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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
60+1.21 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.55 EUR
22+3.3 EUR
24+3.02 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 80W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
67+1.07 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
65+1.1 EUR
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
31+2.32 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.02 EUR
20+3.7 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF IRFB4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA26580F5B5EA&compId=IRFB4137PBF.pdf?ci_sign=5b0ba6a15b558079509649f4bc5e8ff398f62088 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.25 EUR
23+3.1 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBF IRFB4228PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+2.19 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
250+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
100+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
38+1.89 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A68F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=a2eb2dffb8f0130fe236daaa55b1a2a68f3cccae description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
34+2.13 EUR
46+1.59 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Gate charge: 58nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
27+2.72 EUR
30+2.45 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
28+2.6 EUR
30+2.43 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
50+1.43 EUR
100+1.33 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+3.02 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
25+2.97 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAA67076835EA&compId=IRFB7437PBF.pdf?ci_sign=b3843ba8ed4017c3b389d86bb5aa3a62671a2a3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
88+0.82 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
56+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
84+0.86 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 IRFB7534PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.63 EUR
36+1.99 EUR
43+1.69 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAF57F0C315EA&compId=IRFB7540PBF.pdf?ci_sign=3d11ad0f52ae3cf89f9ccc7efd218a58eb0629b9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7546PBF IRFB7546PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB173E751F5EA&compId=IRFB7546PBF.pdf?ci_sign=63e6fed0b5b3c3fdc502b4567725b6b30e939ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
70+1.03 EUR
82+0.87 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 IRFB7734PBF THT N channel transistors
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IRFH3702TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76 IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4210DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0000571863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh4210dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a4e871e80 IRFH4210DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B2F08978C0BD61EC&compId=irfh4234pbf.pdf?ci_sign=95709b25779a1ca2b7065525af8bb5dc0ea0c9db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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IRFH4251DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c IRFH4251DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5004TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a9d131e94 IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5006TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96 IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5007TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98 IRFH5007TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5020TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e IRFH5020TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5025TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0 IRFH5025TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5053TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B5CDDD6CADF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5110pbf.pdf?ci_sign=b0431d386322e9a787eacbded2ffc698b5b0504f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B649F97DB5F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5210pbf.pdf?ci_sign=0763deda32b5a1f8a5ae797c05cb601f0f7fac4d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B665D24C3DF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5215pbf.pdf?ci_sign=700a7ad6fc2e7d49a82f6b799e9ffda69ebdb8f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5250DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFH5250DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5250TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8 IRFH5250TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe IRFH5301TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5302DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5302dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b4f5e1ec0 IRFH5302DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5304TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 IRFH5304TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5406TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece IRFH5406TRPBF SMD N channel transistors
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IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
60+1.21 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
22+3.3 EUR
24+3.02 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRFB4019PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526
IRFB4019PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 80W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
67+1.07 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IRFB4020PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197
IRFB4020PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
65+1.1 EUR
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRFB4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b
IRFB4110PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
31+2.32 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IRFB4115PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155
IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.02 EUR
20+3.7 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f
IRFB4127PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA26580F5B5EA&compId=IRFB4137PBF.pdf?ci_sign=5b0ba6a15b558079509649f4bc5e8ff398f62088
IRFB4137PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.25 EUR
23+3.1 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33
IRFB4228PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6
IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
33+2.19 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
250+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IRFB4332PbF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
100+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
38+1.89 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A68F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=a2eb2dffb8f0130fe236daaa55b1a2a68f3cccae
IRFB4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
34+2.13 EUR
46+1.59 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194
IRFB4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Gate charge: 58nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
27+2.72 EUR
30+2.45 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
28+2.6 EUR
30+2.43 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
50+1.43 EUR
100+1.33 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93
IRFB5615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9
IRFB5620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e
IRFB7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
24+3.02 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14
IRFB7434PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
25+2.97 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAA67076835EA&compId=IRFB7437PBF.pdf?ci_sign=b3843ba8ed4017c3b389d86bb5aa3a62671a2a3e
IRFB7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
88+0.82 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8
IRFB7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
56+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7446PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e
IRFB7446PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
84+0.86 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67
IRFB7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7534PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7537PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081
IRFB7537PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
36+1.99 EUR
43+1.69 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAF57F0C315EA&compId=IRFB7540PBF.pdf?ci_sign=3d11ad0f52ae3cf89f9ccc7efd218a58eb0629b9
IRFB7540PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7546PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCB173E751F5EA&compId=IRFB7546PBF.pdf?ci_sign=63e6fed0b5b3c3fdc502b4567725b6b30e939ea6
IRFB7546PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
70+1.03 EUR
82+0.87 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd
IRFB7730PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
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IRFB7734PBF irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7734PBF THT N channel transistors
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IRFH3702TRPBF irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4210DTRPBF IRSD-S-A0000571863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfh4210dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a4e871e80
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4210DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH4234TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B2F08978C0BD61EC&compId=irfh4234pbf.pdf?ci_sign=95709b25779a1ca2b7065525af8bb5dc0ea0c9db
IRFH4234TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4251DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5004TRPBF irfh5004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a9d131e94
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5006TRPBF irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5007TRPBF irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5007TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5010TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509
IRFH5010TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5015TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1
IRFH5015TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5020TRPBF irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5020TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5025TRPBF irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5025TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B5CDDD6CADF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5110pbf.pdf?ci_sign=b0431d386322e9a787eacbded2ffc698b5b0504f
IRFH5110TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B649F97DB5F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5210pbf.pdf?ci_sign=0763deda32b5a1f8a5ae797c05cb601f0f7fac4d
IRFH5210TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5215TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B665D24C3DF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5215pbf.pdf?ci_sign=700a7ad6fc2e7d49a82f6b799e9ffda69ebdb8f7
IRFH5215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5250DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5250TRPBF irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5250TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5300TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47
IRFH5300TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5301TRPBF irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5301TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5302DTRPBF irfh5302dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b4f5e1ec0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5302DTRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5302TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544
IRFH5302TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5304TRPBF irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5304TRPBF SMD N channel transistors
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IRFH5406TRPBF irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5406TRPBF SMD N channel transistors
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