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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
92+0.78 EUR
150+0.48 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D74DA0751DF1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71kdpbf.pdf?ci_sign=807edbea8fc791bb19fa6f5771a90dff64a7fca4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 78A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irg7ph35udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564d601323ad IRG7PH35UD-EP THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222720D199804F1A303005056AB0C4F&compId=irgs6b60kdpbf.pdf?ci_sign=c48c1bbad11229e277a64f8c653a4a111a215a59 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF043071462B5EA&compId=IRGP4066DPBF.pdf?ci_sign=170421f7fc72c459767332e8512419c5d693c627 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
32+2.27 EUR
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
60+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e IRL100HS121 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
28+2.56 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
100+1.22 EUR
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF IRL2505PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
35+2.04 EUR
47+1.53 EUR
50+1.46 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2910STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22274DD1ABBBBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3705nspbf.pdf?ci_sign=def286927a4ec6a16efcd8a4c3fbd0ce993a0cee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF112ECD9F715EA&compId=IRL3705ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=c916a4aa1628d516334b00db556866bd3c12c24c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description IRL3803PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556 description IRL3803STRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f9b62255b IRL520NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.15 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
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IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
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IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
37+1.93 EUR
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IRL60B216 INFINEON TECHNOLOGIES irl60b216.pdf IRL60B216 THT N channel transistors
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IRL60HS118 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 IRL60HS118 SMD N channel transistors
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IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 415 Stücke:
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105+0.68 EUR
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IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
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75+0.96 EUR
157+0.46 EUR
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IRL7833PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356600d71257b IRL7833PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 76 Stücke:
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31+2.32 EUR
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IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222766451D6E7F1A303005056AB0C4F&compId=irl7833pbf.pdf?ci_sign=3f17a2919623b1c00483138df81c44cfb13be3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRL80HS120 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191 IRL80HS120 SMD N channel transistors
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
200+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 17
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
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IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
29+2.52 EUR
31+2.37 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLB8721PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 description IRLB8721PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.48 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
64+1.12 EUR
74+0.98 EUR
88+0.82 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlh5030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599 IRLH5030TRPBF SMD N channel transistors
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IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277530C4B63F1A303005056AB0C4F&compId=irlhm620pbf.pdf?ci_sign=c886920d7c2600102cb1c0b26f09f61fd0a26f02 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222776C4E3F4BF1A303005056AB0C4F&compId=irlhm630pbf.pdf?ci_sign=170c72500cf1dc0c0ea25a0be851ac421b66adf6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222778BA9DA1CF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs2242pbf.pdf?ci_sign=e79e607340793a5ffa60bd3a338e088ab204535f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
171+0.42 EUR
195+0.37 EUR
274+0.26 EUR
329+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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IRLHS6242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9 IRLHS6242TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277C3379CC2F1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6276pbf.pdf?ci_sign=208aca56a5000cd5159155d6e3fbbc58f9c0642b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.5W
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
92+0.78 EUR
150+0.48 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4IBC30WPBF IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
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IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PH20KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d
IRG4PH20KPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D74DA0751DF1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71kdpbf.pdf?ci_sign=807edbea8fc791bb19fa6f5771a90dff64a7fca4
IRG4PSH71KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 78A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10KDTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79
IRG4RC10KDTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4RC10UDPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
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IRG7PH35UD-EP irg7ph35udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564d601323ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG7PH35UD-EP THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG7PH44K10D-EPBF IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB6B60KDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222720D199804F1A303005056AB0C4F&compId=irgs6b60kdpbf.pdf?ci_sign=c48c1bbad11229e277a64f8c653a4a111a215a59
IRGB6B60KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGIB7B60KDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRGP4066DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF043071462B5EA&compId=IRGP4066DPBF.pdf?ci_sign=170421f7fc72c459767332e8512419c5d693c627
IRGP4066DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4263DPBF IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
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IRGS6B60KDTRLP IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGSL4062DPBF IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
32+2.27 EUR
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
60+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL100HS121 Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
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IRL1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF10F3898E335EA&compId=IRL1404STRLPBF.pdf?ci_sign=137c8190ab8097193a9e1d5f90a854db4b816f64
IRL1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
28+2.56 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
100+1.22 EUR
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2203NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8
IRL2203NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7
IRL2505PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
35+2.04 EUR
47+1.53 EUR
50+1.46 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e
IRL3103STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22274DD1ABBBBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3705nspbf.pdf?ci_sign=def286927a4ec6a16efcd8a4c3fbd0ce993a0cee
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF112ECD9F715EA&compId=IRL3705ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=c916a4aa1628d516334b00db556866bd3c12c24c
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL3803PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF description IRSDS10036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL3803STRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL520NPBF irl520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f9b62255b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL520NPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418
IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
53+1.35 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
4000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036
IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
44+1.66 EUR
53+1.35 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
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36+2.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60B216 irl60b216.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60B216 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118 Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60HS118 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
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75+0.96 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7833PBF irl7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356600d71257b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7833PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 76 Stücke:
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31+2.32 EUR
57+1.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL7833STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222766451D6E7F1A303005056AB0C4F&compId=irl7833pbf.pdf?ci_sign=3f17a2919623b1c00483138df81c44cfb13be3b9
IRL7833STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL80HS120 Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL80HS120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739
IRLB3034PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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19+3.93 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
200+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
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Anzahl Preis
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 771 Stücke:
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Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
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Anzahl Preis
19+3.83 EUR
29+2.52 EUR
31+2.37 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
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Anzahl Preis
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8721PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.48 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d
IRLB8748PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
64+1.12 EUR
74+0.98 EUR
88+0.82 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBF irlh5030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLH5030TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM620TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277530C4B63F1A303005056AB0C4F&compId=irlhm620pbf.pdf?ci_sign=c886920d7c2600102cb1c0b26f09f61fd0a26f02
IRLHM620TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222776C4E3F4BF1A303005056AB0C4F&compId=irlhm630pbf.pdf?ci_sign=170c72500cf1dc0c0ea25a0be851ac421b66adf6
IRLHM630TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222778BA9DA1CF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs2242pbf.pdf?ci_sign=e79e607340793a5ffa60bd3a338e088ab204535f
IRLHS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
171+0.42 EUR
195+0.37 EUR
274+0.26 EUR
329+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBF irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6242TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277C3379CC2F1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6276pbf.pdf?ci_sign=208aca56a5000cd5159155d6e3fbbc58f9c0642b
IRLHS6276TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.5W
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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