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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFH7921TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7921PBF.pdf description IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7934TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS18831-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFH7934TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8201TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a IRFH8201TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8303TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8307TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 IRFH8311TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8316PBF.pdf IRFH8316TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8321TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8330pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fc2dc1f1f IRFH8330TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BAE9CF58A4F1A303005056AB0C4F&compId=irfh9310pbf.pdf?ci_sign=48812bd2ff057ffc8ba4f95f0f18c126be688947 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
48+1.52 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8326TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
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IRFHM8329TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm8329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356234f3d1f4d IRFHM8329TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BBF9CE5E22F1A303005056AB0C4F&compId=irfhm9331pbf.pdf?ci_sign=8cc3c5ff5376bc1ed9debc3ee244e7b25088f040 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
203+0.35 EUR
215+0.33 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f IRFHS8342TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
35+2.10 EUR
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.20 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
100+2.19 EUR
250+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BCFC8A0360F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4229pbf.pdf?ci_sign=699c0e908f3c6258718e35df6f7280386d6cc0c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
26+2.82 EUR
30+2.43 EUR
32+2.30 EUR
100+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
32+2.27 EUR
33+2.20 EUR
34+2.14 EUR
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
65+1.11 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA2CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi540n.pdf?ci_sign=a8e11751173571fb7cd4435d05e530054609bd50 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
48+1.50 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA3AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz24n.pdf?ci_sign=ea6efa5688af3fcfb95c043bff4479f4f56c09fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz44n.pdf?ci_sign=c1a240674b51848f6a75be41ec7304403b6acc63 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
48+1.50 EUR
96+0.75 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD84F5CA48F1A303005056AB0C4F&compId=irfl024npbf.pdf?ci_sign=82149718abf7d65abc0cc3f966ed8e67d81b09e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
110+0.65 EUR
129+0.56 EUR
169+0.42 EUR
179+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4315pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
388+0.18 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.88 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
400+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
31+2.33 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
18+4.00 EUR
24+3.07 EUR
25+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
44+1.63 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
625+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.60 EUR
35+2.06 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
34+2.13 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
400+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
27+2.72 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
100+1.77 EUR
400+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
16+4.66 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.75 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
2800+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3306pbf.pdf?ci_sign=1f8fb5e0a84f430f9c9d6471d61ba587046f7b3c description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.40 EUR
24+2.97 EUR
2800+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
100+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.90 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
100+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562905f41ffc description IRFP4004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
18+4.12 EUR
19+3.90 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.66 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535629208b2002 IRFP4137PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008 IRFP4229PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
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11+6.51 EUR
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IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
25+2.86 EUR
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IRFH7921TRPBF description IRFH7921PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH7934TRPBF IRSDS18831-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7934TRPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH8201TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF.pdf
IRFH8303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF.pdf
IRFH8307TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH8311TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8316TRPBF IRFH8316PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH8316TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF.pdf
IRFH8321TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf
IRFH8324TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBF irfh8325pbf.pdf
IRFH8325TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBF irfh8330pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fc2dc1f1f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH8330TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BAE9CF58A4F1A303005056AB0C4F&compId=irfh9310pbf.pdf?ci_sign=48812bd2ff057ffc8ba4f95f0f18c126be688947
IRFH9310TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
48+1.52 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFHM8326TRPBF irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
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IRFHM8329TRPBF irfhm8329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356234f3d1f4d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM8329TRPBF SMD N channel transistors
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IRFHM9331TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BBF9CE5E22F1A303005056AB0C4F&compId=irfhm9331pbf.pdf?ci_sign=8cc3c5ff5376bc1ed9debc3ee244e7b25088f040
IRFHM9331TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
203+0.35 EUR
215+0.33 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBF irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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IRFHS8342TRPBF irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS8342TRPBF SMD N channel transistors
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IRFHS9301TRPBF irfhs9301pbf.pdf
IRFHS9301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52
IRFI1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
35+2.10 EUR
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.20 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
100+2.19 EUR
250+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BCFC8A0360F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4229pbf.pdf?ci_sign=699c0e908f3c6258718e35df6f7280386d6cc0c8
IRFI4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1
IRFI4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
26+2.82 EUR
30+2.43 EUR
32+2.30 EUR
100+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2
IRFI4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
32+2.27 EUR
33+2.20 EUR
34+2.14 EUR
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817
IRFI530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
65+1.11 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA2CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi540n.pdf?ci_sign=a8e11751173571fb7cd4435d05e530054609bd50
IRFI540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
48+1.50 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA3AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz24n.pdf?ci_sign=ea6efa5688af3fcfb95c043bff4479f4f56c09fc
IRFIZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz44n.pdf?ci_sign=c1a240674b51848f6a75be41ec7304403b6acc63
IRFIZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
48+1.50 EUR
96+0.75 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024NTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD84F5CA48F1A303005056AB0C4F&compId=irfl024npbf.pdf?ci_sign=82149718abf7d65abc0cc3f966ed8e67d81b09e0
IRFL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2
IRFL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
110+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262
IRFL4310TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBF irfl4315pbf.pdf
IRFL4315TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef
IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
388+0.18 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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19+3.88 EUR
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42+1.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa
IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
31+2.33 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4
IRFP1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4.00 EUR
24+3.07 EUR
25+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045
IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
44+1.63 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
625+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee
IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.60 EUR
35+2.06 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
34+2.13 EUR
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
400+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
27+2.72 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
100+1.77 EUR
400+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
16+4.66 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.75 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
2800+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09
IRFP3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3306pbf.pdf?ci_sign=1f8fb5e0a84f430f9c9d6471d61ba587046f7b3c
IRFP3306PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.40 EUR
24+2.97 EUR
2800+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
100+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.90 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
100+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4004PBF description irfp4004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562905f41ffc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
18+4.12 EUR
19+3.90 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b
IRFP4110PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.66 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP4137PBF irfp4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535629208b2002
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4137PBF THT N channel transistors
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IRFP4227PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6
IRFP4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4229PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
14+5.11 EUR
50+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF irfp4310zpbf.pdf
IRFP4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
25+2.86 EUR
100+2.60 EUR
2000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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