Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149884) > Seite 1294 nach 2499
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 125A Pulsed drain current: 760A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR7546TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 71A Power dissipation: 99W Case: DPAK On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR812TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR825TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR8314TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 36nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRFR9024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4086 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRFR9120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR9N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.4A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFS23N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 57nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS3004TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Pulsed drain current: 1.31kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3006TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 293A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3006TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 191A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3107TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 260A Power dissipation: 370W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3107TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS31N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3206TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3207TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3607TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3806TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 71W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS38N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4010TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4010TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 143nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS4020TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4115TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4127TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4227TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4229TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4310TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS4410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4510TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: D2PAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 43A On-state resistance: 13.9mΩ Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4610TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A On-state resistance: 77.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS52N15DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS52N15DTRRP | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7430TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55mΩ Power dissipation: 375W Gate charge: 305nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7434TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7440TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Gate charge: 236nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7530TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 274nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7534TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFS7540TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS7730TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 407nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFS7734TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFSL3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFSL4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFSL4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Case: TO262 Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFR7440TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR7446TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR7446TRPBF SMD N channel transistors
IRFR7446TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRFR7546TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 1.26 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
158+ | 0.45 EUR |
2000+ | 0.44 EUR |
IRFR812TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR812TRPBF SMD N channel transistors
IRFR812TRPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFR825TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR825TRPBF SMD N channel transistors
IRFR825TRPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFR8314TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.23 EUR |
49+ | 1.48 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
90+ | 0.80 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
IRFR9024NTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR9024NTRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 1.39 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
213+ | 0.34 EUR |
4000+ | 0.33 EUR |
10000+ | 0.32 EUR |
IRFR9120NTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR9120NTRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.54 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
2000+ | 0.50 EUR |
IRFR9N20DTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS23N20DTRLP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3004TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3006TRL7PP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3006TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3107TRL7PP |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3107TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS31N20DTRLP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3206TRRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3207TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3306TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.69 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
250+ | 1.62 EUR |
IRFS3307ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS3806TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS4010TRL7PP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 143nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 143nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS4020TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4115TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS4127TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS4227TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4229TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4310TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4310ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
500+ | 1.67 EUR |
800+ | 1.64 EUR |
IRFS4410TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4410ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4510TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4610TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4610TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4610TRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4615TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS4620TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
On-state resistance: 77.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
On-state resistance: 77.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS52N15DTRLP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS52N15DTRLP SMD N channel transistors
IRFS52N15DTRLP SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS52N15DTRRP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS52N15DTRRP SMD N channel transistors
IRFS52N15DTRRP SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7430TRL7PP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7437TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
36+ | 2.00 EUR |
IRFS7440TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7440TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7440TRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.27 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
800+ | 2.13 EUR |
5600+ | 2.09 EUR |
IRFS7530TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS7534TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFS7540TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFS7730TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.16 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
IRFS7734TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFSL3206PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3206PBF THT N channel transistors
IRFSL3206PBF THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFSL3207ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
IRFSL3207ZPBF THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFSL4010PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.33 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
33+ | 2.20 EUR |
IRFSL4310ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL4410ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFSL4510PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH