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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
158+0.45 EUR
169+0.42 EUR
180+0.4 EUR
186+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDFD0C09EFF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4315pbf.pdf?ci_sign=8964934cac05ad8809fafbd0c19edf4cb7c5ebfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
239+0.3 EUR
319+0.22 EUR
368+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
400+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+2.32 EUR
33+2.17 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Power dissipation: 310W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
23+3.15 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
32+2.3 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
400+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
28+2.6 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
125+1.74 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
17+4.4 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3306pbf.pdf?ci_sign=1f8fb5e0a84f430f9c9d6471d61ba587046f7b3c description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
31+2.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
24+2.97 EUR
2800+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562905f41ffc description IRFP4004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
18+4.12 EUR
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 IRFP4127PBF THT N channel transistors
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IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535629208b2002 IRFP4137PBF THT N channel transistors
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
22+3.39 EUR
23+3.2 EUR
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IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.6 EUR
2000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IRFP4321PBF IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C061F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4321pbf.pdf?ci_sign=37999310551e5b95cdd52a7fd35873b39656e8bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
28+2.59 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IRFP4332PBF IRFP4332PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C068F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4332pbf.pdf?ci_sign=e2b517b35bae67aea1d77543e68108c262ec792d description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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9+8.32 EUR
15+4.82 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 366W
Drain current: 404A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
100+2.02 EUR
125+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029 IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.24 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
34+2.14 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
113+0.63 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRLPBF IRFR1010ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF78D5E45DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1010zpbf.pdf?ci_sign=5d971f53ac9962762cfd1d09693ca9c20e59aadf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF78D5E45DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1010zpbf.pdf?ci_sign=5d971f53ac9962762cfd1d09693ca9c20e59aadf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BFFF64F90CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1018epbf.pdf?ci_sign=ce18117bd2e5d82f13a0f6d350000efbb3bd0570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
74+0.97 EUR
80+0.89 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C09D6EBD5DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr13n15dpbf.pdf?ci_sign=6abcdc54db0492d08f443ebe229261e3ada3fff6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR13N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f IRFR13N20DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR18N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069 IRFR18N15DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFR220NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f IRFR220NTRLPBF SMD N channel transistors
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 IRFR2307ZTRLPBF SMD N channel transistors
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IRFR2405TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 IRFR2405TRLPBF SMD N channel transistors
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IRFR2405TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description IRFR2405TRPBF SMD N channel transistors
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IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C1D6AF8FDAF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2407pbf.pdf?ci_sign=39f99bd64b949188ae7d518c573599e227ec7fae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEF7D18E015EA&compId=IRFR24N15DTRPBF.pdf?ci_sign=ea45edf9f549a5715b095bc03e8c0b797eaf525c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4105TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339
IRFL4105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
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95+0.76 EUR
158+0.45 EUR
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180+0.4 EUR
186+0.38 EUR
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IRFL4310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDE20E8924F1A303005056AB0C4F&compId=irfl4310pbf.pdf?ci_sign=a876a1102106435a0080d1318abe3e00ee948262
IRFL4310TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDFD0C09EFF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4315pbf.pdf?ci_sign=8964934cac05ad8809fafbd0c19edf4cb7c5ebfa
IRFL4315TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef
IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
239+0.3 EUR
319+0.22 EUR
368+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
9000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
400+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa
IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
31+2.32 EUR
33+2.17 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4
IRFP1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Power dissipation: 310W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
23+3.15 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045
IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee
IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
32+2.3 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
400+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
28+2.6 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
125+1.74 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
17+4.4 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09
IRFP3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
37+1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 19
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IRFP3306PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3306pbf.pdf?ci_sign=1f8fb5e0a84f430f9c9d6471d61ba587046f7b3c
IRFP3306PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
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IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
24+2.97 EUR
2800+1.79 EUR
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IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
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IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4004PBF description irfp4004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562905f41ffc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
18+4.12 EUR
19+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b
IRFP4110PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.66 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4137PBF irfp4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535629208b2002
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4137PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6
IRFP4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe
IRFP4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
22+3.39 EUR
23+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec
IRFP4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
100+2.6 EUR
2000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4321PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C061F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4321pbf.pdf?ci_sign=37999310551e5b95cdd52a7fd35873b39656e8bc
IRFP4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
28+2.59 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4332PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C068F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4332pbf.pdf?ci_sign=e2b517b35bae67aea1d77543e68108c262ec792d
IRFP4332PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.32 EUR
15+4.82 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120
IRFP4568PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4868PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd
IRFP4868PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0
IRFP7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 366W
Drain current: 404A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
100+2.02 EUR
125+1.97 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP7537PBF irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7537PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.24 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d
IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
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IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF78D5E45DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1010zpbf.pdf?ci_sign=5d971f53ac9962762cfd1d09693ca9c20e59aadf
IRFR1010ZTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1010ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF78D5E45DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1010zpbf.pdf?ci_sign=5d971f53ac9962762cfd1d09693ca9c20e59aadf
IRFR1010ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1018ETRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BFFF64F90CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr1018epbf.pdf?ci_sign=ce18117bd2e5d82f13a0f6d350000efbb3bd0570
IRFR1018ETRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
74+0.97 EUR
80+0.89 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRLPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97
IRFR120ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR13N15DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C09D6EBD5DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr13n15dpbf.pdf?ci_sign=6abcdc54db0492d08f443ebe229261e3ada3fff6
IRFR13N15DTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR13N20DTRPBF irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR13N20DTRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR15N20DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca
IRFR15N20DTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR18N15DTRPBF irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR18N15DTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRLPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR220NTRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Case: DPAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
73+0.99 EUR
82+0.87 EUR
190+0.38 EUR
200+0.36 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR2307ZTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBF irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR2405TRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR2405TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2407TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C1D6AF8FDAF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2407pbf.pdf?ci_sign=39f99bd64b949188ae7d518c573599e227ec7fae
IRFR2407TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR24N15DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEF7D18E015EA&compId=IRFR24N15DTRPBF.pdf?ci_sign=ea45edf9f549a5715b095bc03e8c0b797eaf525c
IRFR24N15DTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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