Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149886) > Seite 1290 nach 2499
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF7946TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF8010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 81nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF8010STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF8113TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 135A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8301MTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF8313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF8707TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.1A On-state resistance: 17.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 88A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF8714TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF8721TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8734TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3096 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF8736TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF8788TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF8915TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9317TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain current: -16A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9321TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9328TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9332TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9335TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9358TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9362TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF9389TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-4.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27/64mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.3A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 38.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9530NSTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO262 Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 64.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A On-state resistance: 0.117Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF9910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9952TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3.5/-2.3A On-state resistance: 0.1/0.25Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF9956TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 12.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFB3006GPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFB3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3206GPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3207ZGPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3307ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 56nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3806PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB38N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4020PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 100W Gate charge: 18nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFB4115PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4137PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 38A Power dissipation: 341W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7910TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7910TRPBF Multi channel transistors
IRF7910TRPBF Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7946TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7946TRPBF SMD N channel transistors
IRF7946TRPBF SMD N channel transistors
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IRF8010PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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35+ | 2.04 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF8010STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8113TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF8301MTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8301MTRPBF SMD N channel transistors
IRF8301MTRPBF SMD N channel transistors
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IRF8313TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8313TRPBF Multi channel transistors
IRF8313TRPBF Multi channel transistors
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IRF8707TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 17.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 88A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 17.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 88A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF8714TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8714TRPBF SMD N channel transistors
IRF8714TRPBF SMD N channel transistors
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IRF8721TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF8734TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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55+ | 1.32 EUR |
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2000+ | 0.44 EUR |
IRF8736TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF8788TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF8910TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8910TRPBF Multi channel transistors
IRF8910TRPBF Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRF8915TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8915TRPBF Multi channel transistors
IRF8915TRPBF Multi channel transistors
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IRF9310TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9317TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain current: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain current: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9321TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9328TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9328TRPBF SMD P channel transistors
IRF9328TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9332TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9332TRPBF SMD P channel transistors
IRF9332TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9335TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9335TRPBF SMD P channel transistors
IRF9335TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9358TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9358TRPBF SMD P channel transistors
IRF9358TRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9362TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9389TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
209+ | 0.34 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
500+ | 0.31 EUR |
IRF9393TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
112+ | 0.64 EUR |
123+ | 0.58 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
241+ | 0.30 EUR |
500+ | 0.29 EUR |
IRF9410TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9410TRPBF SMD N channel transistors
IRF9410TRPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRF9530NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.66 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
78+ | 0.93 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
IRF9530NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9530NSTRRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.00 EUR |
43+ | 1.70 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
1000+ | 1.54 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.89 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.74 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9910TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9910TRPBF Multi channel transistors
IRF9910TRPBF Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9952TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9956TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9956TRPBF Multi channel transistors
IRF9956TRPBF Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 12.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 12.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
186+ | 0.38 EUR |
10000+ | 0.37 EUR |
IRF9Z24NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
119+ | 0.60 EUR |
2000+ | 0.41 EUR |
IRFB260NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB260NPBF THT N channel transistors
IRFB260NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
2000+ | 1.80 EUR |
IRFB3004PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3004PBF THT N channel transistors
IRFB3004PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB3006GPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3006GPBF THT N channel transistors
IRFB3006GPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB3006PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
50+ | 2.77 EUR |
IRFB3077PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.17 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.52 EUR |
IRFB3206GPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
31+ | 2.30 EUR |
IRFB3206PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
40+ | 1.79 EUR |
2000+ | 1.06 EUR |
IRFB3207PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.85 EUR |
17+ | 4.36 EUR |
22+ | 3.33 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
IRFB3207ZGPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB3207ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
100+ | 2.22 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
IRFB3306PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
IRFB3307PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3307PBF THT N channel transistors
IRFB3307PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.27 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
IRFB3307ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 5.96 EUR |
32+ | 2.23 EUR |
1000+ | 1.33 EUR |
IRFB3607PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
2000+ | 0.61 EUR |
IRFB3806PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3806PBF THT N channel transistors
IRFB3806PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.56 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.40 EUR |
2000+ | 1.36 EUR |
IRFB4019PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.20 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
52+ | 1.37 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
IRFB4020PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.82 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
IRFB4110PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFB4115PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.65 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
100+ | 2.55 EUR |
IRFB4127PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.17 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
100+ | 1.36 EUR |
IRFB4137PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.25 EUR |
23+ | 3.10 EUR |
50+ | 2.62 EUR |