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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
53+1.37 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS09279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFB4228PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
1000+2.27 EUR
2000+2.20 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.20 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
33+2.19 EUR
35+2.06 EUR
2000+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
2000+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.30 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
42+1.72 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A68F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=a2eb2dffb8f0130fe236daaa55b1a2a68f3cccae description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
70+1.03 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
48+1.50 EUR
67+1.07 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.32 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
28+2.60 EUR
30+2.42 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
36+1.99 EUR
37+1.93 EUR
500+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 26nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
49+1.49 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.00 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
500+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.75 EUR
17+4.26 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.35 EUR
29+2.49 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAA67076835EA&compId=IRFB7437PBF.pdf?ci_sign=b3843ba8ed4017c3b389d86bb5aa3a62671a2a3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
46+1.56 EUR
250+0.94 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
61+1.17 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6856A8A3EC1EC&compId=irfs7534pbf.pdf?ci_sign=58374929d2da0655e279f40bd664245c1c9d1a2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
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IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7546PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619ea0e1e68 IRFB7546PBF THT N channel transistors
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFB7734PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 IRFB7734PBF THT N channel transistors
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IRFH3702TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76 IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4210DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0000571863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh4210dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a4e871e80 IRFH4210DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B2F08978C0BD61EC&compId=irfh4234pbf.pdf?ci_sign=95709b25779a1ca2b7065525af8bb5dc0ea0c9db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
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IRFH4251DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c IRFH4251DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5004TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a9d131e94 IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5006TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96 IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5007TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98 IRFH5007TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5020TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e IRFH5020TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5025TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0 IRFH5025TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5053TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B5CDDD6CADF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5110pbf.pdf?ci_sign=b0431d386322e9a787eacbded2ffc698b5b0504f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5210TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 IRFH5210TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 IRFH5215TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B69F73CEC8F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250dpbf.pdf?ci_sign=67286b03f8495111b6935f0dc7a1d7f61db34ce8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6BCA3E4D2F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250pbf.pdf?ci_sign=c6bcf5bec11fd72e95d8b9f2ed53f6c2dd09f369 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B71727F19FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5301pbf.pdf?ci_sign=69f6e6f9e392415bb914073c39b2b8b923255e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B7349604E7F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302dpbf.pdf?ci_sign=778d1e41cc6ae612b54c507919fb9ae33e6c8a87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B8DB432F7FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5304pbf.pdf?ci_sign=079e791adf6bc18ca27c2f430c26034f8cc54991 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5406TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece IRFH5406TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH6200TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 IRFH6200TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7004TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2 IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB7F1D55815EA&compId=IRFH7084TRPBF.pdf?ci_sign=4088043b4ac252e329b7fa435263384b9d251a79 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB9C6F703D5EA&compId=IRFH7110TRPBF.pdf?ci_sign=c66b2d50f8a627ad6e7e7a642b848a73f86c80c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
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IRFB4228PBF IRSDS09279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4228PBF THT N channel transistors
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IRFB4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6
IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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17+4.36 EUR
33+2.19 EUR
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IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
18+3.98 EUR
32+2.25 EUR
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IRFB4332PbF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
22+3.30 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
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IRFB4410PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f
IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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31+2.35 EUR
42+1.72 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
250+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A68F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=a2eb2dffb8f0130fe236daaa55b1a2a68f3cccae
IRFB4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
70+1.03 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194
IRFB4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
48+1.50 EUR
67+1.07 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.32 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
28+2.60 EUR
30+2.42 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
36+1.99 EUR
37+1.93 EUR
500+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93
IRFB5615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 26nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
49+1.49 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9
IRFB5620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.00 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
500+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e
IRFB7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.75 EUR
17+4.26 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14
IRFB7434PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.35 EUR
29+2.49 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAA67076835EA&compId=IRFB7437PBF.pdf?ci_sign=b3843ba8ed4017c3b389d86bb5aa3a62671a2a3e
IRFB7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
46+1.56 EUR
250+0.94 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8
IRFB7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7446PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e
IRFB7446PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67
IRFB7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
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32+2.26 EUR
35+2.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7534PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6856A8A3EC1EC&compId=irfs7534pbf.pdf?ci_sign=58374929d2da0655e279f40bd664245c1c9d1a2d
IRFB7534PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7537PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081
IRFB7537PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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40+1.79 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
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Anzahl Preis
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63+1.14 EUR
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101+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
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99+0.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7546PBF irfb7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619ea0e1e68
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7546PBF THT N channel transistors
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90+0.80 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd
IRFB7730PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.56 EUR
18+4.10 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBF irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7734PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBF irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBF IRSD-S-A0000571863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh4210dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a4e871e80
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4210DTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4234TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B2F08978C0BD61EC&compId=irfh4234pbf.pdf?ci_sign=95709b25779a1ca2b7065525af8bb5dc0ea0c9db
IRFH4234TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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239+0.30 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4251DTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5004TRPBF irfh5004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a9d131e94
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5006TRPBF irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5007TRPBF irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5007TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5010TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509
IRFH5010TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5015TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1
IRFH5015TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5020TRPBF irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5020TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5025TRPBF irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5025TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B5CDDD6CADF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5110pbf.pdf?ci_sign=b0431d386322e9a787eacbded2ffc698b5b0504f
IRFH5110TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5210TRPBF irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5210TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5215TRPBF irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5215TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B69F73CEC8F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250dpbf.pdf?ci_sign=67286b03f8495111b6935f0dc7a1d7f61db34ce8
IRFH5250DTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6BCA3E4D2F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250pbf.pdf?ci_sign=c6bcf5bec11fd72e95d8b9f2ed53f6c2dd09f369
IRFH5250TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5300TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47
IRFH5300TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5301TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B71727F19FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5301pbf.pdf?ci_sign=69f6e6f9e392415bb914073c39b2b8b923255e3a
IRFH5301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5302DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B7349604E7F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302dpbf.pdf?ci_sign=778d1e41cc6ae612b54c507919fb9ae33e6c8a87
IRFH5302DTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5302TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544
IRFH5302TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5304TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B8DB432F7FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5304pbf.pdf?ci_sign=079e791adf6bc18ca27c2f430c26034f8cc54991
IRFH5304TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5406TRPBF irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5406TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBF irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH6200TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBF irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB7F1D55815EA&compId=IRFH7084TRPBF.pdf?ci_sign=4088043b4ac252e329b7fa435263384b9d251a79
IRFH7084TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH7110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB9C6F703D5EA&compId=IRFH7110TRPBF.pdf?ci_sign=c66b2d50f8a627ad6e7e7a642b848a73f86c80c4
IRFH7110TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7440TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6
IRFH7440TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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46+1.59 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IRFH7446TRPBF irfh7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f17701eef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7446TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7545TRPBF irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7545TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7914TRPBF SMD N channel transistors
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