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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
56+1.28 EUR
93+0.78 EUR
98+0.74 EUR
100+0.73 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S304ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t IPD90N04S304 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3.pdf IPD90R1K2C3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3.pdf IPD90R1K2C3BTMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1 IPD95R750P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 IPDD60R050G7XTMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07 IPDD60R080G7XTMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R102G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087ee7379ed IPDD60R102G7XTMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170806aa57863 IPDD60R150G7XTMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1F7E0A8B58BF&compId=IPDD60R190G7.pdf?ci_sign=e4be5ccc4d13f524625e777a4056e8082c347b66 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57AA149F9E143&compId=IPG20N04S408.pdf?ci_sign=8fef4a4a90eb99a19b047330a14f6402e403fdee Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57E4A02E10143&compId=IPG20N04S409.pdf?ci_sign=c4432906d78c25f5effc1e82352607614ab5fbf0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI020N06NAKSA1 IPI020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699409E46E7411C&compId=IPI020N06N-DTE.pdf?ci_sign=ad868dfc0c42fcc58379d7682150801ddb0f6b0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69966EB25DC411C&compId=IPI024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=af4669f0517a60affc571042607d4f14e1306ced Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
62+1.16 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF2573C60011C&compId=IPI045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=b4e4845dad6a9df60a38fee76a77a3ad8eb67e42 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IPI111N15N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI120N04S402AKSA1 IPI120N04S402AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA595BDCC7A6143&compId=IPI120N04S402.pdf?ci_sign=775495591aaddac68fbafdad717a249f72a379b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI147N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
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IPI320N20N3GAKSA1 IPI320N20N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC2B3EB5CC011C&compId=IPI320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=e0d429a5c98a4128004ad9b804e367269248b1b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090 IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI50R399CPXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
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IPI530N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.7 EUR
17+4.2 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093 IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a42d44b7273a IPI60R280C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494 IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8EF625A16D1BF&compId=IPI65R099C6-DTE.pdf?ci_sign=b7ecdbd0817188c32fbc3bd9e75ec036c5cb4a3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPI65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304330046413013007e55bcb3d6b IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
56+1.28 EUR
93+0.78 EUR
98+0.74 EUR
100+0.73 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S304ATMA1 Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S304 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d
IPD90N04S405ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90R1K2C3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90R1K2C3BTMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IPD95R750P7ATMA1 Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R750P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPDD60R050G7XTMA1 Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R050G7XTMA1 SMD N channel transistors
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IPDD60R080G7XTMA1 Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R080G7XTMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon-IPDD60R102G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087ee7379ed
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R102G7XTMA1 SMD N channel transistors
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IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R150G7XTMA1 Infineon-IPDD60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170806aa57863
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R150G7XTMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1F7E0A8B58BF&compId=IPDD60R190G7.pdf?ci_sign=e4be5ccc4d13f524625e777a4056e8082c347b66
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57AA149F9E143&compId=IPG20N04S408.pdf?ci_sign=8fef4a4a90eb99a19b047330a14f6402e403fdee
IPG20N04S408ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA57E4A02E10143&compId=IPG20N04S409.pdf?ci_sign=c4432906d78c25f5effc1e82352607614ab5fbf0
IPG20N04S409ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI020N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699409E46E7411C&compId=IPI020N06N-DTE.pdf?ci_sign=ad868dfc0c42fcc58379d7682150801ddb0f6b0a
IPI020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69966EB25DC411C&compId=IPI024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=af4669f0517a60affc571042607d4f14e1306ced
IPI024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPI029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760
IPI029N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI030N10N3GXKSA1 dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
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IPI032N06N3GAKSA1 IPI032N06N3G-DTE.pdf
IPI032N06N3GAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
62+1.16 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI041N12N3GAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e
IPI041N12N3GAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF2573C60011C&compId=IPI045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=b4e4845dad6a9df60a38fee76a77a3ad8eb67e42
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI111N15N3GAKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI120N04S402AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA595BDCC7A6143&compId=IPI120N04S402.pdf?ci_sign=775495591aaddac68fbafdad717a249f72a379b2
IPI120N04S402AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI147N12N3GAKSA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f
IPI180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI200N25N3GAKSA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI320N20N3GAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC2B3EB5CC011C&compId=IPI320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=e0d429a5c98a4128004ad9b804e367269248b1b5
IPI320N20N3GAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R140CPXKSA1 Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R199CPXKSA1 IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R350CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA1 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI50R399CPXKSA2 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI530N15N3GXKSA1 IPD530N15N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R099CPXKSA1 IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5942DFCD9EE71BF&compId=IPI60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=a6ea8e60abe31ce0efe03800b0779adda6010d85
IPI60R125CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
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IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R280C6XKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R110CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R190CFDXKSA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
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IPI65R280C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB9055E1BFE71BF&compId=IPI65R280C6-DTE.pdf?ci_sign=bc972129de1b10df604776009be2c84a81d985a0
IPI65R280C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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