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IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f IPB50R140CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857 IPB50R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R250CP.pdf IPB50R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R299CP.pdf IPB50R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB530N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R080P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R099C6 IPB60R099C6 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD662169E3F15EA&compId=IPB60R099C6.pdf?ci_sign=c6af9003cab4e14e02e5a5f3bf2338d2b3d861b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA35F472CB8A143&compId=IPB60R099C7.pdf?ci_sign=5b859999261ebe71403a2659df15f5a9bde9af22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5940C9F8767D1BF&compId=IPB60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=91df3639930d1c43c70ea91f5cce18895b2c649f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681590A50E853D6&compId=IPB60R099P7.pdf?ci_sign=4f9f109175388cc4f13a7e7bb32b6c0f37f0bb07 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R125C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35 IPB60R160C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R165CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a IPB60R190C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB65R045C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R065C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R110CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R150CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1 IPB65R190C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPB65R190CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF300D338DF71BF&compId=IPB65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ae6c5b190a138856306f08169543d89672c5eac5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R310CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N04S2H4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
On-state resistance: 5.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
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IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N08S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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IPB80P04P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
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IPB90R340C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 131nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPC100N04S5-1R7 IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPC100N04S5-1R9 IPC100N04S5-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5216505FA74A&compId=IPC100N04S51R9.pdf?ci_sign=2871d189f489fc547c6611456c441bcb643cc716 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5-2R8 IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5L-1R1 IPC100N04S5L-1R1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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IPC100N04S5L-1R5 IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
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IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5L-2R6 IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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IPC50N04S5-5R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S55R8 SMD N channel transistors
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IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S5L5R5 SMD N channel transistors
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IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
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IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5-3R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5L-3R3 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
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IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R140CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3G-DTE.pdf
IPB530N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB600N25N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41
IPB600N25N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82
IPB60R060P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD662169E3F15EA&compId=IPB60R099C6.pdf?ci_sign=c6af9003cab4e14e02e5a5f3bf2338d2b3d861b2
IPB60R099C6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPB60R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB60R099C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA35F472CB8A143&compId=IPB60R099C7.pdf?ci_sign=5b859999261ebe71403a2659df15f5a9bde9af22
IPB60R099C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5940C9F8767D1BF&compId=IPB60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=91df3639930d1c43c70ea91f5cce18895b2c649f
IPB60R099CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB60R099P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681590A50E853D6&compId=IPB60R099P7.pdf?ci_sign=4f9f109175388cc4f13a7e7bb32b6c0f37f0bb07
IPB60R099P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R120P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24
IPB60R120P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6-DTE.pdf
IPB60R125C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R160C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R190C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6-DTE.pdf
IPB60R280C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB65R045C7ATMA1 DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R065C7ATMA1 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFD-DTE.pdf
IPB65R110CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R150CFDATMA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190C7ATMA1 Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R190C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190CFDATMA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R190CFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R280E6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF300D338DF71BF&compId=IPB65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ae6c5b190a138856306f08169543d89672c5eac5
IPB65R280E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R310CFDATMA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB65R420CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R660CFDATMA1 IPx65R660CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4.pdf
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
On-state resistance: 5.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07.pdf
IPB80N08S2L07ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1 IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53
IPC100N04S5-1R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 131nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908
IPC100N04S5-1R7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5216505FA74A&compId=IPC100N04S51R9.pdf?ci_sign=2871d189f489fc547c6611456c441bcb643cc716
IPC100N04S5-1R9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-2R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334
IPC100N04S5-2R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5L-1R1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5A929452E74A&compId=IPC100N04S5L1R1.pdf?ci_sign=f8bb6dfa7d8c8c00542f9aa706c257086e3c08b3
IPC100N04S5L-1R1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5L-1R5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5D5ED457274A&compId=IPC100N04S5L1R5.pdf?ci_sign=fc50b98bc7916b1e7b88e330071377b25f0f81f2
IPC100N04S5L-1R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC100N04S5L-1R9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA629D2730274A&compId=IPC100N04S5L1R9.pdf?ci_sign=3ce2e74ea43197018f2255b595c01b4158e75dcc
IPC100N04S5L-1R9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-2R6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA66647F3E474A&compId=IPC100N04S5L2R6.pdf?ci_sign=a9ba21c0f1b95979b0e81c2e0b59aa5e9169c864
IPC100N04S5L-2R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC50N04S5-5R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC50N04S55R8 SMD N channel transistors
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IPC50N04S5L-5R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC50N04S5L5R5 SMD N channel transistors
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IPC70N04S5-4R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
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IPC70N04S5L-4R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5-3R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5L-3R3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
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