Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (151699) > Seite 1302 nach 2529
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS4229TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4310TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS4410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS4510TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 43A On-state resistance: 13.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 140W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4610TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS52N15DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS52N15DTRRP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7430TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7434TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7440TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Gate charge: 236nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7530TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET On-state resistance: 2mΩ Gate charge: 274nC Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7534TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7540TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS7730TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 407nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7734TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFSL3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFSL4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 97A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 230W Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 225nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFSL7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2942 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFTS9342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU13N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFU220NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Case: IPAK Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Gate charge: 12.7nC On-state resistance: 0.175Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 38W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFZ44EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFZ44VPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44VZSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ46NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 46A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ48NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4229TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhancement
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IRFS4310ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Case: D2PAK
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Kind of channel: enhancement
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IRFS4321TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
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Case: D2PAK
Mounting: SMD
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Case: D2PAK
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IRFS4410TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Drain current: 96A
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Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
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Case: D2PAK
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IRFS4410ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4410ZTRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4410ZTRLPBF SMD N channel transistors
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IRFS4510TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
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Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS4610TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4610TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4610TRLPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFS4615TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4615TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4615TRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS4620TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
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Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS52N15DTRLP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
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Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
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Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRFS52N15DTRRP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS7430TRL7PP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7430TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7430TRL7PP SMD N channel transistors
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IRFS7434TRL7PP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS7437TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.85 EUR |
34+ | 2.13 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
IRFS7440TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRFS7530TRL7PP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
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Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
IRFS7530TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7534TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7540TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 3.98 EUR |
20+ | 3.73 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
40+ | 1.79 EUR |
1600+ | 1.73 EUR |
IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL3206PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3206PBF THT N channel transistors
IRFSL3206PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL3207ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL4010PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.33 EUR |
31+ | 2.35 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
IRFSL4310ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL4410ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL4510PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL7430PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7430PBF THT N channel transistors
IRFSL7430PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL7437PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
37+ | 1.93 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
100+ | 1.14 EUR |
IRFSL7440PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
IRFTS8342TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 0.47 EUR |
179+ | 0.4 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
IRFTS9342TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.72 EUR |
249+ | 0.29 EUR |
269+ | 0.27 EUR |
285+ | 0.25 EUR |
424+ | 0.17 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
IRFU120NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
525+ | 0.54 EUR |
IRFU13N20DPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU220NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.2 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
IRFU3607PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
103+ | 0.7 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
525+ | 0.55 EUR |
IRFU4510PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
IRFU4615PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU5305PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 0.93 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
150+ | 0.57 EUR |
IRFU7440PBF |
![]() ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.21 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
5025+ | 0.33 EUR |
IRFZ24NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
71+ | 1 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
10000+ | 0.33 EUR |
IRFZ34NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFZ44EPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.35 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.7 EUR |
IRFZ44ESTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.44 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
191+ | 0.38 EUR |
201+ | 0.36 EUR |
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFZ44VPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
102+ | 0.7 EUR |
IRFZ44VZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
48+ | 1.49 EUR |
1000+ | 1.12 EUR |
IRFZ44VZSPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.22 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
IRFZ44ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 1.26 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IRFZ44ZSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFZ46NLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
17+ | 4.2 EUR |
45+ | 1.59 EUR |
IRFZ46NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.44 EUR |
IRFZ48NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 0.87 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
IRFZ48NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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