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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DD435N36K INFINEON TECHNOLOGIES DD435N36K Diode modules
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DD435N40K INFINEON TECHNOLOGIES DD435N40K Diode modules
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DD540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DD540N26K Diode modules
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DD600N16KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD600N16K Diode modules
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DD600N18KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD600N18K Diode modules
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DD700N22KHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DD700N22K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146668db98460e3 DD700N22K Diode modules
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DD89N14K INFINEON TECHNOLOGIES DD89N14K Diode modules
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+152.25 EUR
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DDB6U104N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U104N16RR-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e55b8a63a205f DDB6U104N16RRBPSA1 IGBT modules
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DDB6U134N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U134N16RR-DS-v01_01-de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433eac35e2a DDB6U134N16RRBPSA1 IGBT modules
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DDB6U145N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U145N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314b2f53ff DDB6U145N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DDB6U205N16LHOSA1 DDB6U205N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC1972638CA0D5&compId=DDB6U205N16LHOSA1.pdf?ci_sign=6dffeb89eddb8bd4f1e60339664ff7deab328ac8 Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 205A; screw
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Leads: M5 screws
Version: module
Load current: 205A
Max. forward voltage: 1.47V
Max. forward impulse current: 1.375kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of bridge rectifier: three-phase
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+278.85 EUR
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DDB6U215N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U215N16L-DS-v01_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431505f5407 DDB6U215N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DDB6U50N16W1RBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U50N16W1R-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf4ed7040ac DDB6U50N16W1RBPSA1 IGBT modules
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DDB6U75N16W1RBOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U75N16W1R-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122f436495e5657 DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT modules
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DDB6U85N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB6U85N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43147c453fb DDB6U85N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DEMO SENSE2GOL INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: demonstration; Comp: BGT24LTR11; Software: included
Type of development kit: demonstration
Kit contents: documentation; prototype board; USB A - USB B micro cable
Components: BGT24LTR11
Software: included
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDF8B8F122253D7&compId=DF400R12KE3.pdf?ci_sign=c0ee8fc01e207ac3de7635995e03cffedee02f43 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2kW
Topology: buck chopper
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DSL70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dsl70.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114927dbe551006&fileId=db3a30431441fb5d0114927e397f1007 DSL70E6327HTSA1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DZ435N40K INFINEON TECHNOLOGIES DZ435N40K Diode modules
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DZ540N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N22K Diode modules
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DZ540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N26K Diode modules
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DZ600N08K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N12K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+315.77 EUR
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DZ600N16K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N16K Diode modules
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DZ600N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K Diode modules
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DZ950N44K INFINEON TECHNOLOGIES DZ950N44K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
358+0.2 EUR
400+0.18 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 32V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Peak pulse power dissipation: 230W
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
156+0.46 EUR
204+0.35 EUR
257+0.28 EUR
298+0.24 EUR
343+0.21 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD630N18P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
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EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
 		EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-015M
Kind of connector: screw terminal x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+69.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E51CA876020469&compId=F3L300R07PE4.pdf?ci_sign=87e32f7827545f3714e6f021876e63d20bfa18f1 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: AG-ECONO4-1
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 4
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+223.08 EUR
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F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA585AEB73C81A0C4&compId=F4150R12KS4BOSA1.pdf?ci_sign=bcef10772012161925ebe1847340da5b430f4f81 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B427F7AA228469&compId=F4-75R12KS4.pdf?ci_sign=8a7c38558ac90818b8a03233c57e0f409e79df4d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFDDC25858D3D7&compId=FB30R06W1E3.pdf?ci_sign=f0ac3378cf97532bc2bdcf462e9cd732b44ce192 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266 FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
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FD300R06KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7 FD300R06KE3 IGBT modules
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FD300R12KE3HOSA1 FD300R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Application: Inverter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
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FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+158.02 EUR
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FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3 IGBT modules
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FF300R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES description FF300R12KE3 IGBT modules
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FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+262.12 EUR
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FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DD435N36K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD435N36K Diode modules
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DD435N40K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD435N40K Diode modules
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DD540N26K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD540N26K Diode modules
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DD600N16KHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD600N16K Diode modules
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DD600N18KHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD600N18K Diode modules
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DD700N22KHPSA3 Infineon-DD700N22K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146668db98460e3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD700N22K Diode modules
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DD89N14K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DD89N14K Diode modules
auf Bestellung 16 Stücke:
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Anzahl Preis
1+152.25 EUR
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DDB6U104N16RRBPSA1 Infineon-DDB6U104N16RR-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e55b8a63a205f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U104N16RRBPSA1 IGBT modules
