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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP60R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74 IPP60R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2 IPP60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R950C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb IPP60R950C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R045C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff IPP65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281 IPP65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334 IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPP65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375 IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95141AB8871BF&compId=IPP65R190C6-DTE.pdf?ci_sign=5a64bab8fdcced60a48f5765d43e2e4394489f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R190E6XKSA1 IPP65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95C9A710011BF&compId=IPP65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7f819fdf24e47db7bb7e5f302ad1ab4224b75ce2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105 IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R280E6XKSA1 IPP65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBB9516FC6EB1BF&compId=IPP65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab13db9f0175355a47c6d021969fb1b2df7d6eb9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBABF36974B8143&compId=IPP77N06S212.pdf?ci_sign=24ff1ea1f6377a34087862481ddde2c624bbbf64 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 158W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP80N06S2H5AKSA2 IPP80N06S2H5AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPx80N06S2-H5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
150+1.33 EUR
200+1.32 EUR
750+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e3d89cfa175f IPP80R280P7 THT N channel transistors
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IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53 IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R600P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06 IPP80R600P7 THT N channel transistors
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IPP80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08a45848f2 IPP80R750P7 THT N channel transistors
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IPP90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K4C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBA51D4BF4B1BF&compId=IPS65R1K5CE-DTE.pdf?ci_sign=30fbeefba4c07b836933a1b13b6f5fa7d3894ea8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Case: IPAK SL
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
196+0.37 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R400CEAKMA1 IPS65R400CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB13753C9BC143&compId=IPS65R400CE.pdf?ci_sign=89d41fbcb329af3efc09b72506724097e03e3ec8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; 118W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 118W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS65R950C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1 IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
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IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB41888EDB0143&compId=IPS70R360P7S.pdf?ci_sign=7e11cc65c221ebcf878ecdb01d4217297052c125 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394 IPS80R600P7 THT N channel transistors
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IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 IPT029N08N5 SMD N channel transistors
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IPT60R022S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CD7E4FD4A2CA0C4&compId=IPT60R022S7XTMA1.pdf?ci_sign=7bbbf87328df005f00cd976fdcd71ce1f64b8e2e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPU50R1K4CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R1K4CE.2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors
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IPU80R1K0CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 85
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IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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auf Bestellung 1204 Stücke:
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58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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auf Bestellung 1422 Stücke:
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43+1.7 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
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auf Bestellung 7 Stücke:
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7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
65+1.11 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
96+0.75 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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IPU95R450P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893 IPU95R450P7 THT N channel transistors
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IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA7A7AA8BC143&compId=IPU95R750P7.pdf?ci_sign=472403093c92524bad78203a01b30d3031a576e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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IPW50R280CEFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R600E6XKSA1 Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R950C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R065C7XKSA1 Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R095C7XKSA1 Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB944D4022D91BF&compId=IPP65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=59108e7d9ce3a0b6f5caf391c2a545255e688e7a
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA1 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95141AB8871BF&compId=IPP65R190C6-DTE.pdf?ci_sign=5a64bab8fdcced60a48f5765d43e2e4394489f2f
IPP65R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB95C9A710011BF&compId=IPP65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7f819fdf24e47db7bb7e5f302ad1ab4224b75ce2
IPP65R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R225C7XKSA1 DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBB9516FC6EB1BF&compId=IPP65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab13db9f0175355a47c6d021969fb1b2df7d6eb9
IPP65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPP77N06S212AKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBABF36974B8143&compId=IPP77N06S212.pdf?ci_sign=24ff1ea1f6377a34087862481ddde2c624bbbf64
IPP77N06S212AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 158W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP80N06S2H5AKSA2 IPx80N06S2-H5.pdf
IPP80N06S2H5AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP80R1K2P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e
IPP80R1K2P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
150+1.33 EUR
200+1.32 EUR
750+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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IPP80R280P7 THT N channel transistors
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IPP80R360P7XKSA1 Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53
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IPP80R750P7 THT N channel transistors
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IPP90R340C3XKSA1 Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14
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IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K4C6AKMA1 DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K5CEAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBA51D4BF4B1BF&compId=IPS65R1K5CE-DTE.pdf?ci_sign=30fbeefba4c07b836933a1b13b6f5fa7d3894ea8
IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Case: IPAK SL
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
196+0.37 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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IPS65R400CEAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB13753C9BC143&compId=IPS65R400CE.pdf?ci_sign=89d41fbcb329af3efc09b72506724097e03e3ec8
IPS65R400CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; 118W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 118W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS65R950C6AKMA1 DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
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IPS70R360P7SAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB41888EDB0143&compId=IPS70R360P7S.pdf?ci_sign=7e11cc65c221ebcf878ecdb01d4217297052c125
IPS70R360P7SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS80R600P7AKMA1 Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS80R600P7 THT N channel transistors
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IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
IPS80R900P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
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IPT004N03LATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786
IPT004N03LATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT015N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f
IPT020N10N3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1 Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT029N08N5 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT059N15N3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT210N25NFDATMA1 Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R022S7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CD7E4FD4A2CA0C4&compId=IPT60R022S7XTMA1.pdf?ci_sign=7bbbf87328df005f00cd976fdcd71ce1f64b8e2e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT60R040S7XTMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1 Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
IPT60R065S7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU50R1K4CEBKMA1 IPx50R1K4CE.2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K2P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c
IPU80R1K2P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K0P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R3K3P7AKMA1 Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R600P7AKMA1 Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R600P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R750P7AKMA1 Infineon-IPU80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9f69e1187
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R750P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R900P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9
IPU80R900P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
65+1.11 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
96+0.75 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R450P7AKMA1 Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R450P7 THT N channel transistors
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IPU95R750P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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