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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
26+2.80 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
1600+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
128+0.56 EUR
144+0.50 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520nspbf.pdf IRF520NSTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
32+2.25 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
22+3.29 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
800+1.83 EUR
1600+1.82 EUR
4800+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
800+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
91+0.79 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
59+1.23 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
171+0.42 EUR
187+0.38 EUR
313+0.23 EUR
332+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
170+0.42 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
187+0.38 EUR
230+0.31 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBF IRF6215STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6215spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6216pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBF IRF6218STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6218spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -27A; 250W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -27A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
52+1.38 EUR
65+1.10 EUR
120+0.60 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
49+1.46 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6613pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6617TRPBF IRF6617TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6617pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6618TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b IRF6618TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS09305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8831d1a23 IRF6620TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6623pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8f7b31a41 IRF6636TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6641TRPBF IRF6641TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6641pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.6A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.6A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6643TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6643pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec388f1a4b IRF6643TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6644pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6646TRPBF IRF6646TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6646pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6648pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6655TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF6655%28TR%29PbF.pdf IRF6655TRPBF SMD N channel transistors
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IRF6665TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6665pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec8dcb1a62 IRF6665TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBF IRF6674TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6674pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c IRF6712STRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6714mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed04be1a80 IRF6714MTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6715mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBF IRF6716MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6716mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6726mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed61db1a98 IRF6726MTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6727mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6775mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6785mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBF IRF6795MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6795mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 160A; 75W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 160A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6797mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355eda2091aa9 IRF6797MTRPBF SMD N channel transistors
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IRF6811STRPBF IRF6811STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6811spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 74A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6894mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 54W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 54W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6898MTRPBF IRF6898MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6898mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 213A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 213A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7101TRPBF IRF7101TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7101pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.15 EUR
97+0.74 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7201TRPBF.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7205pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
208+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7240pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7241pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 41mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
72+1.00 EUR
86+0.84 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
120+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
26+2.80 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
1600+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
128+0.56 EUR
144+0.50 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBF irf520nspbf.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF520NSTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
32+2.25 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
22+3.29 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
800+1.83 EUR
1600+1.82 EUR
4800+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
800+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
91+0.79 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
59+1.23 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3004 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5802TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6215STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBF irf6216pbf.pdf
IRF6216TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBF irf6218spbf.pdf
IRF6218STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -27A; 250W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -27A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6613TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6617TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6618TRPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6620TRPBF SMD N channel transistors
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IRF6623TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6636TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6641TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.6A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.6A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6643TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6644TRPBF irf6644pbf.pdf
IRF6644TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6646TRPBF irf6646pbf.pdf
IRF6646TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf
IRF6648TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6655TRPBF IRF6655%28TR%29PbF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6655TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6665TRPBF irf6665pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec8dcb1a62
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6665TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBF irf6668pbf.pdf
IRF6668TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6674TRPBF irf6674pbf.pdf
IRF6674TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBF irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6712STRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBF irf6714mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed04be1a80
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6714MTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBF irf6715mpbf.pdf
IRF6715MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBF irf6716mpbf.pdf
IRF6716MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTRPBF irf6726mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed61db1a98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6726MTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6727MTRPBF irf6727mpbf.pdf
IRF6727MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6775MTRPBF irf6775mpbf.pdf
IRF6775MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6785MTRPBF irf6785mpbf.pdf
IRF6785MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6795MTRPBF irf6795mpbf.pdf
IRF6795MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 160A; 75W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 160A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6797MTRPBF irf6797mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355eda2091aa9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF6797MTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6811STRPBF irf6811spbf.pdf
IRF6811STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 74A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6894MTRPBF irf6894mpbf.pdf
IRF6894MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 54W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 54W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6898MTRPBF irf6898mpbf.pdf
IRF6898MTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 213A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 213A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7101TRPBF irf7101pbf.pdf
IRF7101TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
97+0.74 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf
IRF7104TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBF description IRF7201TRPBF.pdf
IRF7201TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF description irf7205pbf.pdf
IRF7205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
208+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7240TRPBF irf7240pbf.pdf
IRF7240TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF description irf7241pbf.pdf
IRF7241TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 41mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
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