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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
400+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
27+2.66 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.52 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.98 EUR
25+2.89 EUR
27+2.67 EUR
50+2.53 EUR
100+2.37 EUR
125+2.35 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.26 EUR
25+2.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
25+2.86 EUR
31+2.33 EUR
50+2 EUR
100+1.82 EUR
125+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.1 EUR
400+1.93 EUR
800+1.83 EUR
2800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
25+2.86 EUR
100+2.06 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.3 EUR
19+3.76 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.02 EUR
16+4.52 EUR
25+4.02 EUR
100+3.53 EUR
400+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011 IRFP4321PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
13+5.75 EUR
25+4.78 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
25+4.49 EUR
50+3.95 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
20+3.63 EUR
25+3.3 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4868pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c9c822023 IRSDS19316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFP4868PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.99 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
25+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029 IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
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Power dissipation: 52W
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IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9161 Stücke:
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
55+1.31 EUR
64+1.13 EUR
100+0.89 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
149+0.48 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
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500+0.44 EUR
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2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
31+2.35 EUR
34+2.16 EUR
50+1.9 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.78 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
50+2.09 EUR
100+1.87 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
28+2.63 EUR
31+2.37 EUR
50+2.19 EUR
100+2.02 EUR
250+1.76 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.62 EUR
26+2.85 EUR
28+2.56 EUR
100+2.16 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.69 EUR
21+3.45 EUR
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
50+2.47 EUR
100+2.27 EUR
250+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
46+1.56 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFU120NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
150+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
150+1.03 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
124+0.58 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
165+0.43 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
192+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
164+0.44 EUR
172+0.42 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
400+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
27+2.66 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.52 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
25+2.89 EUR
27+2.67 EUR
50+2.53 EUR
100+2.37 EUR
125+2.35 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.26 EUR
25+2.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
25+2.86 EUR
31+2.33 EUR
50+2 EUR
100+1.82 EUR
125+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.1 EUR
400+1.93 EUR
800+1.83 EUR
2800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
25+2.86 EUR
100+2.06 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
19+3.76 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4137PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366
IRFP4137PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
16+4.52 EUR
25+4.02 EUR
100+3.53 EUR
400+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf
IRFP4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec
IRFP4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4321PBF irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4321PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
13+5.75 EUR
25+4.78 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120
IRFP4568PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
25+4.49 EUR
50+3.95 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
20+3.63 EUR
25+3.3 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4868PBF irfp4868pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c9c822023 IRSDS19316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4868PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0
IRFP7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.99 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
25+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
18+4.15 EUR
25+3.88 EUR
100+3.49 EUR
125+3.42 EUR
250+3.25 EUR
400+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d
IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
191+0.38 EUR
199+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
178+0.4 EUR
191+0.38 EUR
205+0.35 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
125+0.57 EUR
145+0.49 EUR
154+0.46 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
74+0.98 EUR
84+0.86 EUR
117+0.62 EUR
133+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3710ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
44+1.65 EUR
49+1.48 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
102+0.71 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3910TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5
IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
38+1.93 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
100+1.29 EUR
250+1.12 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2964 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28
IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
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Anzahl Preis
44+1.63 EUR
55+1.31 EUR
64+1.13 EUR
100+0.89 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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66+1.09 EUR
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2000+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
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Anzahl Preis
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
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Anzahl Preis
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
31+2.35 EUR
34+2.16 EUR
50+1.9 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4127TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a
IRFS4127TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
50+2.09 EUR
100+1.87 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
28+2.63 EUR
31+2.37 EUR
50+2.19 EUR
100+2.02 EUR
250+1.76 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf
IRFS7437TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf
IRFS7530TRL7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.62 EUR
26+2.85 EUR
28+2.56 EUR
100+2.16 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e
IRFS7730TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
21+3.45 EUR
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
50+2.47 EUR
100+2.27 EUR
250+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092
IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
46+1.56 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU120NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
150+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
150+1.03 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
124+0.58 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
165+0.43 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
192+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
164+0.44 EUR
172+0.42 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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