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S80KS2563GABHI020 INFINEON TECHNOLOGIES download S80KS2563GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS2564GACHI040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 S80KS2564GACHI040 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS2564GACHI043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 S80KS2564GACHI043 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS2564GACHV040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 S80KS2564GACHV040 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS2564GACHV043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 S80KS2564GACHV043 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS5122GABHA020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f S80KS5122GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS5122GABHB020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f S80KS5122GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHM020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f S80KS5122GABHM020 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHV023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f S80KS5122GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAK-TC1797-384F150E INFINEON TECHNOLOGIES SAK-TC1797-384F150E.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller
Case: BGA416
Memory: 3MB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.5...5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGB02N120 INFINEON TECHNOLOGIES SGB02N120 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description SI4435DYTRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBD914E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; SOT23; 370mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
331+0.21 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.63 EUR
243+0.30 EUR
667+0.11 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3906E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
582+0.12 EUR
711+0.10 EUR
784+0.09 EUR
906+0.08 EUR
1153+0.06 EUR
1220+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06E6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
201+0.36 EUR
311+0.23 EUR
496+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
355+0.20 EUR
481+0.15 EUR
550+0.13 EUR
893+0.08 EUR
944+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA92E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
219+0.33 EUR
365+0.20 EUR
863+0.08 EUR
910+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 SN7002NH6433XTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
178+0.40 EUR
1263+0.06 EUR
1334+0.05 EUR
50000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
548+0.13 EUR
642+0.11 EUR
1049+0.07 EUR
1109+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
28+2.56 EUR
250+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
40+1.80 EUR
42+1.72 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
24+3.00 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.71 EUR
14+5.11 EUR
25+3.52 EUR
50+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.72 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
250+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB18P06PGATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
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SPD03N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b SPD03N50C3ATMA1 SMD N channel transistors
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SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPD04P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4 SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD08N50C3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 SPD08P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2194 Stücke:
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31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
250+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2436 Stücke:
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49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1879 Stücke:
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38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+0.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
117+0.61 EUR
500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa SPD50P03LGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP04N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.20 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.70 EUR
41+1.76 EUR
43+1.66 EUR
200+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2563GABHI020 download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2563GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2564GACHI040 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHI040 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2564GACHI043 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHI043 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2564GACHV040 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHV040 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2564GACHV043 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHV043 DRAM memories - integrated circuits
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S80KS5122GABHA020 Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHB020 Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHM020 Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHM020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5122GABHV023 Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAK-TC1797-384F150E SAK-TC1797-384F150E.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller
Case: BGA416
Memory: 3MB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.5...5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGB02N120
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SGB02N120 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SI4435DYTRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1.pdf
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; SOT23; 370mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
331+0.21 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.63 EUR
243+0.30 EUR
667+0.11 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327.pdf
SMBT3906E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
582+0.12 EUR
711+0.10 EUR
784+0.09 EUR
906+0.08 EUR
1153+0.06 EUR
1220+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327.pdf
SMBTA06E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327.pdf
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
201+0.36 EUR
311+0.23 EUR
496+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
355+0.20 EUR
481+0.15 EUR
550+0.13 EUR
893+0.08 EUR
944+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327.pdf
SMBTA92E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
219+0.33 EUR
365+0.20 EUR
863+0.08 EUR
910+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002NH6327XTSA2 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002NH6433XTMA1 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SN7002NH6433XTMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5260 Stücke:
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Anzahl Preis
178+0.40 EUR
1263+0.06 EUR
1334+0.05 EUR
50000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1.pdf
SN7002WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2277 Stücke:
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Anzahl Preis
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
548+0.13 EUR
642+0.11 EUR
1049+0.07 EUR
1109+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
28+2.56 EUR
250+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
40+1.80 EUR
42+1.72 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
24+3.00 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.71 EUR
14+5.11 EUR
25+3.52 EUR
50+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.72 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
250+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1-dte.pdf
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
21+3.43 EUR
22+3.26 EUR
250+3.20 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.55 EUR
23+3.17 EUR
24+3.00 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N50C3ATMA1 Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD03N50C3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3.pdf
SPD08N50C3BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD08P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
50+1.43 EUR
54+1.34 EUR
250+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207G-DTE.pdf
SPD50N03S207GBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
117+0.61 EUR
500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD50P03LGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPP04N80C3 SPP04N80C3.pdf
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.20 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.70 EUR
41+1.76 EUR
43+1.66 EUR
200+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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