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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
40+1.8 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.29 EUR
200+1.19 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 IRF2907ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
44+1.63 EUR
58+1.25 EUR
100+1.1 EUR
250+0.89 EUR
500+0.73 EUR
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
51+1.42 EUR
60+1.2 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.87 EUR
800+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
56+1.3 EUR
65+1.11 EUR
100+1.03 EUR
250+0.93 EUR
500+0.85 EUR
750+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
41+1.75 EUR
53+1.36 EUR
100+1.19 EUR
250+0.97 EUR
500+0.81 EUR
800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
54+1.35 EUR
62+1.17 EUR
74+0.98 EUR
100+0.87 EUR
200+0.78 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
135+0.53 EUR
147+0.49 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 description IRF4104PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
56+1.29 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
31+2.35 EUR
50+1.9 EUR
100+1.72 EUR
250+1.46 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
29+2.5 EUR
33+2.17 EUR
37+1.97 EUR
50+1.93 EUR
100+1.87 EUR
200+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
54+1.33 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
127+0.56 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
47+1.54 EUR
64+1.13 EUR
100+0.98 EUR
500+0.73 EUR
800+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 17A
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 79W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
142+0.5 EUR
154+0.47 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
66+1.09 EUR
100+0.77 EUR
250+0.65 EUR
500+0.55 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
101+0.71 EUR
108+0.67 EUR
113+0.64 EUR
200+0.58 EUR
250+0.56 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac IRF5801TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.65 EUR
315+0.23 EUR
332+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 IRF5802TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 IRF5803TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1560 Stücke:
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IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 description IRF7205TRPBF SMD P channel transistors
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IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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58+1.24 EUR
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3479 Stücke:
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65+1.1 EUR
93+0.78 EUR
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2000+0.33 EUR
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IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description IRF7316TRPBF Multi channel transistors
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2883 Stücke:
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32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
250+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
68+1.05 EUR
80+0.9 EUR
100+0.73 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description IRF7343TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 6898 Stücke:
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40+1.83 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b IRF7351TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.55 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 description IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.21 EUR
220+0.33 EUR
232+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
87+0.82 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.37 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
103+0.7 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
65+1.1 EUR
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500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IRF8714TRPBFXTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
150+0.48 EUR
158+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
50+1.43 EUR
100+0.86 EUR
250+0.71 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
98+0.74 EUR
106+0.68 EUR
113+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
50+1.63 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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40+1.83 EUR
68+1.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2907ZPBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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51+1.42 EUR
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100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
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800+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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100+1.19 EUR
250+1.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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33+2.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 315 Stücke:
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Anzahl Preis
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41+1.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
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54+1.35 EUR
62+1.17 EUR
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200+0.78 EUR
500+0.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF irf3805.pdf
IRF3805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
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Anzahl Preis
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
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Anzahl Preis
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
135+0.53 EUR
147+0.49 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF description irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF4104PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
56+1.29 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
31+2.35 EUR
50+1.9 EUR
100+1.72 EUR
250+1.46 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
29+2.5 EUR
33+2.17 EUR
37+1.97 EUR
50+1.93 EUR
100+1.87 EUR
200+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
54+1.33 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
127+0.56 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
47+1.54 EUR
64+1.13 EUR
100+0.98 EUR
500+0.73 EUR
800+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 17A
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 79W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
142+0.5 EUR
154+0.47 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
66+1.09 EUR
100+0.77 EUR
250+0.65 EUR
500+0.55 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
101+0.71 EUR
108+0.67 EUR
113+0.64 EUR
200+0.58 EUR
250+0.56 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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105+0.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5801TRPBF SMD N channel transistors
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110+0.65 EUR
315+0.23 EUR
332+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5802TRPBF SMD N channel transistors
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315+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5803TRPBF SMD P channel transistors
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110+0.65 EUR
414+0.17 EUR
439+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
65+1.1 EUR
116+0.62 EUR
132+0.54 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5053 Stücke:
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51+1.42 EUR
89+0.81 EUR
104+0.69 EUR
112+0.64 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 829 Stücke:
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Anzahl Preis
46+1.56 EUR
71+1.01 EUR
93+0.78 EUR
106+0.68 EUR
250+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1560 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
79+0.91 EUR
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3808 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
100+0.72 EUR
148+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2000+0.31 EUR
4000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2778 Stücke:
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Anzahl Preis
103+0.7 EUR
142+0.5 EUR
170+0.42 EUR
194+0.37 EUR
220+0.33 EUR
252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF description irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7205TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
69+1.04 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
92+0.78 EUR
129+0.56 EUR
200+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
93+0.78 EUR
138+0.52 EUR
250+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7316TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
250+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
68+1.05 EUR
80+0.9 EUR
100+0.73 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7343TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 6898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7351TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.55 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.21 EUR
220+0.33 EUR
232+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
87+0.82 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.37 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
103+0.7 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8714TRPBFXTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
150+0.48 EUR
158+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
IRF9310TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
50+1.43 EUR
100+0.86 EUR
250+0.71 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9321TRPBF irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
98+0.74 EUR
106+0.68 EUR
113+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
50+1.63 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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