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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
11+6.51 EUR
28+2.56 EUR
200+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R330P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297c0f44d444b IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a IPA60R380E6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
45+1.60 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R450E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx60R450E6.pdf IPA60R450E6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0 IPA60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R190C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be94da350082 IPA65R190C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.25 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
50+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CF829F5191BF&compId=IPA65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=df6262bcf2b5994d7d93a609776b6cb28dae31ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
57+1.26 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce99abae048c4 IPA80R750P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.20 EUR
65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC576DF2E1ACFA8&compId=IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=22df4d4f3cd156b1c1ba07996da465bfa95d0489 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d IPA95R750P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R125PFD7SXKSA1 IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R210PFD7SXKSA1 IPAN60R210PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3 IPAN70R360P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 408 Stücke:
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IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
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77+0.93 EUR
250+0.90 EUR
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IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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auf Bestellung 210 Stücke:
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135+0.53 EUR
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IPAN80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3 IPAN80R280P7 THT N channel transistors
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IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69 IPAN80R360P7 THT N channel transistors
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IPB009N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3 IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
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14+5.15 EUR
32+2.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
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IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04LG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CEC4B1B9C11C&compId=IPB016N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=771cd50308087000a64d845feff9bfa9f27c355d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
200+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6-DTE.pdf
IPA60R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6-DTE.pdf
IPA60R280P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
11+6.51 EUR
28+2.56 EUR
200+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 IPA60R280P7.pdf
IPA60R280P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6-DTE.pdf
IPA60R330P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380C6XKSA1 IPA60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297c0f44d444b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380E6XKSA1 Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380E6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380P6XKSA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466
IPA60R400CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
45+1.60 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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IPA60R450E6XKSA1 IPx60R450E6.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R450E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPA60R600P6XKSA1 DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
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IPA60R650CEXKSA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
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40+1.83 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
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IPA65R065C7XKSA1 Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R095C7XKSA1 Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFD-DTE.pdf
IPA65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA65R125C7XKSA1 IPA65R125C7-DTE.pdf
IPA65R125C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R190C7XKSA1 Infineon-IPA65R190C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be94da350082
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R190CFDXKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301300747ef313b6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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17+4.25 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
50+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CF829F5191BF&compId=IPA65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=df6262bcf2b5994d7d93a609776b6cb28dae31ed
IPA65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
57+1.26 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
IPA80R1K4P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 Infineon-IPA80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce99abae048c4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R750P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.20 EUR
65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R800C3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC576DF2E1ACFA8&compId=IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=22df4d4f3cd156b1c1ba07996da465bfa95d0489
IPA90R800C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R750P7XKSA1 Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R750P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
135+0.53 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1 Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1 IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 IPB010N06N-DTE.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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34+2.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LG.pdf
IPB015N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB016N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CEC4B1B9C11C&compId=IPB016N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=771cd50308087000a64d845feff9bfa9f27c355d
IPB016N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB017N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf
IPB017N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead
IPB019N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
200+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987
IPB019N08N3G
+1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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