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IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53 IPP80R360P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
20+3.58 EUR
50+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPP80R600P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06 IPP80R600P7 THT N channel transistors
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IPP80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08a45848f2 IPP80R750P7 THT N channel transistors
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IPP90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K4C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBA51D4BF4B1BF&compId=IPS65R1K5CE-DTE.pdf?ci_sign=30fbeefba4c07b836933a1b13b6f5fa7d3894ea8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Case: IPAK SL
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
196+0.37 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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IPS65R400CEAKMA1 IPS65R400CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB13753C9BC143&compId=IPS65R400CE.pdf?ci_sign=89d41fbcb329af3efc09b72506724097e03e3ec8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; 118W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 118W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS65R950C6AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1 IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
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IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB41888EDB0143&compId=IPS70R360P7S.pdf?ci_sign=7e11cc65c221ebcf878ecdb01d4217297052c125 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394 IPS80R600P7 THT N channel transistors
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IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 IPS80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPT007N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 IPT020N10N3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 IPT029N08N5 SMD N channel transistors
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IPT059N15N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 IPT059N15N3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT210N25NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPT60R022S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CD7E4FD4A2CA0C4&compId=IPT60R022S7XTMA1.pdf?ci_sign=7bbbf87328df005f00cd976fdcd71ce1f64b8e2e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R040S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2 IPT60R040S7XTMA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU50R1K4CEBKMA1 IPU50R1K4CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE519BBDCDF1CC&compId=IPU50R1K4CE-DTE.pdf?ci_sign=75cba2a3bf7b157346c62f49d7e4ba3c18a3920c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K0CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056 IPU80R2K0P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R2K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R3K3P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R4K5P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455 IPU80R600P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9f69e1187 IPU80R750P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153 IPU80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPU95R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
96+0.75 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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IPU95R450P7AKMA1 IPU95R450P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA41453BF4143&compId=IPU95R450P7.pdf?ci_sign=3096511d5ab54501a3504b92e9f2db8a67c5ece1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA7A7AA8BC143&compId=IPU95R750P7.pdf?ci_sign=472403093c92524bad78203a01b30d3031a576e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
75+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R037CSFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA80AD91F1B02D00C4&compId=IPW60R037CSFDXKSA1.pdf?ci_sign=a5b2caf017057246ce187909fdc13399273536ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 28 Stücke:
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3+24.32 EUR
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IPW60R080P7 IPW60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1FE04C8F66749&compId=IPW60R080P7.pdf?ci_sign=195cee5d2680397630540f16ad4b24f277950462 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952403C1FAD1BF&compId=IPW60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=0ff4e9262369219235dac83c27672666e66fcd60 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c8a42de3ffe IPW60R099C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
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12+6.21 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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auf Bestellung 20 Stücke:
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20+3.58 EUR
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IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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auf Bestellung 48 Stücke:
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Anzahl Preis
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38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
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IPP80R600P7XKSA1 Infineon-IPP80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R600P7 THT N channel transistors
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IPP80R750P7XKSA1 Infineon-IPP80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08a45848f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R750P7 THT N channel transistors
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IPP90R340C3XKSA1 Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K4C6AKMA1 DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R1K4C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS65R1K5CEAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBA51D4BF4B1BF&compId=IPS65R1K5CE-DTE.pdf?ci_sign=30fbeefba4c07b836933a1b13b6f5fa7d3894ea8
IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Case: IPAK SL
Mounting: THT
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
196+0.37 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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IPS65R400CEAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB13753C9BC143&compId=IPS65R400CE.pdf?ci_sign=89d41fbcb329af3efc09b72506724097e03e3ec8
IPS65R400CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; 118W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 118W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS65R950C6AKMA1 DS_IPS65R950C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e81a77f502f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R950C6AKMA1 THT N channel transistors
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IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
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IPS70R360P7SAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB41888EDB0143&compId=IPS70R360P7S.pdf?ci_sign=7e11cc65c221ebcf878ecdb01d4217297052c125
IPS70R360P7SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPS80R600P7AKMA1 Infineon-IPS80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c1adc12ee6394
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS80R600P7 THT N channel transistors
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IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
61+1.17 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPT004N03LATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786
IPT004N03LATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT015N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT020N10N3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT029N08N5ATMA1 Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT029N08N5 SMD N channel transistors
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IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT059N15N3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPT210N25NFDATMA1 Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPT60R022S7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CD7E4FD4A2CA0C4&compId=IPT60R022S7XTMA1.pdf?ci_sign=7bbbf87328df005f00cd976fdcd71ce1f64b8e2e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 31nC
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPT60R040S7XTMA1 THT N channel transistors
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IPT60R065S7XTMA1 Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
IPT60R065S7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPU50R1K4CEBKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE519BBDCDF1CC&compId=IPU50R1K4CE-DTE.pdf?ci_sign=75cba2a3bf7b157346c62f49d7e4ba3c18a3920c
IPU50R1K4CEBKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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IPU80R1K2P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c
IPU80R1K2P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.25 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K0P7 THT N channel transistors
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IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R2K4P7 THT N channel transistors
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IPU80R3K3P7AKMA1 Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R3K3P7 THT N channel transistors
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IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPU80R600P7AKMA1 Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R600P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPU80R750P7AKMA1 Infineon-IPU80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9f69e1187
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R750P7 THT N channel transistors
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IPU80R900P7AKMA1 Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R900P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
94+0.77 EUR
99+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
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IPU95R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
96+0.75 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R3K7P7 THT N channel transistors
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IPU95R450P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA41453BF4143&compId=IPU95R450P7.pdf?ci_sign=3096511d5ab54501a3504b92e9f2db8a67c5ece1
IPU95R450P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R750P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA7A7AA8BC143&compId=IPU95R750P7.pdf?ci_sign=472403093c92524bad78203a01b30d3031a576e3
IPU95R750P7AKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
Power dissipation: 73W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.54 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
75+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW50R280CEFKSA1 IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R031CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937
IPW60R031CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.51 EUR
7+11.84 EUR
30+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R037CSFDXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA80AD91F1B02D00C4&compId=IPW60R037CSFDXKSA1.pdf?ci_sign=a5b2caf017057246ce187909fdc13399273536ca
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R037P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397
IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
10+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R040C7XKSA1 Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.88 EUR
4+18.83 EUR
5+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R041P6FKSA1 Infineon-IPW60R041P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694fd2814695e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R041P6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R045CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd
IPW60R045CPFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6_V2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432313ff5e01232862aa644ac5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R070C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R070CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R070CFD7 THT N channel transistors
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IPW60R070P6XKSA1 Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R070P6XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152855d78912ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R075CPFKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R080P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1FE04C8F66749&compId=IPW60R080P7.pdf?ci_sign=195cee5d2680397630540f16ad4b24f277950462
IPW60R080P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPW60R099C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952403C1FAD1BF&compId=IPW60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=0ff4e9262369219235dac83c27672666e66fcd60
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R099C7XKSA1 Infineon-IPW60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c8a42de3ffe
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R099C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca4c24745
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R099CPFKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.93 EUR
10+7.44 EUR
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IPW60R099P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e
IPW60R099P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
23+3.15 EUR
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IPW60R125C6FKSA1 Infineon-IPx60R125C6-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R125C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5bf349af
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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