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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a IRFSL3206PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.33 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B373B3D7CCF1A303005056AB0C4F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=c4ace11945af6befebfd380d4a1a0655b80c000d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8C9AD0E015EA&compId=IRFSL4510PBF.pdf?ci_sign=b37f1d0d62505b5298aa4ab906aa8bf121bff388 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d IRFSL7430PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
55+1.32 EUR
56+1.27 EUR
100+1.13 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
19+3.76 EUR
50+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
207+0.35 EUR
414+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
269+0.27 EUR
285+0.25 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f IRFU220NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
84+0.86 EUR
10050+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.31 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
42+1.72 EUR
46+1.57 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
450+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4 description IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
98+0.73 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
5025+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
215+0.33 EUR
228+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+0.73 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206 description IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208 IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
78+0.92 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VPBF THT N channel transistors
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IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219 IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
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IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
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IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
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IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356480a3a230b IRG4PH20KPBF THT IGBT transistors
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IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337 IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
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IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRG4RC10KDPbF.pdf IRG4RC10KDTRPBF SMD IGBT transistors
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IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irg7ph35udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564d601323ad IRG7PH35UD-EP THT IGBT transistors
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IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
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IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf description IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF043071462B5EA&compId=IRGP4066DPBF.pdf?ci_sign=170421f7fc72c459767332e8512419c5d693c627 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
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IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
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IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22271D69DD6D2F1A303005056AB0C4F&compId=irgs4062dpbf.pdf?ci_sign=f1806f5a728b86898d073ed3e7f80a224519b756 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Mounting: THT
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
32+2.27 EUR
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e IRL100HS121 SMD N channel transistors
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IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
27+2.69 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFS7734TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5
IRFS7734TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL3206PBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3206PBF THT N channel transistors
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IRFSL3207ZPBF irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
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IRFSL4010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092
IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.33 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRFSL4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B373B3D7CCF1A303005056AB0C4F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=c4ace11945af6befebfd380d4a1a0655b80c000d
IRFSL4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFSL4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758
IRFSL4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFSL4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8C9AD0E015EA&compId=IRFSL4510PBF.pdf?ci_sign=b37f1d0d62505b5298aa4ab906aa8bf121bff388
IRFSL4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFSL7430PBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7430PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
55+1.32 EUR
56+1.27 EUR
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250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
IRFSL7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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1+71.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
207+0.35 EUR
414+0.17 EUR
439+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742
IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
249+0.29 EUR
269+0.27 EUR
285+0.25 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0
IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
130+0.55 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU220NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
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Anzahl Preis
33+2.17 EUR
84+0.86 EUR
10050+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.31 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
42+1.72 EUR
46+1.57 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
450+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
98+0.73 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
150+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
5025+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
215+0.33 EUR
228+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
99+0.73 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF description irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
78+0.92 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
18+3.98 EUR
48+1.49 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
35+2.04 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZSTRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d
IRFZ44ZSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
50+1.44 EUR
60+1.2 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
101+0.71 EUR
146+0.49 EUR
155+0.46 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
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IRG4IBC30WPBF IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PH20KPBF irg4ph20kpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356480a3a230b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4PH20KPBF THT IGBT transistors
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IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
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IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4RC10KDTRPBF IRSDS10529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRG4RC10KDPbF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10KDTRPBF SMD IGBT transistors
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IRG4RC10UDPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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IRG7PH35UD-EP irg7ph35udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564d601323ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG7PH35UD-EP THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
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IRGB6B60KDPBF description IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGIB7B60KDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGP4066DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF043071462B5EA&compId=IRGP4066DPBF.pdf?ci_sign=170421f7fc72c459767332e8512419c5d693c627
IRGP4066DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRGP4263DPBF IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
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IRGS6B60KDTRLP IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
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IRGSL4062DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22271D69DD6D2F1A303005056AB0C4F&compId=irgs4062dpbf.pdf?ci_sign=f1806f5a728b86898d073ed3e7f80a224519b756
IRGSL4062DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Mounting: THT
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
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Anzahl Preis
28+2.57 EUR
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34+2.13 EUR
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IRL100HS121 Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
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IRL1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64
IRL1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
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44+1.64 EUR
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