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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
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IPA95R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d IPA95R750P7 THT N channel transistors
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e IPAN60R210PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926 IPAN60R280PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.83 EUR
48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™ P7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
135+0.53 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3 IPAN80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69 IPAN80R360P7 THT N channel transistors
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IPB009N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3 IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f IPB010N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 IPB011N04LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8 IPB011N04NGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CA15F7D7A11C&compId=IPB015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a9024a78fb9752bb225a91352e84938b6e0a7202 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CEC4B1B9C11C&compId=IPB016N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=771cd50308087000a64d845feff9bfa9f27c355d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
200+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431936bc4b0119382c70a859ed IPB020N04NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA87948325611C&compId=IPB020N10N5-dte.pdf?ci_sign=0e271e4747a3359c20c2048905fcf7fe0c97f30a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2F8657C14D10749&compId=IPB020N10N5LF.pdf?ci_sign=d2dde93c8ab6b6de09ca42907929750b1d27bba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 300W
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAAD6EAF5D211C&compId=IPB027N10N5-dte.pdf?ci_sign=46af40089252f374dc025d2954c3bc66941cc2cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 IPB029N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1 IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CE0FB9307C8749&compId=IPB033N10N5LF.pdf?ci_sign=8b84caa81adb999660a947a742bfb25f2bb555c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB3C44E35211C&compId=IPB035N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=21c5de3139bc2864bea66c1d6aed3968809828d3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB036N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BABA01FCD4A11C&compId=IPB042N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=03163bd03bda3b852bbe6f9c1de3fb160b935fb0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 IPB044N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB048N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 IPB048N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB048N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
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IPB049N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EC939E60811C&compId=IPB054N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=84f615a05cf8a8d54ec1b710306fbe75a60d1fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB054N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06 IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf IPB055N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB057N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB067N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB3242309A11C&compId=IPB072N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=f76e6549faf931522172531c243373e6ab4f33ce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon-IPA95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643699ce834fab
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
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IPA95R750P7XKSA1 Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R750P7 THT N channel transistors
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R210PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R280PFD7S THT N channel transistors
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPAN70R360P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f
IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.83 EUR
48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™ P7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
135+0.53 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1 Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
50+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
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IPB009N03LGATMA1 IPB009N03L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116d426b6770ca3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB010N06NATMA1 SMD N channel transistors
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IPB011N04LGATMA1 IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB011N04LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB011N04NGATMA1 IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB011N04NGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c
IPB015N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CA15F7D7A11C&compId=IPB015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a9024a78fb9752bb225a91352e84938b6e0a7202
IPB015N04NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CEC4B1B9C11C&compId=IPB016N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=771cd50308087000a64d845feff9bfa9f27c355d
IPB016N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf
IPB017N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead
IPB019N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
200+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987
IPB019N08N3G
+1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N04NGATMA1 IPB020N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431936bc4b0119382c70a859ed
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB020N04NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA87948325611C&compId=IPB020N10N5-dte.pdf?ci_sign=0e271e4747a3359c20c2048905fcf7fe0c97f30a
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2F8657C14D10749&compId=IPB020N10N5LF.pdf?ci_sign=d2dde93c8ab6b6de09ca42907929750b1d27bba8
IPB020N10N5LF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1 Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 300W
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.66 EUR
12+6.05 EUR
17+4.43 EUR
18+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D919F0C5211C&compId=IPB026N06N-DTE.pdf?ci_sign=9e67f2cfc0142beb0bd4b1ee285c5ae4db6e555a
IPB026N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA980C7A9211C&compId=IPB027N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=65d103be878610d0403d27ac03d097367864db37
IPB027N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAAD6EAF5D211C&compId=IPB027N10N5-dte.pdf?ci_sign=46af40089252f374dc025d2954c3bc66941cc2cd
IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB029N06N3GATMA1 IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB029N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB031N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2
IPB031N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB031NE7N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788
IPB031NE7N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB033N10N5LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CE0FB9307C8749&compId=IPB033N10N5LF.pdf?ci_sign=8b84caa81adb999660a947a742bfb25f2bb555c1
IPB033N10N5LF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB034N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76
IPB034N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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IPB035N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB3C44E35211C&compId=IPB035N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=21c5de3139bc2864bea66c1d6aed3968809828d3
IPB035N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
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IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB037N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad
IPB037N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB039N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b
IPB039N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
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IPB042N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BABA01FCD4A11C&compId=IPB042N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=03163bd03bda3b852bbe6f9c1de3fb160b935fb0
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB044N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB048N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB048N15N5LF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
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IPB049N08N5ATMA1 INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB054N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EC939E60811C&compId=IPB054N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=84f615a05cf8a8d54ec1b710306fbe75a60d1fe9
IPB054N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB054N08N3GATMA1 IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB055N03LGATMA1 IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB055N03LGATMA1 SMD N channel transistors
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IPB057N06NATMA1 IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB065N15N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0
IPB065N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB067N08N3GATMA1 %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB3242309A11C&compId=IPB072N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=f76e6549faf931522172531c243373e6ab4f33ce
IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a
IPB073N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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