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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
23+3.2 EUR
26+2.77 EUR
29+2.52 EUR
30+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.18 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
27+2.7 EUR
39+1.87 EUR
44+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.72 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
20+3.58 EUR
30+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
21+3.49 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.52 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
22+3.32 EUR
24+3.03 EUR
30+2.65 EUR
120+2.27 EUR
150+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.48 EUR
13+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.38 EUR
19+3.95 EUR
30+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
18+4.16 EUR
20+3.69 EUR
30+3.1 EUR
60+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
37+1.96 EUR
41+1.76 EUR
90+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
25+2.9 EUR
30+2.42 EUR
120+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW20N120R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4614546039901458dd19d89437c IHW20N120R5XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.5 EUR
26+2.79 EUR
29+2.49 EUR
30+2.39 EUR
60+2 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N140R5LXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ihw20n140r5l-datasheet-en.pdf IHW20N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1 IHW25N120E1XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.02 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N140R5LXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW25N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b539e0ca36a2 IHW25N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
24+3.06 EUR
27+2.66 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
19+3.86 EUR
20+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
24+3.06 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
17+4.32 EUR
22+3.3 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
26+2.75 EUR
30+2.39 EUR
120+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
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100+1.46 EUR
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500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
43+1.7 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
30+2.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM10H60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM10H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43a49a78bb IKCM10H60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 27 Stücke:
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7+10.98 EUR
8+8.95 EUR
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IKCM10L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM10L60GA-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb3a61b278a2 IKCM10L60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 280 Stücke:
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280+8.91 EUR
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IKCM15H60GAXKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb68016c78ec IKCM15H60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 16 Stücke:
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6+12.26 EUR
7+10.8 EUR
8+10.21 EUR
14+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
75+0.96 EUR
106+0.67 EUR
122+0.59 EUR
200+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
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54+1.34 EUR
87+0.83 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
71+1.02 EUR
83+0.86 EUR
89+0.81 EUR
98+0.73 EUR
103+0.69 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
66+1.09 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
47+1.53 EUR
56+1.29 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
40+1.83 EUR
53+1.36 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP39N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKP39N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b7740f4442c IKP39N65ES5XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.28 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ75N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKQ75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638802035216c6 IKQ75N120CS6XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
17+4.46 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.48 EUR
14+5.25 EUR
30+4.05 EUR
120+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
40+1.82 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
240+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
35+2.09 EUR
38+1.89 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
30+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.26 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.35 EUR
26+2.85 EUR
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Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
18+4.15 EUR
22+3.27 EUR
25+2.9 EUR
30+2.7 EUR
120+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.73 EUR
22+3.32 EUR
23+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.25 EUR
20+3.69 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
23+3.2 EUR
26+2.77 EUR
29+2.52 EUR
30+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.18 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
27+2.7 EUR
39+1.87 EUR
44+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.72 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3-DTE.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
20+3.58 EUR
30+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N65F5FKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
21+3.49 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40T120FKSA1 IGW40T120.pdf
IGW40T120FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.52 EUR
10+7.52 EUR
30+6.76 EUR
120+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
22+3.32 EUR
24+3.03 EUR
30+2.65 EUR
120+2.27 EUR
150+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.48 EUR
13+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
19+3.95 EUR
30+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
18+4.16 EUR
20+3.69 EUR
30+3.1 EUR
60+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
37+1.96 EUR
41+1.76 EUR
90+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
25+2.9 EUR
30+2.42 EUR
120+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N120R5XKSA1 Infineon-IHW20N120R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4614546039901458dd19d89437c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW20N120R5XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5.pdf
IHW20N135R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
26+2.79 EUR
29+2.49 EUR
30+2.39 EUR
60+2 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N140R5LXKSA1 infineon-ihw20n140r5l-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW20N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW25N120E1XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N140R5LXKSA1 Infineon-IHW25N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b539e0ca36a2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IHW25N140R5LXKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
24+3.06 EUR
27+2.66 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
19+3.86 EUR
20+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
24+3.06 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
17+4.32 EUR
22+3.3 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5.pdf
IHW40N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
26+2.75 EUR
30+2.39 EUR
120+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
100+1.46 EUR
250+1.36 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
43+1.7 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon-IKCM10H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43a49a78bb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM10H60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.98 EUR
8+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon-IKCM10L60GA-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb3a61b278a2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM10L60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
280+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM15H60GAXKMA2 Infineon-IKCM15H60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb68016c78ec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKCM15H60GA Motor and PWM drivers
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.26 EUR
7+10.8 EUR
8+10.21 EUR
14+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
75+0.96 EUR
106+0.67 EUR
122+0.59 EUR
200+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
87+0.83 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
46+1.56 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
71+1.02 EUR
83+0.86 EUR
89+0.81 EUR
98+0.73 EUR
103+0.69 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
66+1.09 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
47+1.53 EUR
56+1.29 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
40+1.83 EUR
53+1.36 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP39N65ES5XKSA1 Infineon-IKP39N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b7740f4442c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKP39N65ES5XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.28 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon-IKQ75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638802035216c6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKQ75N120CS6XKSA1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3-DTE.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
17+4.46 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.48 EUR
14+5.25 EUR
30+4.05 EUR
120+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
40+1.82 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
240+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
35+2.09 EUR
38+1.89 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
30+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.26 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.35 EUR
26+2.85 EUR
30+2.39 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.43 EUR
18+4.15 EUR
22+3.27 EUR
25+2.9 EUR
30+2.7 EUR
120+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.73 EUR
22+3.32 EUR
23+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.25 EUR
20+3.69 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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