Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148900) > Seite 1310 nach 2482
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.7A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 81.1W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N65C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP21N50C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP24N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.4A Power dissipation: 240W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPU03N60C3BKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 38W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW35N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPW55N80C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT1400N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V Type of module: thyristor Semiconductor structure: opposing Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 1.4kA Case: BG-PS55-1 Max. forward voltage: 1.39V Max. forward impulse current: 9kA Gate current: 200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STT1400N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT1900N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT1900N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT2200N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT2200N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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STT3300N16P76XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules |
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STT3300N18P76XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules |
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STT800N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V Case: BG-PS55-1 Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward voltage: 1.56V Load current: 800A Semiconductor structure: opposing Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 5.4kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: thyristor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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T1190N16TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T1590N28TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T1901N80TOHXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T3160N16TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T3160N18TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 3.16kA Case: BG-T11126K-1 Max. forward impulse current: 63kA Gate current: 250mA Kind of package: in-tray Mounting: Press-Pack Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) Max. load current: 7kA Type of thyristor: hockey-puck Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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T360N22TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | T360N22TOF Button thyristors |
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T390N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T420N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T430N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T501N70TOHXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T560N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T560N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T560N18TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 559A Case: BG-T4814K0-1 Max. forward impulse current: 8kA Gate current: 200mA Kind of package: in-tray Mounting: Press-Pack Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) Max. load current: 809A Type of thyristor: hockey-puck Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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T590N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | T590N14TOFXPSA1 Button thyristors |
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T640N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T720N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T740N26TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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T830N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD104N14KOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TD104N14KOF Diode - thyristor modules |
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TD120N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V Case: BG-SB20-1 Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 190A Max. forward voltage: 1.75V Load current: 120A Semiconductor structure: double series Gate current: 100mA Max. forward impulse current: 2.25kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode-thyristor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TD122N22KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 122A Case: BG-PB34-1 Max. forward voltage: 1.95V Max. forward impulse current: 3.3kA Gate current: 200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 220A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
TD140N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 140A Case: BG-PB34SB-1 Max. forward voltage: 1.41V Max. forward impulse current: 4.7kA Gate current: 150mA Electrical mounting: screw Max. load current: 220A Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD160N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD160N18SOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 160A Case: BG-PB34SB-1 Max. forward voltage: 1.82V Max. forward impulse current: 5.2kA Gate current: 145mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 160A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD175N16SOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TD175N16SOF Diode - thyristor modules |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD190N16SOFHPSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD190N18SOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TD190N18SOF Diode - thyristor modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD210N12KOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TD210N12KOF Diode - thyristor modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
TD215N22KOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SPP11N80C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.80 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
SPP15P10PLHXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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24+ | 3.07 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
43+ | 1.66 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
SPP17N80C3 | ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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17+ | 4.36 EUR |
22+ | 3.33 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
1000+ | 3.03 EUR |
SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.83 EUR |
SPP20N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.86 EUR |
22+ | 3.40 EUR |
24+ | 3.06 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
50+ | 2.86 EUR |
100+ | 2.79 EUR |
SPP20N60CFD |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPP20N60S5 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.69 EUR |
18+ | 4.20 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
SPP20N65C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.65 EUR |
11+ | 6.89 EUR |
14+ | 5.28 EUR |
15+ | 4.98 EUR |
SPP21N50C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.14 EUR |
12+ | 6.42 EUR |
15+ | 4.92 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
SPP24N60C3 | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.50 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
50+ | 2.69 EUR |
SPU03N60C3BKMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW11N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.28 EUR |
12+ | 5.99 EUR |
13+ | 5.66 EUR |
SPW20N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.11 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
16+ | 4.60 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
30+ | 4.28 EUR |
SPW20N60S5 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.74 EUR |
12+ | 6.02 EUR |
13+ | 5.69 EUR |
SPW35N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.97 EUR |
7+ | 10.70 EUR |
30+ | 10.28 EUR |
SPW35N60CFD |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW47N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.33 EUR |
6+ | 12.51 EUR |
SPW47N60CFDFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW47N65C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW55N80C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STT1400N16P55XPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STT1400N18P55XPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STT1900N16P55XPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N16P55 Thyristor modules
STT1900N16P55 Thyristor modules
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STT1900N18P55XPSA1 |
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STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
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STT2200N16P55XPSA1 |
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STT2200N16P55 Thyristor modules
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STT2200N18P55XPSA1 |
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STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
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STT3300N16P76XPSA1 |
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STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
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STT3300N18P76XPSA1 |
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STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
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STT800N16P55XPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
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T1190N16TOFVTXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1190N16TOF Button thyristors
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T1590N28TOFVTXPSA1 |
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T1590N28TOF Button thyristors
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T1901N80TOHXPSA1 |
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T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
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T3160N16TOFVTXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
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T3160N18TOFVTXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T360N22TOFXPSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T360N22TOF Button thyristors
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T390N16TOFXPSA1 |
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T390N16TOF Button thyristors
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T420N16TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T420N16TOF Button thyristors
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T430N12TOFXPSA1 |
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T430N12TOF Button thyristors
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T501N70TOHXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T501N70TOHXPSA1 Button thyristors
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T560N14TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N14TOF Button thyristors
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T560N16TOFXPSA1 |
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T560N16TOF Button thyristors
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T560N18TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T590N14TOFXPSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T590N14TOFXPSA1 Button thyristors
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Stück im Wert von UAH
T640N12TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T640N12TOF Button thyristors
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Stück im Wert von UAH
T720N16TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T720N16TOF Button thyristors
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T740N26TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T740N26TOFXPSA1 Button thyristors
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T830N12TOFXPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T830N12TOF Button thyristors
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TD104N14KOF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD104N14KOF Diode - thyristor modules
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TD120N16SOFHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.62 EUR |
10+ | 31.83 EUR |
24+ | 31.36 EUR |
TD122N22KOF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TD140N16SOFHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TD160N16SOFHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD160N16SOF Diode - thyristor modules
TD160N16SOF Diode - thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
TD160N18SOF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TD175N16SOF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD175N16SOF Diode - thyristor modules
TD175N16SOF Diode - thyristor modules
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TD190N16SOFHPSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD190N16SOF Diode - thyristor modules
TD190N16SOF Diode - thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
TD190N18SOF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD190N18SOF Diode - thyristor modules
TD190N18SOF Diode - thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
TD210N12KOF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD210N12KOF Diode - thyristor modules
TD210N12KOF Diode - thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
TD215N22KOFHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD215N22KOF Diode - thyristor modules
TD215N22KOF Diode - thyristor modules
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Stück im Wert von UAH