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IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59 IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.94 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
35+2.09 EUR
36+1.99 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.25 EUR
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
33+2.2 EUR
50+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
100+0.87 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA2CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi540n.pdf?ci_sign=a8e11751173571fb7cd4435d05e530054609bd50 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.1 EUR
250+1 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
44+1.65 EUR
50+1.44 EUR
57+1.27 EUR
100+1.11 EUR
500+0.83 EUR
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
135+0.53 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
302+0.24 EUR
345+0.21 EUR
544+0.13 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
28+2.63 EUR
33+2.2 EUR
50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
31+2.35 EUR
35+2.1 EUR
37+1.96 EUR
40+1.8 EUR
100+1.44 EUR
400+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 310W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
100+1.29 EUR
250+1.17 EUR
400+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
45+1.62 EUR
49+1.49 EUR
52+1.4 EUR
100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
400+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
27+2.66 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.52 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.98 EUR
25+2.89 EUR
27+2.67 EUR
50+2.53 EUR
100+2.37 EUR
125+2.35 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.26 EUR
25+2.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
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IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
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IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
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IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
22+3.27 EUR
27+2.72 EUR
100+2.06 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
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17+4.3 EUR
19+3.76 EUR
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IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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15+5.02 EUR
16+4.52 EUR
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IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011 IRFP4321PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
13+5.75 EUR
25+4.78 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
25+4.49 EUR
50+3.95 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
20+3.63 EUR
25+3.3 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.99 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
25+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029 IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
18+4.15 EUR
25+3.88 EUR
100+3.49 EUR
125+3.42 EUR
250+3.25 EUR
400+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
191+0.38 EUR
199+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
178+0.4 EUR
191+0.38 EUR
205+0.35 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4267944F2F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3806pbf.pdf?ci_sign=5912a651f6a7bf97e992ea9475436898f0845fbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 43A
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52+1.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
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IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C49CD67085F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4620pbf.pdf?ci_sign=e4c12440734d4ce0004c05233e417a3999fb1ada Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
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250+0.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E713E691CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr5505.pdf?ci_sign=0982e56101b1ec4bf1fddcac02efbe5c3bbd2ff6 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
67+1.07 EUR
79+0.91 EUR
175+0.41 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
55+1.31 EUR
64+1.13 EUR
100+0.89 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
149+0.48 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C5734E15E6F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9024npbf.pdf?ci_sign=f830b8b3a8fac721b0bcde7213ec6a984f1207a9 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
90+0.8 EUR
129+0.56 EUR
200+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52
IRFI1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
35+2.09 EUR
36+1.99 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.25 EUR
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1
IRFI4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2
IRFI4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
33+2.2 EUR
50+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817
IRFI530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
100+0.87 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA2CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi540n.pdf?ci_sign=a8e11751173571fb7cd4435d05e530054609bd50
IRFI540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
52+1.4 EUR
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100+1.1 EUR
250+1 EUR
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1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44NPBF irfiz44n.pdf
IRFIZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
44+1.65 EUR
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750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4105TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339
IRFL4105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
135+0.53 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef
IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
302+0.24 EUR
345+0.21 EUR
544+0.13 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
28+2.63 EUR
33+2.2 EUR
50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
31+2.35 EUR
35+2.1 EUR
37+1.96 EUR
40+1.8 EUR
100+1.44 EUR
400+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4
IRFP1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 310W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045
IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
100+1.29 EUR
250+1.17 EUR
400+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
45+1.62 EUR
49+1.49 EUR
52+1.4 EUR
100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
400+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
27+2.66 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
100+1.52 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
25+2.89 EUR
27+2.67 EUR
50+2.53 EUR
100+2.37 EUR
125+2.35 EUR
250+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.26 EUR
25+2.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
25+2.86 EUR
31+2.33 EUR
50+2 EUR
100+1.82 EUR
125+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+2.1 EUR
400+1.93 EUR
800+1.83 EUR
2800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
22+3.27 EUR
27+2.72 EUR
100+2.06 EUR
250+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
19+3.76 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4137PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366
IRFP4137PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.02 EUR
16+4.52 EUR
25+4.02 EUR
100+3.53 EUR
400+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe
IRFP4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec
IRFP4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4321PBF irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4321PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
28+2.6 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
13+5.75 EUR
25+4.78 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120
IRFP4568PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
25+4.49 EUR
50+3.95 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
20+3.63 EUR
25+3.3 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4868PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd
IRFP4868PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0
IRFP7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
50+1.99 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
25+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
9+7.95 EUR
24+2.97 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
18+4.15 EUR
25+3.88 EUR
100+3.49 EUR
125+3.42 EUR
250+3.25 EUR
400+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d
IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
191+0.38 EUR
199+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
178+0.4 EUR
191+0.38 EUR
205+0.35 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
125+0.57 EUR
145+0.49 EUR
154+0.46 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3710ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
44+1.65 EUR
49+1.48 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4267944F2F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3806pbf.pdf?ci_sign=5912a651f6a7bf97e992ea9475436898f0845fbd
IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 43A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
102+0.71 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3910TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5
IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C49CD67085F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4620pbf.pdf?ci_sign=e4c12440734d4ce0004c05233e417a3999fb1ada
IRFR4620TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
38+1.93 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
100+1.29 EUR
250+1.12 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
72+1 EUR
84+0.86 EUR
112+0.64 EUR
200+0.59 EUR
500+0.55 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
73+0.99 EUR
84+0.86 EUR
103+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
62+1.16 EUR
71+1.01 EUR
100+0.83 EUR
250+0.73 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E713E691CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr5505.pdf?ci_sign=0982e56101b1ec4bf1fddcac02efbe5c3bbd2ff6
IRFR5505TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
67+1.07 EUR
79+0.91 EUR
175+0.41 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28
IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
55+1.31 EUR
64+1.13 EUR
100+0.89 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
149+0.48 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C5734E15E6F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9024npbf.pdf?ci_sign=f830b8b3a8fac721b0bcde7213ec6a984f1207a9
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
90+0.8 EUR
129+0.56 EUR
200+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
73+0.99 EUR
99+0.72 EUR
112+0.64 EUR
200+0.57 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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