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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf IPAN70R750P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.69 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
20+3.73 EUR
100+3.35 EUR
250+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
20+3.59 EUR
100+3.32 EUR
250+3.17 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
26+2.82 EUR
100+2.69 EUR
250+2.42 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
16+4.52 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.3 EUR
25+2.97 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.86 EUR
15+4.83 EUR
100+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
39+1.87 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
31+2.32 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
166+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
68+1.06 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
100+0.84 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
159+0.45 EUR
164+0.44 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 52
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IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
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IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2400 Stücke:
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44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
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IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
152+0.47 EUR
182+0.39 EUR
191+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
167+0.43 EUR
179+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.82 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
33+2.2 EUR
35+2.07 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
18+3.99 EUR
19+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
58+1.24 EUR
66+1.09 EUR
100+1.02 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
77+0.93 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.94 EUR
115+0.62 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.59 EUR
200+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+4.16 EUR
50+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP016N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60a1443c7d IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
15+5.09 EUR
50+4.46 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IPAN70R750P7SXKSA1 infineon-ipan70r750p7s-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R750P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.69 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
20+3.73 EUR
100+3.35 EUR
250+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
20+3.59 EUR
100+3.32 EUR
250+3.17 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
26+2.82 EUR
100+2.69 EUR
250+2.42 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
16+4.52 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
25+2.97 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.86 EUR
15+4.83 EUR
100+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
39+1.87 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
31+2.32 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
38+1.93 EUR
40+1.82 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2427 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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52+1.4 EUR
81+0.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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76+0.94 EUR
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117+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
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Anzahl Preis
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2482 Stücke:
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Anzahl Preis
120+0.6 EUR
152+0.47 EUR
182+0.39 EUR
191+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
167+0.43 EUR
179+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.82 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
33+2.2 EUR
35+2.07 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
18+3.99 EUR
19+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3G-DTE.pdf
IPI086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
58+1.24 EUR
66+1.09 EUR
100+1.02 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
77+0.93 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
115+0.62 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.59 EUR
200+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+4.16 EUR
50+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP016N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60a1443c7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
15+5.09 EUR
50+4.46 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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