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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 IRFS7734TRLPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 description IRFSL4010PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
20+3.58 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 IRFSL7437PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
29+2.46 EUR
39+1.83 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3 IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFU120NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.11 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 IRFU4510PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
16+4.46 EUR
44+1.63 EUR
450+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
109+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.6 EUR
800+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
140+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4 IRL1004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
250+1.63 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
63+1.14 EUR
100+1.07 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
43+1.7 EUR
47+1.55 EUR
52+1.4 EUR
100+1.23 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.6 EUR
20+3.72 EUR
22+3.3 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
55+1.31 EUR
73+0.98 EUR
100+0.85 EUR
250+0.67 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3791 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
79+0.91 EUR
86+0.84 EUR
92+0.78 EUR
100+0.73 EUR
250+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
44+1.63 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
800+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.33 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
4000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
20+3.6 EUR
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
50+2.1 EUR
100+1.86 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
73+0.99 EUR
106+0.67 EUR
125+0.58 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f IRLB8314PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
66+1.08 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
119+0.6 EUR
137+0.52 EUR
250+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1518 Stücke:
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112+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 65mΩ
Gate charge: 10.4nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
121+0.59 EUR
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178+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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244+0.29 EUR
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421+0.17 EUR
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610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22468 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34449 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6633 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1171 Stücke:
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3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2244pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2803.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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304+0.24 EUR
391+0.18 EUR
443+0.16 EUR
538+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15494 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
253+0.28 EUR
317+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6346pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
317+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
98+0.74 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
250+0.5 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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51+1.42 EUR
60+1.21 EUR
71+1.02 EUR
87+0.82 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
71+1.01 EUR
97+0.74 EUR
110+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
51+1.43 EUR
58+1.25 EUR
66+1.09 EUR
100+0.95 EUR
250+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBF irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7734TRLPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL4010PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
20+3.58 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7437PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
29+2.46 EUR
39+1.83 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF irfts8342pbf.pdf
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
240+0.3 EUR
355+0.2 EUR
404+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU120NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.11 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4510PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
16+4.46 EUR
44+1.63 EUR
450+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
123+0.58 EUR
133+0.54 EUR
145+0.49 EUR
155+0.46 EUR
375+0.42 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
109+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.6 EUR
800+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
140+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b184224e4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL1004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
250+1.63 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
63+1.14 EUR
100+1.07 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
43+1.7 EUR
47+1.55 EUR
52+1.4 EUR
100+1.23 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.6 EUR
20+3.72 EUR
22+3.3 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
55+1.31 EUR
73+0.98 EUR
100+0.85 EUR
250+0.67 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3791 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
79+0.91 EUR
86+0.84 EUR
92+0.78 EUR
100+0.73 EUR
250+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
44+1.63 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
800+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.33 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
4000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
20+3.6 EUR
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
50+2.1 EUR
100+1.86 EUR
200+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
73+0.99 EUR
106+0.67 EUR
125+0.58 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8314PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLB8748PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLHS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3890 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 65mΩ
Gate charge: 10.4nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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178+0.4 EUR
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1000+0.27 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLL2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5617 Stücke:
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IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19244 Stücke:
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IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22468 Stücke:
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IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34449 Stücke:
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1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
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IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6633 Stücke:
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Anzahl Preis
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236+0.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1171 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF irlml2244pbf.pdf
IRLML2244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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239+0.3 EUR
278+0.26 EUR
432+0.17 EUR
618+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2803TRPBF irlml2803.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
275+0.26 EUR
304+0.24 EUR
391+0.18 EUR
443+0.16 EUR
538+0.13 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
248+0.29 EUR
447+0.16 EUR
667+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15494 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
358+0.2 EUR
407+0.18 EUR
481+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
253+0.28 EUR
317+0.23 EUR
355+0.2 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6346TRPBF irlml6346pbf.pdf
IRLML6346TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
239+0.3 EUR
341+0.21 EUR
397+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
258+0.28 EUR
370+0.19 EUR
430+0.17 EUR
601+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
264+0.27 EUR
432+0.17 EUR
603+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
317+0.23 EUR
481+0.15 EUR
569+0.13 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
147+0.49 EUR
182+0.39 EUR
200+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
98+0.74 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
250+0.5 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
51+1.42 EUR
60+1.21 EUR
71+1.02 EUR
87+0.82 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
71+1.01 EUR
97+0.74 EUR
110+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 2625 Stücke:
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41+1.77 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4754 Stücke:
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Anzahl Preis
112+0.64 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1080 Stücke:
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45+1.62 EUR
51+1.43 EUR
58+1.25 EUR
66+1.09 EUR
100+0.95 EUR
250+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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