Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (152101) > Seite 1275 nach 2536
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FS75R17KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| FS820R08A6P2LBBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
FS820R08A6P2LB IGBT modules |
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| FZ1000R33HE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules |
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| FZ1400R33HE4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules |
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| FZ2000R33HE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules |
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| FZ400R12KS4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FZ400R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules |
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FZ600R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FZ900R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IAUA170N10S5N031AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors |
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| IAUA180N04S5N012AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors |
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| IAUA180N08S5N026AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors |
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| IAUA180N10S5N029AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 561A Power dissipation: 221W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IAUA200N04S5N010AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors |
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| IAUA210N10S5N024AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors |
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| IAUA220N08S5N021AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors |
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| IAUA250N04S6N005AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors |
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| IAUA250N04S6N006AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors |
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| IAUA250N04S6N007AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors |
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| IAUA250N04S6N007EAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors |
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| IAUA250N04S6N008AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors |
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| IAUA250N08S5N018AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N04S6L014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N04S6L020ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N04S6L025ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N04S6N022ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N04S6N028ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N08S5N031ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N08S5N034ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N08S5N043ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 76A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 120W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC100N10S5L040ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N10S5L054ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors |
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| IAUC100N10S5N040ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N04S6L005ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 6 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 177nC On-state resistance: 0.8mΩ Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Power dissipation: 187W Pulsed drain current: 1550A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N04S6L008ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors |
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| IAUC120N04S6L009ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors |
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| IAUC120N04S6L012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors |
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| IAUC120N04S6N009ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors |
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| IAUC120N06S5L032ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Power dissipation: 94W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 364A Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N06S5N017ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 757A Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC24N10S5L300ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: OptiMOS™ 5 Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC26N10S5L245ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 37.8mΩ Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 40W Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 20A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 38W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC40N08S5L140ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors |
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| IAUC41N06S5L100ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors |
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| IAUC41N06S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors |
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| IAUC45N04S6L063HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 15A Pulsed drain current: 134A Power dissipation: 41W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC45N04S6N070HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A Pulsed drain current: 119A Power dissipation: 41W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC50N08S5L096ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors |
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| IAUC50N08S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors |
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| IAUC60N04S6L030HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6L039ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 54A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N031HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N044ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N050HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 16A Pulsed drain current: 171A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N10S5L110ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A On-state resistance: 15.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24.1nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC64N08S5L075ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors |
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| FS75R17KE3BOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS820R08A6P2LBBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2LB IGBT modules
FS820R08A6P2LB IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ1000R33HE3BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ1400R33HE4BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ2000R33HE4BOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ400R12KS4HOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
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| FZ400R17KE4HOSA1 |
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FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
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| FZ600R12KE3HOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| FZ900R12KE4HOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
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| IAUA170N10S5N031AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
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| IAUA180N04S5N012AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
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| IAUA180N08S5N026AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
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| IAUA180N10S5N029AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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| IAUA200N04S5N010AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
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| IAUA210N10S5N024AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
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| IAUA220N08S5N021AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
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| IAUA250N04S6N005AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
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| IAUA250N04S6N006AUMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUA250N04S6N007AUMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
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| IAUA250N04S6N007EAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
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| IAUA250N04S6N008AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
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| IAUA250N08S5N018AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
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| IAUC100N04S6L014ATMA1 |
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IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors
IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors
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| IAUC100N04S6L020ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors
IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors
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| IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors
IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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| IAUC100N04S6N022ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors
IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors
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| IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors
IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors
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| IAUC100N08S5N031ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors
IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors
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| IAUC100N08S5N034ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors
IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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| IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUC100N10S5L040ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IAUC100N10S5L054ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N04S6L008ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N04S6L009ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC120N06S5N017ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC24N10S5L300ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC26N10S5L245ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37.8mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37.8mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC40N08S5L140ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC41N06S5L100ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC45N04S6L063HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC45N04S6N070HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC50N08S5L096ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
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| IAUC50N08S5N102ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
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| IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6N044ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6N050HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N10S5L110ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC64N08S5L075ATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH