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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 IRFSL7437PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
32+2.23 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3 IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 7080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFU120NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
150+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 IRFU4510PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description IRFU5305PBF THT P channel transistors
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
100+0.72 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
120+0.6 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4 IRL1004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
50+1.97 EUR
100+1.77 EUR
250+1.56 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.63 EUR
20+3.73 EUR
22+3.32 EUR
26+2.85 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 IRL530NSTRLPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
2400+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
85+0.85 EUR
100+0.78 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
100+1.27 EUR
250+1.07 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
158+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
20+3.6 EUR
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
50+2.1 EUR
100+1.86 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
65+1.11 EUR
102+0.7 EUR
117+0.61 EUR
200+0.55 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f IRLB8314PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.68 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2244pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf IRLML2803TRPBF SMD N channel transistors
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IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf IRLML5103TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3935 Stücke:
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157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6246pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566878f22621 IRLML6246TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
187+0.38 EUR
866+0.083 EUR
916+0.078 EUR
15000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
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341+0.21 EUR
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1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e IRLML6346TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
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695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
98+0.73 EUR
129+0.55 EUR
146+0.49 EUR
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2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7437PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
32+2.23 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF irfts8342pbf.pdf
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
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167+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU120NPBF THT N channel transistors
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150+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 314 Stücke:
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102+0.71 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4510PBF THT N channel transistors
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66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU5305PBF THT P channel transistors
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74+0.97 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 533 Stücke:
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103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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57+1.26 EUR
100+0.72 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
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139+0.51 EUR
250+0.39 EUR
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1000+0.34 EUR
1250+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
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100+0.72 EUR
111+0.65 EUR
120+0.6 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
800+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
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Anzahl Preis
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL1004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
50+1.97 EUR
100+1.77 EUR
250+1.56 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.63 EUR
20+3.73 EUR
22+3.32 EUR
26+2.85 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL530NSTRLPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
2400+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
69+1.04 EUR
78+0.92 EUR
85+0.85 EUR
100+0.78 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
51+1.42 EUR
100+1.27 EUR
250+1.07 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
158+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
20+3.6 EUR
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
50+2.1 EUR
100+1.86 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
65+1.11 EUR
102+0.7 EUR
117+0.61 EUR
200+0.55 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8314PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.68 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8748PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL2705TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLML0060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLML0100TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1291 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF irlml2244pbf.pdf
IRLML2244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5690 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9231 Stücke:
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1000+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML2803TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 14700 Stücke:
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Anzahl Preis
228+0.31 EUR
832+0.086 EUR
881+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML5103TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 1708 Stücke:
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Anzahl Preis
182+0.39 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3935 Stücke:
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
210+0.34 EUR
288+0.25 EUR
327+0.22 EUR
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500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6244TRPBF irlml6244pbf.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
250+0.29 EUR
304+0.24 EUR
394+0.18 EUR
472+0.15 EUR
685+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566878f22621
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML6246TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
187+0.38 EUR
866+0.083 EUR
916+0.078 EUR
15000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
265+0.27 EUR
341+0.21 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML6346TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
266+0.27 EUR
383+0.19 EUR
448+0.16 EUR
616+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
382+0.19 EUR
443+0.16 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
296+0.24 EUR
443+0.16 EUR
527+0.14 EUR
618+0.12 EUR
736+0.097 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
147+0.49 EUR
182+0.39 EUR
200+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
98+0.74 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
250+0.5 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
98+0.73 EUR
129+0.55 EUR
146+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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