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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFSL3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.33 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B373B3D7CCF1A303005056AB0C4F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=c4ace11945af6befebfd380d4a1a0655b80c000d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8C9AD0E015EA&compId=IRFSL4510PBF.pdf?ci_sign=b37f1d0d62505b5298aa4ab906aa8bf121bff388 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7430PBF IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+1.22 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
180+0.4 EUR
360+0.2 EUR
382+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
143+0.5 EUR
184+0.39 EUR
230+0.31 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
104+0.69 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
525+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
79+0.91 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50556AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3910.pdf?ci_sign=32484d6b1a839ea92321d7025cc437922f8ea437 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
150+1 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4 description IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
300+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
116+0.62 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
179+0.4 EUR
215+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206 description IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208 IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
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IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
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IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
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IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D74DA0751DF1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71kdpbf.pdf?ci_sign=807edbea8fc791bb19fa6f5771a90dff64a7fca4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 78A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 99A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222720D199804F1A303005056AB0C4F&compId=irgs6b60kdpbf.pdf?ci_sign=c48c1bbad11229e277a64f8c653a4a111a215a59 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgp4066dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535655feed2454 IRGP4066DPBF THT IGBT transistors
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IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
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IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
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IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
39+1.87 EUR
58+1.24 EUR
60+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e IRL100HS121 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
250+1.54 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFSL3207ZPBF irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
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IRFSL4010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092
IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
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Anzahl Preis
14+5.33 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRFSL4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B373B3D7CCF1A303005056AB0C4F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=c4ace11945af6befebfd380d4a1a0655b80c000d
IRFSL4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758
IRFSL4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8C9AD0E015EA&compId=IRFSL4510PBF.pdf?ci_sign=b37f1d0d62505b5298aa4ab906aa8bf121bff388
IRFSL4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296
IRFSL7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
IRFSL7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
59+1.22 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
180+0.4 EUR
360+0.2 EUR
382+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742
IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
143+0.5 EUR
184+0.39 EUR
230+0.31 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0
IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
104+0.69 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
525+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
79+0.91 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50556AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3910.pdf?ci_sign=32484d6b1a839ea92321d7025cc437922f8ea437
IRFU3910PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
150+1 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
300+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU7440PBF irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
116+0.62 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
179+0.4 EUR
215+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF description irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.35 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZPBF IRSDS11304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
18+3.98 EUR
48+1.49 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
35+2.04 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZSTRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d
IRFZ44ZSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC30WPBF IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d
IRG4PH20KPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D74DA0751DF1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71kdpbf.pdf?ci_sign=807edbea8fc791bb19fa6f5771a90dff64a7fca4
IRG4PSH71KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 78A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 99A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10KDTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79
IRG4RC10KDTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10UDPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH35UD-EP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0
IRG7PH35UD-EP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251
IRG7PH44K10D-EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB6B60KDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222720D199804F1A303005056AB0C4F&compId=irgs6b60kdpbf.pdf?ci_sign=c48c1bbad11229e277a64f8c653a4a111a215a59
IRGB6B60KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4066DPBF irgp4066dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535655feed2454
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4066DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4263DPBF IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGS6B60KDTRLP IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
39+1.87 EUR
58+1.24 EUR
60+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64
IRL1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
250+1.54 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2203NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8
IRL2203NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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