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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA60R170CFD7XKSA1 IPA60R170CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD81071412BAE0C7&compId=IPA60R170CFD7.pdf?ci_sign=472c564ec0979ccb100660718b6ed72e21d10351 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Pulsed drain current: 51A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C5A09F7391BF&compId=IPA60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=27526d852919e0caaf2f039489eca0b9d8de32e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
33+2.17 EUR
36+1.99 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B4891FF1D1BF&compId=IPA60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=308ea5579321e81455d0dbd6fd33a8b7f65b595d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
36+2.02 EUR
38+1.92 EUR
250+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B2A4227451BF&compId=IPA60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=37e3ab36241b6eff66e7b31ab2248f530ab5031a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CE7C0F3D91BF&compId=IPA60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=08d1d6408669e5a7e598c7bb06f1d1dca39becfb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
29+2.52 EUR
36+2 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E2BEE6A4BB2749&compId=IPA60R280P7.pdf?ci_sign=c5d76bff142e564d760e07121e703fc630eade93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D0410408F1BF&compId=IPA60R330P6-DTE.pdf?ci_sign=8fe26dec6918ab4a64fbe3d08629bc3f7a6abfc2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297c0f44d444b IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380E6XKSA1 IPA60R380E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C323883031BF&compId=IPA60R380E6-DTE.pdf?ci_sign=37cce844c112f280e477554d4c62eaaefb14c002 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D2DE7AD711BF&compId=IPA60R380P6-DTE.pdf?ci_sign=06212babaf68dbac9f2a5e438ed79812f939d6c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
46+1.57 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C807398C51BF&compId=IPA60R450E6-DTE.pdf?ci_sign=407137540a218c7e3bd8b1c04c24ab9be4d9dc2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594BFE4172591BF&compId=IPA60R600E6-DTE.pdf?ci_sign=36078ae942325a5e3a97081308696883e76f599c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CA61294D11BF&compId=IPA60R600P6-DTE.pdf?ci_sign=467ea7210b33aed1d90941a327fb410e16131601 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
55+1.3 EUR
65+1.1 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPA65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be863f5d005b IPA65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPA65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.19 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CCA76716B1BF&compId=IPA65R225C7-DTE.pdf?ci_sign=a11f3092ca6b177c9502f0aca2edb50baa52a0b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CF829F5191BF&compId=IPA65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=df6262bcf2b5994d7d93a609776b6cb28dae31ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
34+2.1 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c IPA80R1K4P7XKSA1 THT N channel transistors
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IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf IPA80R750P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
52+1.4 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IPA90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd8a0b90fc6 IPA90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
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IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.55 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IPA95R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d IPA95R750P7 THT N channel transistors
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c IPAN60R125PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e IPAN60R210PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926 IPAN60R280PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.83 EUR
48+1.52 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
135+0.53 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IPAN80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3 IPAN80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69 IPAN80R360P7 THT N channel transistors
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IPB009N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3 IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5BF97F99DC11C&compId=IPB010N06N-DTE.pdf?ci_sign=5a04d1893556f28f62233ea5d6be7ff09e050118 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C33D8F8C211C&compId=IPB011N04LG-DTE.pdf?ci_sign=886231efb9054af0d16648b0abff6e958593f7ba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C55CF5FE411C&compId=IPB011N04NG-dte.pdf?ci_sign=afef0bed750b02c09e3dc1ba463cc912cc3f0be4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R170CFD7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD81071412BAE0C7&compId=IPA60R170CFD7.pdf?ci_sign=472c564ec0979ccb100660718b6ed72e21d10351
IPA60R170CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Pulsed drain current: 51A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508
IPA60R180P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3
IPA60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C5A09F7391BF&compId=IPA60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=27526d852919e0caaf2f039489eca0b9d8de32e3
IPA60R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a
IPA60R190P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
33+2.17 EUR
36+1.99 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R199CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B4891FF1D1BF&compId=IPA60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=308ea5579321e81455d0dbd6fd33a8b7f65b595d
IPA60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R230P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516
IPA60R230P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
36+2.02 EUR
38+1.92 EUR
250+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B2A4227451BF&compId=IPA60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=37e3ab36241b6eff66e7b31ab2248f530ab5031a
IPA60R250CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154
IPA60R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CE7C0F3D91BF&compId=IPA60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=08d1d6408669e5a7e598c7bb06f1d1dca39becfb
IPA60R280P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
29+2.52 EUR
36+2 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E2BEE6A4BB2749&compId=IPA60R280P7.pdf?ci_sign=c5d76bff142e564d760e07121e703fc630eade93
IPA60R280P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R330P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D0410408F1BF&compId=IPA60R330P6-DTE.pdf?ci_sign=8fe26dec6918ab4a64fbe3d08629bc3f7a6abfc2
IPA60R330P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380C6XKSA1 IPA60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297c0f44d444b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C323883031BF&compId=IPA60R380E6-DTE.pdf?ci_sign=37cce844c112f280e477554d4c62eaaefb14c002
IPA60R380E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R380P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D2DE7AD711BF&compId=IPA60R380P6-DTE.pdf?ci_sign=06212babaf68dbac9f2a5e438ed79812f939d6c8
IPA60R380P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466
IPA60R400CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
46+1.57 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R450E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C807398C51BF&compId=IPA60R450E6-DTE.pdf?ci_sign=407137540a218c7e3bd8b1c04c24ab9be4d9dc2d
IPA60R450E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594BFE4172591BF&compId=IPA60R600E6-DTE.pdf?ci_sign=36078ae942325a5e3a97081308696883e76f599c
IPA60R600E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R600P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CA61294D11BF&compId=IPA60R600P6-DTE.pdf?ci_sign=467ea7210b33aed1d90941a327fb410e16131601
IPA60R600P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3
IPA60R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
55+1.3 EUR
65+1.1 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R065C7XKSA1 Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R095C7XKSA1 Infineon-IPA65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be754266003b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R110CFDXKSA1 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R125C7XKSA1 Infineon-IPA65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be863f5d005b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190C7XKSA1 Infineon-IPA65R190C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be94da350082
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190C7XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c
IPA65R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.19 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R225C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CCA76716B1BF&compId=IPA65R225C7-DTE.pdf?ci_sign=a11f3092ca6b177c9502f0aca2edb50baa52a0b4
IPA65R225C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CF829F5191BF&compId=IPA65R280E6-DTE.pdf?ci_sign=df6262bcf2b5994d7d93a609776b6cb28dae31ed
IPA65R280E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee
IPA65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
118+0.61 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
IPA70R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
34+2.1 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K4P7XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R750P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
52+1.4 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd8a0b90fc6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93
IPA95R450P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R750P7XKSA1 Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R750P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R125PFD7S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R210PFD7S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R280PFD7S THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f
IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.83 EUR
48+1.52 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
135+0.53 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1 Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1 IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5BF97F99DC11C&compId=IPB010N06N-DTE.pdf?ci_sign=5a04d1893556f28f62233ea5d6be7ff09e050118
IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C33D8F8C211C&compId=IPB011N04LG-DTE.pdf?ci_sign=886231efb9054af0d16648b0abff6e958593f7ba
IPB011N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C55CF5FE411C&compId=IPB011N04NG-dte.pdf?ci_sign=afef0bed750b02c09e3dc1ba463cc912cc3f0be4
IPB011N04NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 16
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