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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R050G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R080G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R102G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-10-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R190G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57AA149F9E143&compId=IPG20N04S408.pdf?ci_sign=8fef4a4a90eb99a19b047330a14f6402e403fdee Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57E4A02E10143&compId=IPG20N04S409.pdf?ci_sign=c4432906d78c25f5effc1e82352607614ab5fbf0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8-4
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI020N06NAKSA1 IPI020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI020N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69966EB25DC411C&compId=IPI024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=af4669f0517a60affc571042607d4f14e1306ced Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.30 EUR
62+1.16 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI111N15N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI120N04S402AKSA1 IPI120N04S402AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA595BDCC7A6143&compId=IPI120N04S402.pdf?ci_sign=775495591aaddac68fbafdad717a249f72a379b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI147N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
52+1.39 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI320N20N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a IPI320N20N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090 IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI530N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122650f87c6114d IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093 IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494 IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304330046413013007e55bcb3d6b IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB906C5082651BF&compId=IPI65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab4d2af273f515dc14f003738d2594d1c4a055b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60 IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
30+2.39 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
50+1.90 EUR
250+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
84+0.86 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA76F5DF84074A&compId=IPL60R075CFD7.pdf?ci_sign=bbf5bff69a5a7dcb91600f1953d938f86b5570fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R085P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R125P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-10-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N04S408ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57AA149F9E143&compId=IPG20N04S408.pdf?ci_sign=8fef4a4a90eb99a19b047330a14f6402e403fdee
IPG20N04S408ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPG20N04S409ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57E4A02E10143&compId=IPG20N04S409.pdf?ci_sign=c4432906d78c25f5effc1e82352607614ab5fbf0
IPG20N04S409ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8-4
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPI020N06NAKSA1 IPI020N06N-DTE.pdf
IPI020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69966EB25DC411C&compId=IPI024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=af4669f0517a60affc571042607d4f14e1306ced
IPI024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760
IPI029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI030N10N3GXKSA1 dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3G-DTE.pdf
IPI032N06N3GAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.30 EUR
62+1.16 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI041N12N3GAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e
IPI041N12N3GAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IPI111N15N3GAKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI120N04S402AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA595BDCC7A6143&compId=IPI120N04S402.pdf?ci_sign=775495591aaddac68fbafdad717a249f72a379b2
IPI120N04S402AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI147N12N3GAKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f
IPI180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.60 EUR
52+1.39 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI200N25N3GAKSA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI320N20N3GAKSA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI320N20N3GAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R140CPXKSA1 Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R199CPXKSA1 IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R350CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R399CPXKSA1 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R399CPXKSA2 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
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IPI530N15N3GXKSA1 IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R099CPXKSA1 IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CP-DTE.pdf
IPI60R125CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122650f87c6114d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.95 EUR
18+3.98 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R250CPAKSA1 IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6-DTE.pdf
IPI60R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R380C6XKSA1 IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFD-DTE.pdf
IPI65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304330046413013007e55bcb3d6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R190CFDXKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R280C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0
IPI65R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB906C5082651BF&compId=IPI65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab4d2af273f515dc14f003738d2594d1c4a055b3
IPI65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
30+2.39 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
50+1.90 EUR
250+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408
IPI90R800C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
84+0.86 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R065P7AUMA1 Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA76F5DF84074A&compId=IPL60R075CFD7.pdf?ci_sign=bbf5bff69a5a7dcb91600f1953d938f86b5570fa
IPL60R075CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R085P7AUMA1 Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7.pdf
IPL60R125P7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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