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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R180P6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185CFD7 IPL60R185CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA79288AD9474A&compId=IPL60R185CFD7.pdf?ci_sign=df1f1430705f9786b7e98cac63b1815eb4e8f571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R199CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594377B2964B1BF&compId=IPL60R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=8b7408cd5f723bebcbd583b98198e4134795f77c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R210P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R299CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0 IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037 IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA1 IPL65R165CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R190E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R190E6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144df7870ce0c0c IPL65R190E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91BEE8C4DB1BF&compId=IPL65R195C7-DTE.pdf?ci_sign=d0defed3728ddff30a99901918b4adcfa4edc9f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R210CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144e392799a11a4 IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332 IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R420E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R420E-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b19d39c60132 IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69 IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166 IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
117+0.61 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8.4A
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 IPN60R600P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA457EA6188143&compId=IPN70R1K0CE.pdf?ci_sign=fdb6d19cf093910697e21e04ce0a35d5565b49ea Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA41A369E46143&compId=IPN70R1K5CE.pdf?ci_sign=7b64cee31104df33c4e4b91fb5a60fa891f6314b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 IPN70R360P7S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA526BEF5A6143&compId=IPN70R900P7S.pdf?ci_sign=003efb79197d315493859738eb83e97ee6904935 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c IPN80R2K4P7 SMD N channel transistors
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IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
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IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bb8556b82 IPN80R600P7 SMD N channel transistors
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IPN80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84 IPN80R750P7 SMD N channel transistors
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IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
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IPN95R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
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IPN95R3K7P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+3.55 EUR
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IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
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IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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11+6.95 EUR
12+6.26 EUR
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IPP023N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP023N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8 IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFB2551DBC11C&compId=IPP023N10N5-DTE.pdf?ci_sign=8e7b10dc9b3c7552849246161f420235e75e450c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938 IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
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11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IPP027N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6-DTE.pdf
IPL60R180P6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R185CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA79288AD9474A&compId=IPL60R185CFD7.pdf?ci_sign=df1f1430705f9786b7e98cac63b1815eb4e8f571
IPL60R185CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R1K5C6SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594377B2964B1BF&compId=IPL60R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=8b7408cd5f723bebcbd583b98198e4134795f77c
IPL60R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R210P6AUMA1 DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R285P7AUMA1 Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R2K1C6SATMA1 DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R365P7AUMA1 Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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IPL60R385CPAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3
IPL60R385CPAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R650P6SATMA1 DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1 Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R165CFDAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4
IPL65R165CFDAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IPL65R190E6AUMA1 Infineon-IPL65R190E6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144df7870ce0c0c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R190E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R195C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91BEE8C4DB1BF&compId=IPL65R195C7-DTE.pdf?ci_sign=d0defed3728ddff30a99901918b4adcfa4edc9f4
IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R1K5C6SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886
IPL65R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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IPL65R210CFDAUMA1 Infineon-IPL65R210CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144e392799a11a4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IPL65R230C7AUMA1 Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R310E6AUMA1 Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R340CFDAUMA1 Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R420E6AUMA1 Infineon-IPL65R420E-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b19d39c60132
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R460CFDAUMA1 Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R660E6AUMA1 Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
117+0.61 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8.4A
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
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IPN70R1K0CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA457EA6188143&compId=IPN70R1K0CE.pdf?ci_sign=fdb6d19cf093910697e21e04ce0a35d5565b49ea
IPN70R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPN70R1K5CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA41A369E46143&compId=IPN70R1K5CE.pdf?ci_sign=7b64cee31104df33c4e4b91fb5a60fa891f6314b
IPN70R1K5CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
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IPN70R900P7SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA526BEF5A6143&compId=IPN70R900P7S.pdf?ci_sign=003efb79197d315493859738eb83e97ee6904935
IPN70R900P7SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R2K4P7 SMD N channel transistors
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IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R3K3P7 SMD N channel transistors
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IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1 Infineon-IPN80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bb8556b82
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R600P7 SMD N channel transistors
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IPN80R750P7ATMA1 Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R750P7 SMD N channel transistors
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IPN80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304
IPN80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
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IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.95 EUR
12+6.26 EUR
15+4.80 EUR
16+4.53 EUR
250+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP023N08N5AKSA1 Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFB2551DBC11C&compId=IPP023N10N5-DTE.pdf?ci_sign=8e7b10dc9b3c7552849246161f420235e75e450c
IPP023N10N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.80 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IPP027N08N5AKSA1 Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04
IPP029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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