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IPD60R2K0C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f IPD60R2K0C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 IPD60R2K0PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 IPD60R380C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 IPD60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c IPD60R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.51 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
90+0.80 EUR
95+0.76 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPD65R1K4CFD_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304338ec6d3901390056583f48f4 IPD65R1K4CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 IPD65R225C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R250C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPD65R250C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043337a914d013383668e4d609a IPD65R250C6XTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R250E6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133837a062760b2 IPD65R250E6XTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997 IPD65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPD65R420CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4 IPD65R600C6BTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 IPD65R600E6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 IPD65R600E6BTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IPD65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IPD65R660CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163 IPD65R950CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163 IPD65R950CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD70N10S312ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 280A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD70R1K4CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
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IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
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IPD70R2K0CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80P03P4L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -65A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -P2
Pulsed drain current: -320A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 IPD80R1K2P7 SMD N channel transistors
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IPD80R1K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb IPD80R1K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IPD80R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b IPD80R280P7 SMD N channel transistors
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IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
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IPD80R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 IPD80R360P7 SMD N channel transistors
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IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
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IPD80R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 IPD80R450P7 SMD N channel transistors
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IPD80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
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IPD80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 IPD80R750P7 SMD N channel transistors
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IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9 IPD80R900P7 SMD N channel transistors
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IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
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IPD90N04S304ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t IPD90N04S304 SMD N channel transistors
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IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t IPD90N04S404 SMD N channel transistors
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IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Kind of package: reel
Drain current: 61A
Gate charge: 18nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R2K0C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R2K0PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R380C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R385CPATMA1 Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600C6ATMA1 Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7ATMA1 Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7-DTE.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD65R1K4CFDBTMA1 DS_IPD65R1K4CFD_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304338ec6d3901390056583f48f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R1K4CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R225C7ATMA1 Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R225C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R250C6XTMA1 DS_IPD65R250C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043337a914d013383668e4d609a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R250C6XTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R250E6XTMA1 Infineon-IPD65R250E6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133837a062760b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R250E6XTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6-DTE.pdf
IPD65R380C6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R420CFDATMA1 Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R420CFDBTMA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R420CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600C6BTMA1 Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600C6BTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600E6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R600E6BTMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R600E6BTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R660CFDATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R660CFDBTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R660CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R950CFDATMA1 Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R950CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPD65R950CFDBTMA1 Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD65R950CFDBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD70N10S312ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 48A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 280A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
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IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7S.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7S.pdf
IPD70R900P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -65A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -P2
Pulsed drain current: -320A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K2P7 SMD N channel transistors
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R280P7ATMA1 Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R280P7 SMD N channel transistors
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IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
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IPD80R360P7ATMA1 Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R360P7 SMD N channel transistors
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IPD80R3K3P7ATMA1 INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
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IPD80R450P7ATMA1 Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R450P7 SMD N channel transistors
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IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
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IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R750P7 SMD N channel transistors
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IPD80R900P7ATMA1 Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R900P7 SMD N channel transistors
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IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
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IPD90N04S304ATMA1 Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S304 SMD N channel transistors
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IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Kind of package: reel
Drain current: 61A
Gate charge: 18nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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