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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.80 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP15P10PL+H_Rev1.4.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264b6ae1090c81 SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
43+1.66 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
22+3.40 EUR
24+3.06 EUR
25+2.90 EUR
50+2.86 EUR
100+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
18+4.20 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.28 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.14 EUR
12+6.42 EUR
15+4.92 EUR
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.50 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
50+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.28 EUR
12+5.99 EUR
13+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.11 EUR
13+5.51 EUR
16+4.60 EUR
17+4.35 EUR
30+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.74 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.97 EUR
7+10.70 EUR
30+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.33 EUR
6+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N65C3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT1400N16P55.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672 STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a STT1900N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24 STT2200N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675 STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N18P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT800N16P55.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02 T1190N16TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1590N28TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b T1590N28TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1901N80TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N16TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053 T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T3160N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T360N22TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T360N22TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T390N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T390N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128636b9b085316 T390N16TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T420N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T420N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637bdb055339 T420N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T430N12TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T430N.pdf T430N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T501N70TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T501N-DS-v11_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4304de2500a T501N70TOHXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T560N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 T560N14TOF Button thyristors
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T560N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 T560N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T560N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T590N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T590N14TOFXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N12TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a T640N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T720N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee T720N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T740N26TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T740N-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb68c33ffd T740N26TOFXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T830N12TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T830N.pdf T830N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD104N14KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD104N14KOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD120N16SOFHPSA1 TD120N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD120N16SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.62 EUR
10+31.83 EUR
24+31.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD122N22KOF TD122N22KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD122N22KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD140N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD140N16SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD160N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT160N16SOF-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154dd9865532d29 TD160N16SOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD175N16SOF INFINEON TECHNOLOGIES TD175N16SOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD190N16SOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT190N16SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154dd3d24ae2c9d TD190N16SOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD190N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TD190N18SOF Diode - thyristor modules
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TD210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD210N12KOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD215N22KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT215N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c TD215N22KOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.80 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PL+H_Rev1.4.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264b6ae1090c81
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
36+1.99 EUR
43+1.66 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP18P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
22+3.40 EUR
24+3.06 EUR
25+2.90 EUR
50+2.86 EUR
100+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD SPP20N60CFD.pdf
SPP20N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
18+4.20 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.28 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.14 EUR
12+6.42 EUR
15+4.92 EUR
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.50 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
50+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.28 EUR
12+5.99 EUR
13+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.11 EUR
13+5.51 EUR
16+4.60 EUR
17+4.35 EUR
30+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.74 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.97 EUR
7+10.70 EUR
30+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.33 EUR
6+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3F.pdf
SPW47N65C3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 STT1400N16P55.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 1.4kA; BG-PS55-1; Ufmax: 1.39V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.4kA
Case: BG-PS55-1
Max. forward voltage: 1.39V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
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STT3300N18P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 STT800N16P55.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1190N16TOF Button thyristors
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T1590N28TOFVTXPSA1 Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1590N28TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1901N80TOHXPSA1 T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N16TOFVTXPSA1 Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N18TOFVTXPSA1 T3160N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T360N22TOFXPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T360N22TOF Button thyristors
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T390N16TOFXPSA1 Infineon-T390N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128636b9b085316
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T390N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T420N16TOFXPSA1 Infineon-T420N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637bdb055339
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T420N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T430N12TOFXPSA1 T430N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T430N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T501N70TOHXPSA1 Infineon-T501N-DS-v11_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4304de2500a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T501N70TOHXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T560N14TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N14TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T560N16TOFXPSA1 Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N16TOF Button thyristors
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T560N18TOFXPSA1 T560N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Type of thyristor: hockey-puck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T590N14TOFXPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T590N14TOFXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N12TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T640N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T720N16TOFXPSA1 Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T720N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T740N26TOFXPSA1 Infineon-T740N-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afb68c33ffd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T740N26TOFXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T830N12TOFXPSA1 T830N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T830N12TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD104N14KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD104N14KOF Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD120N16SOFHPSA1 TD120N16SOF.pdf
TD120N16SOFHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.62 EUR
10+31.83 EUR
24+31.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD122N22KOF TD122N22KOF.pdf
TD122N22KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD140N16SOFHPSA1 TD140N16SOF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD160N16SOFHPSA1 Infineon-TT160N16SOF-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154dd9865532d29
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD160N16SOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD175N16SOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD175N16SOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD190N16SOFHPSA2 Infineon-TT190N16SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154dd3d24ae2c9d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD190N16SOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD190N18SOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD190N18SOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
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TD210N12KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD210N12KOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD215N22KOFHPSA1 Infineon-TT215N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
TD215N22KOF Diode - thyristor modules
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