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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+3.1 EUR
50+1.96 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF135B203 IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF135S203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 IRF135S203 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
23+3.19 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
53+1.36 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
2400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
38+1.89 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.83 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DCEDEDF06F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405spbf.pdf?ci_sign=8ffb81f923f936adf8e3205c35e37a3d5a64cf83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DE6DA3AF1F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405zpbf.pdf?ci_sign=e3a2c165305a26dfb16ddc05272a36952c1eb65f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.03 EUR
28+2.59 EUR
39+1.83 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFC2A5422480D5&compId=IRF200B211.pdf?ci_sign=168dede544fa82a2b1cc94bdb78d3594d2cbb503 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 80W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222 IRF200P222 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.8 EUR
9+8.09 EUR
25+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P223 IRF200P223 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5C60D032C6A18&compId=IRF200P223.pdf?ci_sign=e6665466486189b4a31e5651bceddce5d8357e7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 71A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: StrongIRFET™
Gate charge: 102nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.16 EUR
14+5.36 EUR
15+5.08 EUR
50+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224 IRF250P224 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5D7D7C8750A18&compId=IRF250P224.pdf?ci_sign=b596cfd627d254660d4e86550909ac67ff33c44d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225 IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
12+6.12 EUR
13+5.78 EUR
25+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 description IRF2804LPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
42+1.72 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F78AD2110F1A303005056AB0C4F&compId=irf2804s-7ppbf.pdf?ci_sign=09784608006e188b3599386abd39e68fc9475216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
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46+1.57 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
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5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF2903ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2903zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dec87318fd IRF2903ZPBF THT N channel transistors
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IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
200+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC616ECF1315EA&compId=IRF2907ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=105e8c88ae939208263b240ac48c9877e0de7db5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 description IRF3007PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRF300P226 IRF300P226 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 191nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF300P227 IRF300P227 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
51+1.41 EUR
60+1.21 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
43+1.69 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
1600+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
57+1.26 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRF3315STRLPBF IRF3315STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A1ADDD9CAD0E4A50&compId=irf3315spbf.pdf?ci_sign=0e1d63ccd450cb40e9a6b5e6f02a87536ad5f2e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDBA92288AC143&compId=IRF3610STRLPBF.pdf?ci_sign=95fdba56d7c40ac1aecdbfbb4c03f02b5478e3e1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
50+2.32 EUR
100+2.23 EUR
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IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 150 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
44+1.66 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
42+1.7 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
2400+0.79 EUR
4800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
73+0.97 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
32+2.29 EUR
34+2.16 EUR
500+2.1 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F628A62DE73F1A303005056AB0C4F&compId=irf3805s-7ppbf.pdf?ci_sign=c4df994e7b162fcc0e0cfd81692e30268d46ac41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
24+3.02 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
23+3.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
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IRF40B207 IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF40H233-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72
IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
23+3.1 EUR
50+1.96 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF135B203 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797
IRF135B203
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF135S203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF135S203 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
23+3.19 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
53+1.36 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
2400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
58+1.24 EUR
81+0.88 EUR
86+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
38+1.89 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9
IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.83 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DCEDEDF06F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405spbf.pdf?ci_sign=8ffb81f923f936adf8e3205c35e37a3d5a64cf83
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DE6DA3AF1F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405zpbf.pdf?ci_sign=e3a2c165305a26dfb16ddc05272a36952c1eb65f
IRF1405ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
28+2.59 EUR
39+1.83 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFC2A5422480D5&compId=IRF200B211.pdf?ci_sign=168dede544fa82a2b1cc94bdb78d3594d2cbb503
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 80W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe
IRF200P222
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.8 EUR
9+8.09 EUR
25+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P223 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5C60D032C6A18&compId=IRF200P223.pdf?ci_sign=e6665466486189b4a31e5651bceddce5d8357e7a
IRF200P223
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 71A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: StrongIRFET™
Gate charge: 102nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.16 EUR
14+5.36 EUR
15+5.08 EUR
50+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc
IRF2204PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5D7D7C8750A18&compId=IRF250P224.pdf?ci_sign=b596cfd627d254660d4e86550909ac67ff33c44d
IRF250P224
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720
IRF250P225
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
12+6.12 EUR
13+5.78 EUR
25+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBF description irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2804LPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a
IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
42+1.72 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F78AD2110F1A303005056AB0C4F&compId=irf2804s-7ppbf.pdf?ci_sign=09784608006e188b3599386abd39e68fc9475216
IRF2804STRL7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd
IRF2804STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC55F4DADF75EA&compId=IRF2804STRRPBF.pdf?ci_sign=9690775b0b0968417ea458182b3ffc7d6f880934
IRF2804STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf
IRF2805STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
38+1.92 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
35+2.06 EUR
40+1.82 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2903ZPBF irf2903zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dec87318fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2903ZPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614
IRF2907ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
200+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC616ECF1315EA&compId=IRF2907ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=105e8c88ae939208263b240ac48c9877e0de7db5
IRF2907ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3007PBF description irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3007PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
38+1.89 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P226 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169
IRF300P226
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 191nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab
IRF300P227
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
51+1.41 EUR
60+1.21 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
43+1.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3205STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
57+1.26 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3315STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDBA92288AC143&compId=IRF3610STRLPBF.pdf?ci_sign=95fdba56d7c40ac1aecdbfbb4c03f02b5478e3e1
IRF3610STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
50+2.32 EUR
100+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 150 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
44+1.66 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
42+1.7 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
2400+0.79 EUR
4800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
73+0.97 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
32+2.29 EUR
34+2.16 EUR
500+2.1 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F628A62DE73F1A303005056AB0C4F&compId=irf3805s-7ppbf.pdf?ci_sign=c4df994e7b162fcc0e0cfd81692e30268d46ac41
IRF3805STRL-7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
24+3.02 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
23+3.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39
IRF40B207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1 Infineon-IRF40H233-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168a1d5500962d9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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