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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPN95R3K7P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845 IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
19+3.89 EUR
20+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
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IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9965511A9A11C&compId=IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=83fbe3c4ddd538ca4cd145e6a0d205e58922a5e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204 IPP020N08N5AKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.32 EUR
15+4.79 EUR
16+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8 IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFB2551DBC11C&compId=IPP023N10N5-DTE.pdf?ci_sign=8e7b10dc9b3c7552849246161f420235e75e450c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938 IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.82 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB0C13A75AE11C&compId=IPP030N10N5-DTE.pdf?ci_sign=1be40706d804a7fcb61d5a9915cdd86de2f44469 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
33+2.23 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7 IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40 IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
22+3.4 EUR
24+2.97 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4561341f7d38 IPP037N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
27+2.69 EUR
52+1.4 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
40+1.8 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP(B,P)042N03LG.pdf IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
48+1.49 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB96DF37F3411C&compId=IPP045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=ea6e6be4aa0c58f3890b4faaf475c4c11acc98f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
27+2.72 EUR
30+2.39 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a30432ba3fa6f012bab56ff262ff0 IPP048N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.88 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP04CN10N-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393a80d1d03d8 IPP04CN10NG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5AKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP%2CIPI052NE7N3_G.pdf IPP052NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
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53+1.37 EUR
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IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
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38+1.9 EUR
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IPP05CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7 IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9999EF799411C&compId=IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ddc8b5c50d8ccdc8bbb43e8037890313ad456b22 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP062NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2 IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 IPP072N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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25+2.96 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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11+6.61 EUR
18+4.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
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14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
1000+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP083N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
12+6.18 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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14+5.42 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.49 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IPP120N04S302AKSA1 IPP120N04S302AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA888DB63FA143&compId=IPP120N04S302.pdf?ci_sign=121255400b0b3da3e0c94e4be5980b7bba7b7b21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ FD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
50+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA7C28BC1011C&compId=IPP12CN10LG-DTE.pdf?ci_sign=186f239583b306e8635800d8e91c452777c32313 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
31+2.32 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
27+2.69 EUR
28+2.6 EUR
29+2.55 EUR
30+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8807E583411C&compId=IPP200N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=84a757fa8ec3825091407ee834af2c50c992735c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC92C2BCF2411C&compId=IPP220N25NFD-DTE.pdf?ci_sign=8473d47f003cb3d74123ea2cfe5e1878cb318853 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
19+3.9 EUR
22+3.37 EUR
23+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
10+7.24 EUR
11+6.84 EUR
1000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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IPP015N04NGXKSA1 IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
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IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
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IPP020N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9965511A9A11C&compId=IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=83fbe3c4ddd538ca4cd145e6a0d205e58922a5e7
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1 Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP020N08N5AKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 53 Stücke:
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IPP023N04NGXKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP023N08N5AKSA1 Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP023N10N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFB2551DBC11C&compId=IPP023N10N5-DTE.pdf?ci_sign=8e7b10dc9b3c7552849246161f420235e75e450c
IPP023N10N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.82 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IPP027N08N5AKSA1 Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP027N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04
IPP029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
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7+10.21 EUR
12+5.96 EUR
100+4.36 EUR
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IPP030N10N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB0C13A75AE11C&compId=IPP030N10N5-DTE.pdf?ci_sign=1be40706d804a7fcb61d5a9915cdd86de2f44469
IPP030N10N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
33+2.23 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1 Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP034N08N5AKSA1 Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP034NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6
IPP034NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
22+3.4 EUR
24+2.97 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4561341f7d38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP037N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05
IPP037N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
27+2.69 EUR
52+1.4 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
40+1.8 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee
IPP040N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1 Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59
IPP041N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
48+1.49 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB96DF37F3411C&compId=IPP045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=ea6e6be4aa0c58f3890b4faaf475c4c11acc98f2
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
27+2.72 EUR
30+2.39 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a30432ba3fa6f012bab56ff262ff0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP048N04NGXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b
IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.88 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 Infineon-IPP04CN10N-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393a80d1d03d8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP04CN10NG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP051N15N5AKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP052N06L3GXKSA1 Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1 Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP052NE7N3GXKSA1 IPP%2CIPI052NE7N3_G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
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Anzahl Preis
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108+0.67 EUR
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IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP05CN10NGXKSA1 Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
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IPP060N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9999EF799411C&compId=IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ddc8b5c50d8ccdc8bbb43e8037890313ad456b22
IPP060N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP062NE7N3GXKSA1 IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP072N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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25+2.96 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IPP075N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.61 EUR
18+4.13 EUR
19+3.9 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
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14+5.48 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
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IPP083N10N5AKSA1 Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
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IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPP110N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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Anzahl Preis
8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
12+6.18 EUR
500+5.93 EUR
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IPP110N20NAAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658
IPP110N20NAAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
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14+5.42 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP114N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
100+1.49 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N04S302AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA888DB63FA143&compId=IPP120N04S302.pdf?ci_sign=121255400b0b3da3e0c94e4be5980b7bba7b7b21
IPP120N04S302AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ FD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
50+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP126N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32
IPP126N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP12CN10LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA7C28BC1011C&compId=IPP12CN10LG-DTE.pdf?ci_sign=186f239583b306e8635800d8e91c452777c32313
IPP12CN10LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP147N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480
IPP147N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
40+1.79 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
31+2.32 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP180N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872
IPP180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f
IPP200N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
27+2.69 EUR
28+2.6 EUR
29+2.55 EUR
30+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8807E583411C&compId=IPP200N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=84a757fa8ec3825091407ee834af2c50c992735c
IPP200N25N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP220N25NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC92C2BCF2411C&compId=IPP220N25NFD-DTE.pdf?ci_sign=8473d47f003cb3d74123ea2cfe5e1878cb318853
IPP220N25NFDAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379
IPP320N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
19+3.9 EUR
22+3.37 EUR
23+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IPP410N30NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703
IPP410N30NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
10+7.24 EUR
11+6.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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