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DDB6U134N16RRBPSA1 Infineon-DDB6U134N16RR-DS-v01_01-de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433eac35e2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U134N16RRBPSA1 IGBT modules
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DDB6U145N16LHOSA1 Infineon-DDB6U145N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314b2f53ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U145N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DDB6U205N16LHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC1972638CA0D5&compId=DDB6U205N16LHOSA1.pdf?ci_sign=6dffeb89eddb8bd4f1e60339664ff7deab328ac8
DDB6U205N16LHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 205A; screw
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Leads: M5 screws
Version: module
Load current: 205A
Max. forward voltage: 1.47V
Max. forward impulse current: 1.375kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of bridge rectifier: three-phase
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+278.85 EUR
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DDB6U215N16LHOSA1 Infineon-DDB6U215N16L-DS-v01_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431505f5407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U215N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon-DDB6U50N16W1R-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf4ed7040ac
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U50N16W1RBPSA1 IGBT modules
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DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon-DDB6U75N16W1R-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122f436495e5657
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT modules
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DDB6U85N16LHOSA1 Infineon-DDB6U85N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43147c453fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DDB6U85N16LHOSA1 Three phase diode bridge rectifiers
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DEMO SENSE2GOL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: demonstration; Comp: BGT24LTR11; Software: included
Type of development kit: demonstration
Kit contents: documentation; prototype board; USB A - USB B micro cable
Components: BGT24LTR11
Software: included
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DF400R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDF8B8F122253D7&compId=DF400R12KE3.pdf?ci_sign=c0ee8fc01e207ac3de7635995e03cffedee02f43
DF400R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2kW
Topology: buck chopper
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DSL70E6327HTSA1 dsl70.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114927dbe551006&fileId=db3a30431441fb5d0114927e397f1007
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DSL70E6327HTSA1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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DZ1070N18K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N26K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ435N40K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ435N40K Diode modules
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DZ540N22K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ540N22K Diode modules
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DZ540N26K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ540N26K Diode modules
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DZ600N08K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N12K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N12K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+315.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N16K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N16K Diode modules
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DZ600N18K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N18K Diode modules
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DZ950N44K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ950N44K Diode modules
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ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
358+0.2 EUR
400+0.18 EUR
463+0.15 EUR
550+0.13 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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ESD24VS2UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee
ESD24VS2UE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 32V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Peak pulse power dissipation: 230W
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.46 EUR
204+0.35 EUR
257+0.28 EUR
298+0.24 EUR
343+0.21 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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ETD540N22P60HPSA1 Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
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ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
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ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETD630N18P60HPSA1 Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f
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ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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ETT540N22P60HPSA1 Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a
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ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
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ETT580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
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ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
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ETT630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
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ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
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EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-015M
Kind of connector: screw terminal x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2+69.78 EUR
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EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E51CA876020469&compId=F3L300R07PE4.pdf?ci_sign=87e32f7827545f3714e6f021876e63d20bfa18f1
F3L300R07PE4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Case: AG-ECONO4-1
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 4
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+223.08 EUR
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F4150R12KS4BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA585AEB73C81A0C4&compId=F4150R12KS4BOSA1.pdf?ci_sign=bcef10772012161925ebe1847340da5b430f4f81
F4150R12KS4BOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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F475R06W1E3BOMA1 Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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F475R12KS4BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B427F7AA228469&compId=F4-75R12KS4.pdf?ci_sign=8a7c38558ac90818b8a03233c57e0f409e79df4d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FB30R06W1E3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFDDC25858D3D7&compId=FB30R06W1E3.pdf?ci_sign=f0ac3378cf97532bc2bdcf462e9cd732b44ce192
FB30R06W1E3BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
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FD300R06KE3HOSA1 Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD300R06KE3 IGBT modules
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FD300R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6
FD300R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Application: Inverter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF100R12RT4HOSA1 Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+158.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE4PHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe
FF200R12KE4PHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173
FF200R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R17KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70
FF200R17KE4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+233.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KE3 description
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12KE3 IGBT modules
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FF300R12KS4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62
FF300R12KS4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+262.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3
FF300R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab
FF300R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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