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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595261245E051BF&compId=IPW60R160C6-DTE.pdf?ci_sign=6425d46596dbaab233c87914e1115ce6b5b52ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b IPW60R160P6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d915e489f IPW60R165CPFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R170CFD7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954AD1DDD011BF&compId=IPW60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=0df0715cc8fabb1c958cc792a364ed24eb6bf983 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.59 EUR
24+3.1 EUR
25+2.95 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952BDAA97951BF&compId=IPW60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7436ed58470f076cb950dae64fbcfc721f70253d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R199CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e44b8498f IPW60R199CPFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R280C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a IPW60R280C6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R280E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281fb7b4f54507 IPW60R280E6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R280P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 IPW60R280P6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R299CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c74ff4703 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPW60R299CPFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R330P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx60R330P6.pdf IPW60R330P6 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R019C7FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093 IPW65R019C7FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R037C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R037C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133877a719210a9 IPW65R037C6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R045C7FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPW65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7901c1200031 IPW65R045C7FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd01420db363eb63ee IPW65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R070C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R070C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ea425a4012ed7911cbf3821 IPW65R070C6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R080CFDA INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R080CFDA THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R080CFD-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432e0bea21012e14e6178c6e0a IPW65R080CFDFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R190CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPW65R190CFDFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R280C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 IPW65R280C6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R310CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPW65R310CFDFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCA67145851BF&compId=IPW65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=0d183952d44e9096ba03d9cc41c07ddb26aec1c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
30+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R660CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R660CFD_2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2efe7ac539b4 IPW65R660CFDFKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc IPW80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.36 EUR
18+4.16 EUR
19+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a IPW80R360P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW90R800C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 IPW90R800C3FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5DEF7DBF97E28&compId=IPZ40N04S53R1.pdf?ci_sign=0ae6e10a5f9e2726964daefd2523a88b8caa579c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA847358E2A74A&compId=IPZ40N04S5-5R4.pdf?ci_sign=d87690e2b52440f710216f339021a29a7c9476cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5-8R4 IPZ40N04S5-8R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8787BDAF274A&compId=IPZ40N04S5-8R4.pdf?ci_sign=5350b58bf3f81c9b318e130a2519f3d855f10390 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-2R8 IPZ40N04S5L-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA89F61D20874A&compId=IPZ40N04S5L-2R8.pdf?ci_sign=ee02b7778856d447f739e700de60e47ffaae1978 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-4R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8C03AFC8874A&compId=IPZ40N04S5L-4R8.pdf?ci_sign=e072796b1966f97ce0e1301759d47316f5d24d7e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8F50F7EDE74A&compId=IPZ40N04S5L-7R4.pdf?ci_sign=38c31f7871204bf2af0450c5372a4ea55b9e53b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC198278014143&compId=IPZ60R017C7.pdf?ci_sign=a59e2ab8ae579bd9ea763c73cd528d0bff7c2877 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
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IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPZ65R045C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e5a5024013e6a50664963da IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPZ65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS28762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPZA60R024P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b44b73b44837 IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors
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IPZA60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab IPZA60R037P7 THT N channel transistors
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IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454244a483a IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors
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IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEC74B032C33D1&compId=IPZA60R060P7.pdf?ci_sign=310e8ddc118afb51589bfc4506d4483444c7a207 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160317dacc86525 IPZA60R080P7 THT N channel transistors
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IPZA60R099P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948 IPZA60R099P7 THT N channel transistors
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IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEF0D85140B3D1&compId=IPZA60R180P7.pdf?ci_sign=1b36fb9135650fbca86aa6ded45a1ec43783c213 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c48f901660 IR2010PBF MOSFET/IGBT drivers
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14+5.21 EUR
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IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Anzahl je Verpackung: 1980 Stücke
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IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description IR2011PBF MOSFET/IGBT drivers
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IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IR2085STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828 IR2085STRPBF MOSFET/IGBT drivers
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IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.78 EUR
23+3.23 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595261245E051BF&compId=IPW60R160C6-DTE.pdf?ci_sign=6425d46596dbaab233c87914e1115ce6b5b52ea6
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1 Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R160P6FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d915e489f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R165CPFKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R170CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R170CFD7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954AD1DDD011BF&compId=IPW60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=0df0715cc8fabb1c958cc792a364ed24eb6bf983
IPW60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73
IPW60R180P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R190C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c
IPW60R190C6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.59 EUR
24+3.1 EUR
