Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149884) > Seite 1295 nach 2499

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1296 1297 1298 1299 1300 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFSL7430PBF IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
37+1.93 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+1.22 EUR
68+1.06 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
180+0.40 EUR
360+0.20 EUR
382+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
184+0.39 EUR
230+0.31 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
104+0.69 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
525+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.31 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
150+1.00 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4 description IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
150+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
116+0.62 EUR
190+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
179+0.40 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206 description IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208 IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.30 EUR
97+0.74 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
18+3.98 EUR
48+1.49 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219 IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
35+2.04 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
45+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
62+1.17 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337 IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf description IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4066DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
39+1.87 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e IRL100HS121 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF IRL2505PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
35+2.04 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
2000+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2910STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
49+1.47 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296
IRFSL7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
37+1.93 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
IRFSL7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
59+1.22 EUR
68+1.06 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
180+0.40 EUR
360+0.20 EUR
382+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742
IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
184+0.39 EUR
230+0.31 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
104+0.69 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
525+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.31 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
150+1.00 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
150+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
116+0.62 EUR
190+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
179+0.40 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF description irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.30 EUR
97+0.74 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZPBF IRSDS11304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
18+3.98 EUR
48+1.49 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
35+2.04 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZSTRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d
IRFZ44ZSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
17+4.20 EUR
45+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
62+1.17 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC30WPBF IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d
IRG4PH20KPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10KDTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79
IRG4RC10KDTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10UDPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH35UD-EP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0
IRG7PH35UD-EP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251
IRG7PH44K10D-EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB6B60KDPBF description IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF.pdf
IRGP4066DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4263DPBF IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGS6B60KDTRLP IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf
IRL1004PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
39+1.87 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2203NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8
IRL2203NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7
IRL2505PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
35+2.04 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
2000+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e
IRL3103STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
49+1.47 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1296 1297 1298 1299 1300 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Nächste Seite >> ]