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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
31+2.35 EUR
34+2.16 EUR
50+1.9 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.78 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
50+2.09 EUR
100+1.87 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
28+2.63 EUR
31+2.37 EUR
50+2.19 EUR
100+2.02 EUR
250+1.76 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6B3468D04A1EC&compId=irfs7530-7ppbf.pdf?ci_sign=efcd65c1b71b20dce22caa7810184cdbec219b05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.62 EUR
26+2.85 EUR
28+2.56 EUR
100+2.16 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.69 EUR
21+3.45 EUR
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
50+2.47 EUR
100+2.27 EUR
250+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
46+1.56 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
150+1.03 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
124+0.58 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
165+0.43 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
192+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
164+0.44 EUR
172+0.42 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
250+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
59+1.22 EUR
73+0.99 EUR
100+0.89 EUR
250+0.77 EUR
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800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
85+0.85 EUR
100+0.78 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
100+1.27 EUR
250+1.07 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
20+3.6 EUR
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
50+2.1 EUR
100+1.86 EUR
200+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Pulsed drain current: 620A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
65+1.11 EUR
102+0.7 EUR
117+0.61 EUR
200+0.55 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
93+0.77 EUR
108+0.67 EUR
115+0.62 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
65+1.12 EUR
74+0.97 EUR
89+0.81 EUR
102+0.71 EUR
116+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7 IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
286+0.25 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
119+0.6 EUR
258+0.28 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
179+0.4 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
102+0.71 EUR
135+0.53 EUR
151+0.48 EUR
200+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0030pbf.pdf?ci_sign=0967246e14c499dac7fba1009378f5d12f33bab0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
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285+0.25 EUR
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650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
221+0.32 EUR
317+0.23 EUR
371+0.19 EUR
527+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0060pbf.pdf?ci_sign=a3bbe00dfbb4fe089d07e90242d3a3d58078067c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9354 Stücke:
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152+0.47 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6792 Stücke:
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1465 Stücke:
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5700 Stücke:
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IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF1169C8AFE75EA&compId=IRLML2502TRPBF.pdf?ci_sign=ee943fbc222d20849d4363e63ac713ce2afa2b4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6671 Stücke:
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IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1847 Stücke:
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2737 Stücke:
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9895 Stücke:
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IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
250+0.29 EUR
304+0.24 EUR
394+0.18 EUR
472+0.15 EUR
685+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
265+0.27 EUR
341+0.21 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
268+0.27 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
582+0.12 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
266+0.27 EUR
383+0.19 EUR
448+0.16 EUR
616+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
253+0.28 EUR
368+0.19 EUR
432+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
382+0.19 EUR
443+0.16 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
31+2.35 EUR
34+2.16 EUR
50+1.9 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4127TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a
IRFS4127TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
50+2.09 EUR
100+1.87 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
28+2.63 EUR
31+2.37 EUR
50+2.19 EUR
100+2.02 EUR
250+1.76 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf
IRFS7437TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6B3468D04A1EC&compId=irfs7530-7ppbf.pdf?ci_sign=efcd65c1b71b20dce22caa7810184cdbec219b05
IRFS7530TRL7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e
IRFS7730TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092
IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
46+1.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0
IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
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Anzahl Preis
57+1.26 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
134+0.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
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Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
75+0.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
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102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
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31+2.36 EUR
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75+1.14 EUR
150+1.03 EUR
450+0.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
106+0.68 EUR
124+0.58 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
165+0.43 EUR
175+0.41 EUR
184+0.39 EUR
192+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
164+0.44 EUR
172+0.42 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.63 EUR
20+3.73 EUR
22+3.32 EUR
26+2.85 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
59+1.22 EUR
73+0.99 EUR
100+0.89 EUR
250+0.77 EUR
500+0.68 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036
IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
85+0.85 EUR
100+0.78 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
100+1.27 EUR
250+1.07 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 3959 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 573 Stücke:
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46+1.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 342 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Pulsed drain current: 620A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 806 Stücke:
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117+0.61 EUR
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250+0.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 839 Stücke:
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49+1.49 EUR
93+0.77 EUR
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115+0.62 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
250+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d
IRLB8748PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
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65+1.12 EUR
74+0.97 EUR
89+0.81 EUR
102+0.71 EUR
116+0.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3890 Stücke:
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Anzahl Preis
162+0.44 EUR
286+0.25 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1518 Stücke:
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119+0.6 EUR
258+0.28 EUR
272+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
179+0.4 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0
IRLL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3
IRLL2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
102+0.71 EUR
135+0.53 EUR
151+0.48 EUR
200+0.42 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0030pbf.pdf?ci_sign=0967246e14c499dac7fba1009378f5d12f33bab0
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
232+0.31 EUR
285+0.25 EUR
353+0.2 EUR
532+0.13 EUR
589+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0040TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056
IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
221+0.32 EUR
317+0.23 EUR
371+0.19 EUR
527+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0060pbf.pdf?ci_sign=a3bbe00dfbb4fe089d07e90242d3a3d58078067c
IRLML0060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53
IRLML0100TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
220+0.33 EUR
293+0.24 EUR
332+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2030TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2030pbf.pdf?ci_sign=a1998ead6eaa1089a0ac43972a6165773eca35a9
IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
256+0.28 EUR
302+0.24 EUR
363+0.2 EUR
554+0.13 EUR
759+0.094 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9
IRLML2060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
247+0.29 EUR
360+0.2 EUR
424+0.17 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574
IRLML2244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
325+0.22 EUR
360+0.2 EUR
486+0.15 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f
IRLML2246TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 779 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF1169C8AFE75EA&compId=IRLML2502TRPBF.pdf?ci_sign=ee943fbc222d20849d4363e63ac713ce2afa2b4a
IRLML2502TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6671 Stücke:
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162+0.44 EUR
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329+0.22 EUR
388+0.18 EUR
472+0.15 EUR
538+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1847 Stücke:
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264+0.27 EUR
321+0.22 EUR
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551+0.13 EUR
642+0.11 EUR
714+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2737 Stücke:
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200+0.36 EUR
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417+0.17 EUR
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1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9895 Stücke:
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258+0.28 EUR
353+0.2 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e
IRLML6244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5266 Stücke:
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Anzahl Preis
162+0.44 EUR
250+0.29 EUR
304+0.24 EUR
394+0.18 EUR
472+0.15 EUR
685+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30081 Stücke:
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414+0.17 EUR
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1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e
IRLML6346TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5207 Stücke:
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Anzahl Preis
179+0.4 EUR
268+0.27 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
582+0.12 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847
IRLML6401TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
266+0.27 EUR
383+0.19 EUR
448+0.16 EUR
616+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
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173+0.41 EUR
253+0.28 EUR
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432+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2361 Stücke:
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
382+0.19 EUR
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596+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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