25+2.95 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPW60R190E6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952BDAA97951BF&compId=IPW60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7436ed58470f076cb950dae64fbcfc721f70253d
IPW60R190E6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R190P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619
IPW60R190P6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.88 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e44b8498f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R199CPFKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R280C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R280E6FKSA1 IPW60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281fb7b4f54507
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R280E6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R280P6FKSA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R280P6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c74ff4703 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R299CPFKSA1 THT N channel transistors
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IPW60R330P6FKSA1 IPx60R330P6.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R330P6 THT N channel transistors
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IPW65R019C7FKSA1 Infineon-IPW65R019C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e791a9f140093
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R019C7FKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R037C6FKSA1 Infineon-IPW65R037C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133877a719210a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R037C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R041CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95
IPW65R041CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW65R045C7FKSA1 DS_IPW65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7901c1200031
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R045C7FKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R065C7XKSA1 Infineon-IPW65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd01420db363eb63ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ea425a4012ed7911cbf3821
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R070C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R080CFDA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R080CFDA THT N channel transistors
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IPW65R080CFDFKSA1 Infineon-IPW65R080CFD-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432e0bea21012e14e6178c6e0a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R080CFDFKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R190CFDFKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R190CFDFKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R280C6FKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R310CFDFKSA1 Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R310CFDFKSA1 THT N channel transistors
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IPW65R420CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCA67145851BF&compId=IPW65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=0d183952d44e9096ba03d9cc41c07ddb26aec1c1
IPW65R420CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
30+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFD_2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2efe7ac539b4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R660CFDFKSA1 THT N channel transistors
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IPW80R280P7XKSA1 Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.36 EUR
18+4.16 EUR
19+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW80R360P7XKSA1 Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R360P7 THT N channel transistors
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IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW90R800C3FKSA1 THT N channel transistors
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IPZ40N04S53R1ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5DEF7DBF97E28&compId=IPZ40N04S53R1.pdf?ci_sign=0ae6e10a5f9e2726964daefd2523a88b8caa579c
IPZ40N04S53R1ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPZ40N04S5-5R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA847358E2A74A&compId=IPZ40N04S5-5R4.pdf?ci_sign=d87690e2b52440f710216f339021a29a7c9476cb
IPZ40N04S5-5R4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPZ40N04S5-8R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8787BDAF274A&compId=IPZ40N04S5-8R4.pdf?ci_sign=5350b58bf3f81c9b318e130a2519f3d855f10390
IPZ40N04S5-8R4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-2R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA89F61D20874A&compId=IPZ40N04S5L-2R8.pdf?ci_sign=ee02b7778856d447f739e700de60e47ffaae1978
IPZ40N04S5L-2R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-4R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8C03AFC8874A&compId=IPZ40N04S5L-4R8.pdf?ci_sign=e072796b1966f97ce0e1301759d47316f5d24d7e
IPZ40N04S5L-4R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L-7R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8F50F7EDE74A&compId=IPZ40N04S5L-7R4.pdf?ci_sign=38c31f7871204bf2af0450c5372a4ea55b9e53b1
IPZ40N04S5L-7R4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ60R017C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC198278014143&compId=IPZ60R017C7.pdf?ci_sign=a59e2ab8ae579bd9ea763c73cd528d0bff7c2877
IPZ60R017C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ60R040C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550
IPZ60R040C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ65R045C7XKSA1 DS_IPZ65R045C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e5a5024013e6a50664963da
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ65R065C7XKSA1 INFNS28762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R024P7XKSA1 Infineon-IPZA60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b44b73b44837
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R037P7XKSA1 Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R037P7 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R045P7XKSA1 Infineon-IPZA60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454244a483a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R060P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEC74B032C33D1&compId=IPZA60R060P7.pdf?ci_sign=310e8ddc118afb51589bfc4506d4483444c7a207
IPZA60R060P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R080P7XKSA1 Infineon-IPZA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160317dacc86525
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R080P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R099P7XKSA1 Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R099P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFEF0D85140B3D1&compId=IPZA60R180P7.pdf?ci_sign=1b36fb9135650fbca86aa6ded45a1ec43783c213
IPZA60R180P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR1161LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75
IR1161LTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11688STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584
IR11688STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR1169STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d
IR1169STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2010PBF ir2010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c48f901660
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2010PBF MOSFET/IGBT drivers
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.89 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2010SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Anzahl je Verpackung: 1980 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2011PBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2011PBF MOSFET/IGBT drivers
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IR2011SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b
IR2011SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2085STRPBF Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2085STRPBF MOSFET/IGBT drivers
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IR2101PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52
IR2101PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
23+3.23 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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