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DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ435N40K INFINEON TECHNOLOGIES DZ435N40K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N22K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N26K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N08K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N12K DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6 Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+316.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N16K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N16K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N18K DZ600N18K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6 Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ950N44K INFINEON TECHNOLOGIES DZ950N44K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
358+0.2 EUR
400+0.18 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
184+0.39 EUR
208+0.34 EUR
278+0.26 EUR
319+0.22 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N18P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
 		EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
Application: motors
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+69.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: IMM101T-046M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Kind of module: motor driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES F3L300R07PE4 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_150R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327c115855 F4150R12KS4BOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432 F475R12KS4BOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFDDC25858D3D7&compId=FB30R06W1E3.pdf?ci_sign=f0ac3378cf97532bc2bdcf462e9cd732b44ce192 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266 FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD300R06KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7 FD300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD300R12KE3HOSA1 FD300R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Application: Inverter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+158.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+107.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018 FF200R17KE4 IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+239.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES description FF300R12KE3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+262.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF300R17ME4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF300R17ME4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e1c50781f3c43 FF300R17ME4 IGBT modules
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FF450R06ME3 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R06ME3 IGBT modules
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FF450R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF791B428A7DE27&compId=FF450R12KE4-DTE.pdf?ci_sign=ea990a008d4cd0a41ce5a30a9a09bff4050731f0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF450R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869893D7BCFB4469&compId=FF450R12KT4.pdf?ci_sign=ae61a33310ba1063c05140bf85a5eae3ea9365d5 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 450A
Case: AG-XHP100-6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: XHP™3
Mechanical mounting: screw
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FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF602B81B1258BF&compId=FF45MR12W1M1B11.pdf?ci_sign=f5b3f9ed9a3dcffcc3c66b2489eb90dc08bf9b53 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
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FF500R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8 FF500R17KE4 IGBT modules
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FF900R12IE4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6DACF73A3B091BF&compId=FF900R12IE4-dte.pdf?ci_sign=b69e55b873654158aa2e23817f95c03452131c3f Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-PRIME2-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 5.1kW
Technology: PrimePACK™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF900R12ME7B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 FF900R12ME7B11 IGBT modules
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FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FM24CL16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
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FM24CL16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FM25CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FM25L04B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FM25L16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
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FM25L16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V05-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 512kb FRAM
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N18K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N26K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DZ435N40K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ435N40K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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DZ540N22K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ540N22K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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DZ540N26K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ540N26K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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DZ600N08K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
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DZ600N12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6
DZ600N12K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+316.47 EUR
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DZ600N16K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N16K Diode modules
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DZ600N18K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6
DZ600N18K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DZ950N44K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ950N44K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
358+0.2 EUR
400+0.18 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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ESD24VS2UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee
ESD24VS2UE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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ETD540N22P60HPSA1 Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a
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ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
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ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
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ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD630N18P60HPSA1 Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f
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ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETT540N22P60HPSA1 Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a
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ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
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ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
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ETT630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
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ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
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EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
Application: motors
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
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EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: IMM101T-046M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Kind of module: motor driver
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F3L300R07PE4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
F3L300R07PE4 IGBT modules
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F4150R12KS4BOSA1 Infineon-F4_150R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327c115855
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
F4150R12KS4BOSA1 IGBT modules
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F475R06W1E3BOMA1 Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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F475R12KS4BOSA1 Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
F475R12KS4BOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB30R06W1E3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFDDC25858D3D7&compId=FB30R06W1E3.pdf?ci_sign=f0ac3378cf97532bc2bdcf462e9cd732b44ce192
FB30R06W1E3BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
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FD300R06KE3HOSA1 Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD300R06KE3 IGBT modules
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FD300R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6
FD300R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Application: Inverter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF100R12RT4HOSA1 Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE4PHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe
FF200R12KE4PHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173
FF200R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+107.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R17KE4HOSA1 Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF200R17KE4 IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
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1+239.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KE3 description
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KS4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62
FF300R12KS4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+262.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3
FF300R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab
FF300R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R17ME4BOSA1 Infineon-FF300R17ME4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e1c50781f3c43
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R17ME4 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R06ME3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R06ME3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF791B428A7DE27&compId=FF450R12KE4-DTE.pdf?ci_sign=ea990a008d4cd0a41ce5a30a9a09bff4050731f0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869893D7BCFB4469&compId=FF450R12KT4.pdf?ci_sign=ae61a33310ba1063c05140bf85a5eae3ea9365d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 450A
Case: AG-XHP100-6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: XHP™3
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF602B81B1258BF&compId=FF45MR12W1M1B11.pdf?ci_sign=f5b3f9ed9a3dcffcc3c66b2489eb90dc08bf9b53
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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10+66.47 EUR
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FF500R17KE4BOSA1 Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF500R17KE4 IGBT modules
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FF900R12IE4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6DACF73A3B091BF&compId=FF900R12IE4-dte.pdf?ci_sign=b69e55b873654158aa2e23817f95c03452131c3f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-PRIME2-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 5.1kW
Technology: PrimePACK™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF900R12ME7B11 IGBT modules
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FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DG Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DGTR Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25CL64B-DGTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L04B-DGTR Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DG Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DGTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V05-GTR Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 512kb FRAM
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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