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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB120P04P404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
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IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB160N04S4LH1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t IPB180N04S4H0 SMD N channel transistors
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IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e IPB180P04P403 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d IPB180P04P4L02ATMA SMD P channel transistors
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IPB200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be IPB200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB200N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPB200N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB407N30NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 IPB407N30NATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f IPB50R140CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857 IPB50R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R250CP.pdf IPB50R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R299CP.pdf IPB50R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB530N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896813BD02BADB3D6&compId=IPB60R080P7.pdf?ci_sign=3c01e4952f1c32a10c73fab21d64a62f3b2e1442 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6 IPB60R099C6 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD662169E3F15EA&compId=IPB60R099C6.pdf?ci_sign=c6af9003cab4e14e02e5a5f3bf2338d2b3d861b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA35F472CB8A143&compId=IPB60R099C7.pdf?ci_sign=5b859999261ebe71403a2659df15f5a9bde9af22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5940C9F8767D1BF&compId=IPB60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=91df3639930d1c43c70ea91f5cce18895b2c649f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681590A50E853D6&compId=IPB60R099P7.pdf?ci_sign=4f9f109175388cc4f13a7e7bb32b6c0f37f0bb07 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594126B59FFD1BF&compId=IPB60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=81e827ead9db9d126ae967c1d00236c615806a73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35 IPB60R160C6ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R165CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
36+2 EUR
38+1.89 EUR
250+1.87 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681644F8FF333D6&compId=IPB60R180P7.pdf?ci_sign=21f63003e7f8036ec56aad5bc3ee810eecdc5f34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4413ff0274a IPB60R280C6ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485 IPB60R280P7 SMD N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB65R045C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R065C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R110CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPB65R110CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R150CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1 IPB65R190C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPB65R190CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF300D338DF71BF&compId=IPB65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ae6c5b190a138856306f08169543d89672c5eac5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R310CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF32141A4C0F1BF&compId=IPB65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=a7f0f0199dc44a7f3e195f767dd282f7da6f3870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R660CFD.pdf IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPx80N04S2-H4.pdf IPB80N04S2H4 SMD N channel transistors
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IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB80N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N08S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB80P04P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
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IPB90R340C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPC100N04S5-1R7 IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
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IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB180N04S4H0 SMD N channel transistors
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IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB180P04P403ATMA1 Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB180P04P403 SMD P channel transistors
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IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB180P04P4L02ATMA SMD P channel transistors
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IPB200N15N3GATMA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB200N25N3GATMA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB200N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB320N20N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8
IPB320N20N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB407N30NATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R140CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB50R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3G-DTE.pdf
IPB530N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB600N25N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41
IPB600N25N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R060P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82
IPB60R060P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R080P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896813BD02BADB3D6&compId=IPB60R080P7.pdf?ci_sign=3c01e4952f1c32a10c73fab21d64a62f3b2e1442
IPB60R080P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD662169E3F15EA&compId=IPB60R099C6.pdf?ci_sign=c6af9003cab4e14e02e5a5f3bf2338d2b3d861b2
IPB60R099C6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPB60R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA35F472CB8A143&compId=IPB60R099C7.pdf?ci_sign=5b859999261ebe71403a2659df15f5a9bde9af22
IPB60R099C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5940C9F8767D1BF&compId=IPB60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=91df3639930d1c43c70ea91f5cce18895b2c649f
IPB60R099CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681590A50E853D6&compId=IPB60R099P7.pdf?ci_sign=4f9f109175388cc4f13a7e7bb32b6c0f37f0bb07
IPB60R099P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R120P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24
IPB60R120P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
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IPB60R125C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594126B59FFD1BF&compId=IPB60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=81e827ead9db9d126ae967c1d00236c615806a73
IPB60R125C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R160C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
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IPB60R180P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681644F8FF333D6&compId=IPB60R180P7.pdf?ci_sign=21f63003e7f8036ec56aad5bc3ee810eecdc5f34
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPB60R190C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4413ff0274a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R280C6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 Infineon-IPB60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7ddc6e0485
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R280P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 Infineon-IPB60R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a86f0020487
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R360P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA1 DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R065C7ATMA1 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2EE217E26F1BF&compId=IPB65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=715c1f68c860329bf7686cf793fb138854a750db
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R110CFDATMA1 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R110CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R150CFDATMA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190C7ATMA1 Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R190C7ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190CFDATMA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R190CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R280E6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF300D338DF71BF&compId=IPB65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ae6c5b190a138856306f08169543d89672c5eac5
IPB65R280E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R310CFDATMA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF32141A4C0F1BF&compId=IPB65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=a7f0f0199dc44a7f3e195f767dd282f7da6f3870
IPB65R380C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R420CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R660CFDATMA1 IPx65R660CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N04S2H4ATMA2 IPx80N04S2-H4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80N04S2H4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 893 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07.pdf
IPB80N08S2L07ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1 IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA49771D5F674A&compId=IPC100N04S51R2.pdf?ci_sign=5f94a9b9fd21e204afc56b8d21626078719b2d53
IPC100N04S5-1R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA4DBB5DE0274A&compId=IPC100N04S51R7.pdf?ci_sign=98c11ae58317b34a2cf3add2c3722b43b2bd6908
IPC100N04S5-1R7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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