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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S5-5R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA68F77C56274A&compId=IPC50N04S55R8.pdf?ci_sign=4e78ae42cfa7aad0122f5bfeac8190ff8fcdfe0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA6CF91F1D874A&compId=IPC50N04S5L5R5.pdf?ci_sign=1d6d2eafe0b44b0e8b4dea3dafc893e900568faf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC90N04S5-3R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC90N04S5L-3R3 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
75+0.96 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
31+2.32 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699276DED30A11C&compId=IPD038N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=bd1362c96028dc62407e059fda18143201d9fbe8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
76+0.94 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD042P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
79+0.91 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f IPD053N06NATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
105+0.69 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
153+0.47 EUR
164+0.44 EUR
178+0.4 EUR
191+0.38 EUR
196+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
94+0.76 EUR
101+0.71 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d IPD110N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE3C6D9A9811C&compId=IPD12CN10NG-DTE.pdf?ci_sign=0d8e8162afb7cbafb80d8d63fdd14464e9327014 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
34+2.13 EUR
43+1.7 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
100+1.17 EUR
200+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
146+0.49 EUR
159+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be IPD200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa IPD25CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA42B2206632143&compId=IPD26N06S2L35.pdf?ci_sign=136ef879288429b5d3d02173ab4367d056d8d3d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t IPD30N03S4L09 SMD N channel transistors
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IPD30N08S222ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t IPD30N08S222 SMD N channel transistors
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IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t IPD30N08S2L21ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N10S3L_34-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956&ack=t IPD30N10S3L34ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD33CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
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IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 140A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 IPD50N04S408ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t IPD50N04S4L08ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t IPD50P03P4L11ATMA1 SMD P channel transistors
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IPD50P04P413ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t IPD50P04P413ATMA1 SMD P channel transistors
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD50R399CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 IPD50R399CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R399CPBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R399CP.pdf IPD50R399CPBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.7nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 4.8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 57W
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD50R520CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R520CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed1dc7e86130d IPD50R520CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R520CPBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R520CP.pdf IPD50R520CPBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 IPD50R950CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD5N25S3430ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD5N25S3_430-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9379d03b0148 IPD5N25S3430ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R170CFD7 SMD N channel transistors
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef IPD60R1K0PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 IPD60R1K5PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280CFD7 SMD N channel transistors
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IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 IPD60R280P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPC100N04S5L-1R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-1R9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-2R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
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IPC50N04S5-5R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA68F77C56274A&compId=IPC50N04S55R8.pdf?ci_sign=4e78ae42cfa7aad0122f5bfeac8190ff8fcdfe0c
IPC50N04S5-5R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC50N04S5L-5R5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA6CF91F1D874A&compId=IPC50N04S5L5R5.pdf?ci_sign=1d6d2eafe0b44b0e8b4dea3dafc893e900568faf
IPC50N04S5L-5R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPC70N04S5-4R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPC70N04S5L-4R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPC90N04S5-3R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPC90N04S5L-3R3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
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IPD025N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
75+0.96 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IPD031N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df
IPD031N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
31+2.32 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 888 Stücke:
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IPD038N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699276DED30A11C&compId=IPD038N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=bd1362c96028dc62407e059fda18143201d9fbe8
IPD038N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2678 Stücke:
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49+1.49 EUR
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2500+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
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IPD042P03L3GATMA1 Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors
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IPD050N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1641 Stücke:
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Anzahl Preis
73+0.99 EUR
79+0.91 EUR
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD053N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2469 Stücke:
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Anzahl Preis
85+0.84 EUR
105+0.69 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2455 Stücke:
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Anzahl Preis
132+0.54 EUR
153+0.47 EUR
164+0.44 EUR
178+0.4 EUR
191+0.38 EUR
196+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
94+0.76 EUR
101+0.71 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD110N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE3C6D9A9811C&compId=IPD12CN10NG-DTE.pdf?ci_sign=0d8e8162afb7cbafb80d8d63fdd14464e9327014
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
34+2.13 EUR
43+1.7 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
100+1.17 EUR
200+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
146+0.49 EUR
159+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD200N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25CN10NGATMA1 Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD25CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD26N06S2L35ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA42B2206632143&compId=IPD26N06S2L35.pdf?ci_sign=136ef879288429b5d3d02173ab4367d056d8d3d7
IPD26N06S2L35ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N03S4L09 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N08S222ATMA1 Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N08S222 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N08S2L21ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon-IPD30N10S3L_34-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N10S3L34ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 140A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50N04S408ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50N04S4L08ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
89+0.81 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P03P4L11ATMA1 SMD P channel transistors
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IPD50P04P413ATMA1 Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P413ATMA1 SMD P channel transistors
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IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD50R399CPATMA1 Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R399CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R399CPBTMA1 IPD50R399CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R399CPBTMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R500CEAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d
IPD50R500CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.7nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 4.8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 57W
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD50R520CPATMA1 Infineon-IPD50R520CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed1dc7e86130d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R520CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPD50R520CPBTMA1 IPD50R520CP.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IPD50R950CEATMA1 Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R950CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPD5N25S3430ATMA1 Infineon-IPD5N25S3_430-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9379d03b0148
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD5N25S3430ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R170CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R170CFD7 SMD N channel transistors
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R1K0PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R1K5PFD7S SMD N channel transistors
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IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R280CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R280CFD7 SMD N channel transistors
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IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R280P7 SMD N channel transistors
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