CSFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R037CSFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016894b0464868d4 IPW60R037CSFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9 IPW60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09 IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
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3+25.88 EUR
4+18.83 EUR
5+17.80 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPW60R041P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R041P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694fd2814695e IPW60R041P6FKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFD-DTE.pdf
IPP65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6-DTE.pdf
IPP65R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6-DTE.pdf
IPP65R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R225C7XKSA1 DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R280E6XKSA1 IPP65R280E6-DTE.pdf
IPP65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP77N06S212AKSA2 Infineon-IPP_B77N06S2_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333a115ab8&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP77N06S212 THT N channel transistors
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IPP80N06S2H5AKSA2 IPx80N06S2-H5.pdf
IPP80N06S2H5AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon-IPP80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c200b9d5d467c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IPP80R280P7XKSA1 Infineon-IPP80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e3d89cfa175f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R280P7 THT N channel transistors
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IPP80R360P7XKSA1 Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
38+1.90 EUR
40+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R600P7XKSA1 Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R600P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R750P7XKSA1 Infineon-IPP80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08a45848f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R750P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP90R340C3XKSA1 Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R1K4C6AKMA1 DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CE-DTE.pdf
IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.40 EUR
196+0.37 EUR
220+0.33 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R400CEAKMA1 Infineon-IPS65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb6b9a04f98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R400CE THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R950C6AKMA1 DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPS70R360P7SAKMA1 Infineon-IPS70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fe3300d61
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R360P7S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPS80R600P7AKMA1 Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS80R600P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5-DTE.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3-DTE.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT029N08N5ATMA1 Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT029N08N5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3-DTE.pdf
IPT059N15N3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT210N25NFDATMA1 Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
IPT60R040S7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A
Case: TO220
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
On-state resistance: 84mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 245W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 207A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1 Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT60R065S7XTMA1 THT N channel transistors
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IPU50R1K4CEBKMA1 IPx50R1K4CE.2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors
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IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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IPU80R1K2P7AKMA1 Infineon-IPU80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c201e1f424685
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K0P7 THT N channel transistors
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IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
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IPU80R3K3P7AKMA1 Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
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IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.70 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPU80R600P7AKMA1 Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R600P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R750P7AKMA1 Infineon-IPU80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9f69e1187
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R750P7 THT N channel transistors
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IPU80R900P7AKMA1 Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
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IPU95R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
96+0.75 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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IPU95R450P7AKMA1 Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R450P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7.pdf
IPU95R750P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
45+1.62 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
750+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW50R280CEFKSA1 IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R031CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R031CFD7 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.02 EUR
6+12.50 EUR
7+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R037CSFDXKSA1 Infineon-IPW60R037CSFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016894b0464868d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R037CSFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R040C7XKSA1 Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.88 EUR
4+18.83 EUR
5+17.80 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R041P6FKSA1 Infineon-IPW60R041P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694fd2814695e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R041P6FKSA1 THT N channel transistors
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