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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938 IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.80 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.10 EUR
33+2.23 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7 IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40 IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
22+3.40 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4561341f7d38 IPP037N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
40+1.80 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP(B,P)042N03LG.pdf IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
48+1.49 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
27+2.72 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a30432ba3fa6f012bab56ff262ff0 IPP048N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.88 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP04CN10NG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP%2CIPI052NE7N3_G.pdf IPP052NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
33+2.22 EUR
35+2.09 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
67+1.07 EUR
102+0.71 EUR
108+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.90 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7 IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9999EF799411C&compId=IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ddc8b5c50d8ccdc8bbb43e8037890313ad456b22 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP062NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2 IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.10 EUR
39+1.83 EUR
5000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.61 EUR
18+4.13 EUR
19+3.90 EUR
1000+3.88 EUR
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IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
1000+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP083N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
11+6.54 EUR
12+6.18 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.49 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IPP120N04S302AKSA1 IPP120N04S302AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA888DB63FA143&compId=IPP120N04S302.pdf?ci_sign=121255400b0b3da3e0c94e4be5980b7bba7b7b21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP12CN10L-DS-v01_03-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431b0626df011b2615b04b6fd1 IPP12CN10LGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
31+2.32 EUR
33+2.20 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.00 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
30+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP220N25NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440cad711f0178 IPP220N25NFDAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a IPP320N20N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
10+7.24 EUR
11+6.84 EUR
1000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
53+1.36 EUR
57+1.27 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R250CPXKSA1 IPP50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R250CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
27+2.75 EUR
30+2.39 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R280CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP50R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc IPP50R299CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IPP50R500CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712 IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.80 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IPP027N08N5AKSA1 Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04
IPP029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.10 EUR
33+2.23 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IPP034N03LGXKSA1 Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP034N08N5AKSA1 Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP034NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6
IPP034NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
22+3.40 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4561341f7d38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP037N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
40+1.80 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IPP040N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee
IPP040N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP041N04NGXKSA1 Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP041N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59
IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
48+1.49 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
27+2.72 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a30432ba3fa6f012bab56ff262ff0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP048N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b
IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.88 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NG.pdf
IPP04CN10NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1 Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP%2CIPI052NE7N3_G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
33+2.22 EUR
35+2.09 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
67+1.07 EUR
102+0.71 EUR
108+0.67 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.90 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP060N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9999EF799411C&compId=IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ddc8b5c50d8ccdc8bbb43e8037890313ad456b22
IPP060N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP062NE7N3GXKSA1 IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.10 EUR
39+1.83 EUR
5000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
18+4.13 EUR
19+3.90 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
1000+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5AKSA1 Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
11+6.54 EUR
12+6.18 EUR
500+5.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658
IPP110N20NAAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.49 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N04S302AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA888DB63FA143&compId=IPP120N04S302.pdf?ci_sign=121255400b0b3da3e0c94e4be5980b7bba7b7b21
IPP120N04S302AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP126N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32
IPP126N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP12CN10LGXKSA1 Infineon-IPP12CN10L-DS-v01_03-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431b0626df011b2615b04b6fd1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP12CN10LGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP147N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480
IPP147N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
31+2.32 EUR
33+2.20 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP180N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872
IPP180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3G-DTE.pdf
IPP200N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.00 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
30+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3G-DTE.pdf
IPP200N25N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP220N25NFDAKSA1 DS_IPP220N25NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440cad711f0178
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP220N25NFDAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3GXKSA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP320N20N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP410N30NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703
IPP410N30NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
10+7.24 EUR
11+6.84 EUR
1000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CP-DTE.pdf
IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
53+1.36 EUR
57+1.27 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R250CPXKSA1 IPP50R250CP-DTE.pdf
IPP50R250CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
27+2.75 EUR
30+2.39 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R280CEXKSA1 IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R299CPXKSA1 Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R299CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R500CEXKSA1 Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R520CPXKSA1 Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
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