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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP50R500CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
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IPP50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712 IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c IPP600N25N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d479ac7c56893 IPP60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R060P7 IPP60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R080P7 THT N channel transistors
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IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e IPP60R099C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d481216877004 IPP60R099C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3e6b4987 IPP60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.30 EUR
10+7.19 EUR
11+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa IPP60R099P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.09 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f IPP60R120P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910 IPP60R125C6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c0e59465d IPP60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.80 EUR
10+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f IPP60R125P6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R160C6XKSA1 IPP60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c113a4661 IPP60R165CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.89 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 151W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
33+2.20 EUR
35+2.09 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.75 EUR
23+3.19 EUR
24+3.00 EUR
50+2.95 EUR
100+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R250CP_rev2.0..pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304316f66ee8011744d1654a2fa7 IPP60R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280CFD7 IPP60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280CFD7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280E6XKSA1 IPP60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P7 IPP60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e4194498b IPP60R299CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R330P6XKSA1 IPP60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R330P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297d36a554479 IPP60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R385CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c14154665 IPP60R385CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R520C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R520C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123e68d6824590e IPP60R520C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R520E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c IPP60R520E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74 IPP60R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2 IPP60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281 IPP65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334 IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375 IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105 IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R280E6XKSA1 IPP65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP77N06S212AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B77N06S2_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333a115ab8&ack=t IPP77N06S212 THT N channel transistors
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IPP80N06S2H5AKSA2 IPP80N06S2H5AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPx80N06S2-H5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c200b9d5d467c IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IPP80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e3d89cfa175f IPP80R280P7 THT N channel transistors
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IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53 IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
38+1.90 EUR
40+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPP80R600P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06 IPP80R600P7 THT N channel transistors
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IPP50R500CEXKSA1 Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
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IPP50R520CPXKSA1 Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP600N25N3GXKSA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP600N25N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R040C7XKSA1 Infineon-IPP60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d479ac7c56893
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R060P7 IPP60R060P7.pdf
IPP60R060P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R080P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R080P7 THT N channel transistors
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IPP60R099C6XKSA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R099C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R099C7XKSA1 Infineon-IPP60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d481216877004
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R099C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3e6b4987
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.30 EUR
10+7.19 EUR
11+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6-DTE.pdf
IPP60R099P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R099P7 Infineon-IPP60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1979a00e4aaa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R099P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.09 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IPP60R120P7 Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R120P7 THT N channel transistors
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IPP60R125C6XKSA1 Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R125C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c0e59465d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.80 EUR
10+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPP60R125P6XKSA1 Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R125P6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R160C6XKSA1 IPP60R160C6-DTE.pdf
IPP60R160C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6-DTE.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c113a4661
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R165CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7-DTE.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.89 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6-DTE.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6-DTE.pdf
IPP60R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 151W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP-DTE.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280CFD7 IPP60R280CFD7.pdf
IPP60R280CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280E6XKSA1 IPP60R280E6-DTE.pdf
IPP60R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6-DTE.pdf
IPP60R280P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P7 IPP60R280P7.pdf
IPP60R280P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R299CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R330P6XKSA1 IPP60R330P6-DTE.pdf
IPP60R330P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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IPP60R360CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7.pdf
IPP60R360P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R385CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123e68d6824590e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R520C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R520E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600E6XKSA1 Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R950C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R065C7XKSA1 Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R095C7XKSA1 Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFD-DTE.pdf
IPP65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6-DTE.pdf
IPP65R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6-DTE.pdf
IPP65R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R225C7XKSA1 DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R280E6XKSA1 IPP65R280E6-DTE.pdf
IPP65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP77N06S212AKSA2 Infineon-IPP_B77N06S2_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333a115ab8&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP77N06S212 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80N06S2H5AKSA2 IPx80N06S2-H5.pdf
IPP80N06S2H5AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon-IPP80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c200b9d5d467c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 358 Stücke:
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IPP80R280P7XKSA1 Infineon-IPP80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e3d89cfa175f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R280P7 THT N channel transistors
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IPP80R360P7XKSA1 Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
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20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
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IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R600P7 THT N channel transistors
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