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IPI530N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.7 EUR
17+4.2 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093 IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a42d44b7273a IPI60R280C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494 IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPI65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304330046413013007e55bcb3d6b IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB906C5082651BF&compId=IPI65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab4d2af273f515dc14f003738d2594d1c4a055b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB90A4F17E251BF&compId=IPI65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=f007af3a5f24dfc285ce3d7c33a1efe79db57adb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60 IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5FF19D30D51A0D3&compId=IPI80N06S407AKSA2.pdf?ci_sign=728a6f37078e3c0f6d73df921d81cf7ae1675834 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
37+1.96 EUR
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
84+0.86 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R075CFD7 SMD N channel transistors
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IPL60R085P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681931E647433D6&compId=IPL60R125P7.pdf?ci_sign=e88d00a5cf9726cc0ab8f3c774f6e3a1ab8eb8bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943E2926E171BF&compId=IPL60R180P6-DTE.pdf?ci_sign=b02e3d2644dbb3042eedeef7a41556e3d673dce5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R185CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
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IPL60R199CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943FAFC1BA31BF&compId=IPL60R210P6-DTE.pdf?ci_sign=70b7c61721ca635f208a3356fe60a8b0ced81461 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R285P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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IPL60R299CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R365P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0 IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R650P6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037 IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R070C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R165CFDAUMA1 IPL65R165CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 195W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-VSON-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Case: PG-VSON-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69 IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166 IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
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IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
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IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 IPN60R600P7S SMD N channel transistors
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IPI530N15N3GXKSA1 IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R099CPXKSA1 IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85
IPI60R125CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
17+4.2 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IPI60R250CPAKSA1 IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a42d44b7273a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R280C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R380C6XKSA1 IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R110CFDXKSA1 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304330046413013007e55bcb3d6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190CFDXKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R280C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0
IPI65R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB906C5082651BF&compId=IPI65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ab4d2af273f515dc14f003738d2594d1c4a055b3
IPI65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB90A4F17E251BF&compId=IPI65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=f007af3a5f24dfc285ce3d7c33a1efe79db57adb
IPI65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPI65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI80N06S407AKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5FF19D30D51A0D3&compId=IPI80N06S407AKSA2.pdf?ci_sign=728a6f37078e3c0f6d73df921d81cf7ae1675834
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
36+2.02 EUR
37+1.96 EUR
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPI90R800C3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC57FDD6B9C4FA8&compId=IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=c85ceeb339f596a4d154c0a214d80d7732e29408
IPI90R800C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
84+0.86 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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IPL60R065P7AUMA1 Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R075CFD7 SMD N channel transistors
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IPL60R085P7AUMA1 Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89681931E647433D6&compId=IPL60R125P7.pdf?ci_sign=e88d00a5cf9726cc0ab8f3c774f6e3a1ab8eb8bc
IPL60R125P7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943E2926E171BF&compId=IPL60R180P6-DTE.pdf?ci_sign=b02e3d2644dbb3042eedeef7a41556e3d673dce5
IPL60R180P6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R1K5C6SATMA1 DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R210P6AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943FAFC1BA31BF&compId=IPL60R210P6-DTE.pdf?ci_sign=70b7c61721ca635f208a3356fe60a8b0ced81461
IPL60R210P6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R285P7AUMA1 Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R2K1C6SATMA1 DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1 Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1 DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB914862BA111BF&compId=IPL65R099C7-DTE.pdf?ci_sign=6b815f4bb7536f080aad6f5d4850b9f64b26de1b
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1 Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4
IPL65R165CFDAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 195W
Technology: CoolMOS™
Case: PG-VSON-4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R190E6AUMA1 Infineon-IPL65R190E6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144df7870ce0c0c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R190E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1 Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R195C7AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886
IPL65R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Case: PG-VSON-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R210CFDAUMA1 Infineon-IPL65R210CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144e392799a11a4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1 Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R310E6AUMA1 Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1 Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R420E6AUMA1 Infineon-IPL65R420E-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b19d39c60132
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R660E6AUMA1 Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R800CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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