Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (152104) > Seite 1303 nach 2536
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFP4004PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 370W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4137PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFP4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 280W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Kind of package: tube Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 78A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4332PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 57A Power dissipation: 360W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4568PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 517W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 9.7mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFP4868PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Power dissipation: 517W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 404A Power dissipation: 366W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 172A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Polarisation: unipolar Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Gate charge: 180nC On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 580W Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP9140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -21A Power dissipation: 120W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: THT Gate charge: 64.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR024NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8916 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR1010ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR1010ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR1018ETRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR1205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Power dissipation: 107W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR120NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1909 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.7A Power dissipation: 35W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR13N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR13N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR15N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 17A Power dissipation: 140W Drain-source voltage: 200V Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR18N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR220NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR220NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 5A Power dissipation: 43W Drain-source voltage: 200V Kind of package: reel Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR2307ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 53A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR2405TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR2405TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR2407TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR24N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Drain current: 24A Power dissipation: 140W Drain-source voltage: 150V Technology: HEXFET® Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR2607ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 45A Power dissipation: 110W Drain-source voltage: 75V Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR3411TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR3504ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFR3518TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR3709ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 86A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR3709ZTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 86A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR3710ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 140W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR3711TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR3711ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFR3806TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR3910TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR3910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 52W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFR4105ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFR4510TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 252A Drain current: 45A On-state resistance: 13.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 143W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 144W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP4004PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4004PBF THT N channel transistors
IRFP4004PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.31 EUR |
18+ | 4.12 EUR |
19+ | 3.9 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4127PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
IRFP4127PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.66 EUR |
22+ | 3.26 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
IRFP4137PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4137PBF THT N channel transistors
IRFP4137PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4227PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4229PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.53 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
IRFP4310ZPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 280W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 280W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.23 EUR |
26+ | 2.76 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
100+ | 2.6 EUR |
2000+ | 2.52 EUR |
IRFP4321PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.86 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
IRFP4332PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4368PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.24 EUR |
15+ | 4.82 EUR |
16+ | 4.56 EUR |
100+ | 4.38 EUR |
IRFP4468PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.15 EUR |
22+ | 3.4 EUR |
23+ | 3.22 EUR |
IRFP4568PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.26 EUR |
21+ | 3.45 EUR |
22+ | 3.26 EUR |
1000+ | 3.16 EUR |
IRFP4668PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4868PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.34 EUR |
IRFP7430PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.92 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
100+ | 2.02 EUR |
125+ | 1.97 EUR |
250+ | 1.94 EUR |
IRFP7530PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.82 EUR |
21+ | 3.42 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
25+ | 3.12 EUR |
IRFP7537PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
IRFP90N20DPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 580W
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 580W
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.24 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
IRFP9140NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.95 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
IRFR024NTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
113+ | 0.63 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
IRFR1010ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR1010ZTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR1010ZTRLPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR1010ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR1010ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR1010ZTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR1018ETRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR1018ETRPBF SMD N channel transistors
IRFR1018ETRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR1205TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR15N20DTRPBF |
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFR18N15DTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
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IRFR2307ZTRLPBF |
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR2405TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRFR2405TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR2407TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR24N15DTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 150V
Technology: HEXFET®
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 150V
Technology: HEXFET®
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFR2607ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 75V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 75V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR2905ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR3410TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3410TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3410TRPBF SMD N channel transistors
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IRFR3411TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR3504ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3504ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR3504ZTRPBF SMD N channel transistors
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IRFR3518TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3518TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3518TRPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR3709ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR3709ZTRRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR3710ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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44+ | 1.66 EUR |
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65+ | 1.12 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
IRFR3711TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3711TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3711TRPBF SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IRFR3711ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3711ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR3711ZTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR3806TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
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49+ | 1.49 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
118+ | 0.6 EUR |
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6000+ | 0.47 EUR |
IRFR3910TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRFR3910TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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73+ | 0.99 EUR |
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84+ | 0.86 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
127+ | 0.57 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
IRFR4104TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.44 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR4105ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR4105ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR4105ZTRPBF SMD N channel transistors
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IRFR4510TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 252A
Drain current: 45A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 252A
Drain current: 45A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR4615TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRFR4620TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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