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IMC301AF064XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf IMC301AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
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IMC302AF064XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf IMC302AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
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IMW120R014M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R014M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783973231b5 IMW120R014M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R020M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f IMW120R020M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a IMW120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd535b6681 IMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684 IMW120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdf712669d IMW120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 IMW120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R350M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3 IMW120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85b4a66c0466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.27 EUR
6+12.87 EUR
30+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IMW65R107M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28 EUR
10+27.86 EUR
30+27.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e IMZ120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdba796693 IMZ120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690 IMZ120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd9763668d IMZ120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd8545668a IMZ120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZ120R350M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd75376687 IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6 IMZA120R020M1H THT N channel transistors
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IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 184A
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 IMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZA65R107M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA028N04NM3SXKSA1 IPA028N04NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 356A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DBBEC73D34143&compId=IPA028N08N3G.pdf?ci_sign=0e611bcbce53c07838c65e230b9d700045a9ae45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA029N06NXKSA1 IPA029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A22A0BCC611C&compId=IPA029N06N-DTE.pdf?ci_sign=4e32dd0b737f81c4c8566e7944d7fb75b98faf4b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226031faed7f38 IPA030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99C743C5DE11C&compId=IPA032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=b6736c10eb5920ad8ce93c1b17bc3994112976c6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 288A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cf4ced66e27 IPA040N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4AC450E1A11C&compId=IPA045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=cacdf50fb45e686d4ac5b40c07270232aecea7b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 264A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA052N08NM5SXKSA1 IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99D203175811C&compId=IPA057N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=8120eafd3b66acc9439c1bdc8098043f3d669323 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
27+2.69 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4C6A3809C11C&compId=IPA057N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=58e0ece08359e4f003949840794f3e64ceaa0a08 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9AD58F7ECE11C&compId=IPA060N06N-DTE.pdf?ci_sign=de88a38c0543e10336c2f0466946c10e8480c91d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4E2EDEAF411C&compId=IPA083N10N5-DTE.pdf?ci_sign=817546629e601f5d037ddd3655bcce94dee0b121 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
23+3.1 EUR
50+1.9 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
43+1.7 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4FE93D5EE11C&compId=IPA086N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=e123d9ce3cc8a378efbf0b9a0f3f766723283fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
42+1.7 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA093N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882bf84115438 IPA093N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA105N15N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627af255d21ed IPA105N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.82 EUR
15+4.9 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA126N10NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA126N10NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d07a0046e37 IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA320N20NM3SXKSA1 IPA320N20NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 104A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.23 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDF08C2E171CC&compId=IPA50R190CE-DTE.pdf?ci_sign=e005fb1f8201a70c20ce97ed35abebd84cf20329 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R199CPXKSA1 IPA50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE94F4F51651CC&compId=IPA50R199CP-DTE.pdf?ci_sign=454170940fbb00506e16056806a3aff41185a47b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
32+2.27 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
66+1.1 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
250+0.83 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
64+1.12 EUR
70+1.04 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R399CPXKSA1 IPA50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE8B1E4535F1CC&compId=IPA50R399CP-DTE.pdf?ci_sign=42760d96673f7b515b2b7d8fe7e964159cb01c2e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.399Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMC301AF064XUMA1 IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMC301AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMC302AF064XUMA1 IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMC302AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R014M1HXKSA1 Infineon-IMW120R014M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783973231b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R014M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R020M1HXKSA1 Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R020M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R045M1XKSA1 Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b
IMW120R045M1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon-IMW120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd535b6681
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IMW120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW65R048M1HXKSA1 Infineon-IMW65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85b4a66c0466
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW65R072M1HXKSA1 Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482
IMW65R072M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.27 EUR
6+12.87 EUR
30+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696
IMZ120R030M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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3+28 EUR
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IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA120R020M1H THT N channel transistors
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IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 184A
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6
IPA028N04NM3SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 356A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA028N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DBBEC73D34143&compId=IPA028N08N3G.pdf?ci_sign=0e611bcbce53c07838c65e230b9d700045a9ae45
IPA028N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6
IPA029N06NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA029N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A22A0BCC611C&compId=IPA029N06N-DTE.pdf?ci_sign=4e32dd0b737f81c4c8566e7944d7fb75b98faf4b
IPA029N06NXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226031faed7f38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99C743C5DE11C&compId=IPA032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=b6736c10eb5920ad8ce93c1b17bc3994112976c6
IPA032N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e
IPA037N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 288A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA040N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c
IPA040N06NXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA040N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cf4ced66e27
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA040N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPA041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf
IPA041N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4AC450E1A11C&compId=IPA045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=cacdf50fb45e686d4ac5b40c07270232aecea7b0
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 264A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA052N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a
IPA052N08NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA057N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99D203175811C&compId=IPA057N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=8120eafd3b66acc9439c1bdc8098043f3d669323
IPA057N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
27+2.69 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA057N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4C6A3809C11C&compId=IPA057N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=58e0ece08359e4f003949840794f3e64ceaa0a08
IPA057N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA060N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9AD58F7ECE11C&compId=IPA060N06N-DTE.pdf?ci_sign=de88a38c0543e10336c2f0466946c10e8480c91d
IPA060N06NXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10N5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4E2EDEAF411C&compId=IPA083N10N5-DTE.pdf?ci_sign=817546629e601f5d037ddd3655bcce94dee0b121
IPA083N10N5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
23+3.1 EUR
50+1.9 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.93 EUR
43+1.7 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4FE93D5EE11C&compId=IPA086N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=e123d9ce3cc8a378efbf0b9a0f3f766723283fc7
IPA086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
42+1.7 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882bf84115438
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA093N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627af255d21ed
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA105N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.82 EUR
15+4.9 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon-IPA126N10NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d07a0046e37
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a
IPA320N20NM3SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 104A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R140CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90
IPA50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.23 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R190CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDF08C2E171CC&compId=IPA50R190CE-DTE.pdf?ci_sign=e005fb1f8201a70c20ce97ed35abebd84cf20329
IPA50R190CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R199CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE94F4F51651CC&compId=IPA50R199CP-DTE.pdf?ci_sign=454170940fbb00506e16056806a3aff41185a47b
IPA50R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde
IPA50R250CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
32+2.27 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R280CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc
IPA50R280CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
66+1.1 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
250+0.83 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
64+1.12 EUR
70+1.04 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R399CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE8B1E4535F1CC&compId=IPA50R399CP-DTE.pdf?ci_sign=42760d96673f7b515b2b7d8fe7e964159cb01c2e
IPA50R399CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.399Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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