Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148731) > Seite 1285 nach 2479
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFH5053TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFH5110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5210TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5250DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5250TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5300TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5302DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 29A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5302TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5304TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5406TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH6200TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7004TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFH7084TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 92nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3477 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFH7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7545TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFH7914TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7921TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFH7934TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8201TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 324A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 280A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8307TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8311TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFH8321TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFH8324TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 23A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8325TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH8330TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; 3.3W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17A Power dissipation: 3.3W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFHM830TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Case: PQFN3.3X3.3 Kind of package: reel Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFHM8326TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFHM8329TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFHM9331TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFHS8242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFHS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFHS9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Case: PQFN2X2 Kind of package: reel Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFHS9351TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFI1310NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 19A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 47W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1024 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1849 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFI540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFIZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 13A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFIZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 43.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFL024ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFL4105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.7A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFL4315TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.6A Power dissipation: 2.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFML8244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP054NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 94W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFH5053TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5110TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFH5210TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5215TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5250DTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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IRFH5250TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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Kind of channel: enhancement
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Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5300TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Case: PQFN5X6
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFH5301TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
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Kind of package: reel
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Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
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Drain current: 35A
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
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Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
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Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5302DTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
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Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFH5302TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFH5304TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFH5406TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH6200TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7004TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7084TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7110TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
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Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7440TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.30 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.26 EUR |
IRFH7446TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 65nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 65nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7545TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7545TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7545TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7914TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7921TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH7934TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8201TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8303TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8307TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8311TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
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Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8316TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8321TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8324TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
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Case: PQFN5X6
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Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8325TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH8330TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; 3.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; 3.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFH9310TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
250+ | 1.07 EUR |
IRFHM830TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHM8326TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHM8329TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM8329TRPBF SMD N channel transistors
IRFHM8329TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHM9331TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 0.88 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
8000+ | 0.33 EUR |
IRFHS8242TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHS8342TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS8342TRPBF SMD N channel transistors
IRFHS8342TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHS9301TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFI1310NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.20 EUR |
31+ | 2.35 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
100+ | 2.19 EUR |
250+ | 2.13 EUR |
IRFI4229PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFI4321PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFI4410ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.07 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
50+ | 2.20 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
IRFI530NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
65+ | 1.11 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
IRFI540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.89 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
4000+ | 0.87 EUR |
IRFIZ24NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.79 EUR |
IRFIZ44NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.19 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFL4105TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
179+ | 0.40 EUR |
IRFL4310TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFL4315TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFML8244TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
230+ | 0.31 EUR |
334+ | 0.21 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
650+ | 0.11 EUR |
685+ | 0.10 EUR |
IRFP054NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.89 EUR |
39+ | 1.84 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
400+ | 1.67 EUR |
IRFP064NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
IRFP1405PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.48 EUR |
18+ | 4.00 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
IRFP140NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.13 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
625+ | 1.02 EUR |