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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD60R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c IPD60R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.51 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
90+0.80 EUR
95+0.76 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.2A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R1K4CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R225C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N10S312ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t IPD70N10S3L12ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R2K0CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 IPD70R600P7S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1AC19AA1CA259&compId=IPD70R900P7S.pdf?ci_sign=746f7b1943fba9fedd7a1fb78f582f1027187f3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD78CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80P03P4L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t IPD80P03P4L07ATMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
79+0.92 EUR
95+0.76 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IPD80R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b IPD80R280P7 SMD N channel transistors
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IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
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IPD80R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 IPD80R360P7 SMD N channel transistors
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IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
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IPD80R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 IPD80R450P7 SMD N channel transistors
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IPD80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
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IPD80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 IPD80R750P7 SMD N channel transistors
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IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
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IPD90N04S304ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t IPD90N04S304 SMD N channel transistors
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IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD90R1K2C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3.pdf IPD90R1K2C3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD90R1K2C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90R1K2C3.pdf IPD90R1K2C3BTMA1 SMD N channel transistors
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IPD95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
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IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
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IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IPD95R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1 IPD95R750P7 SMD N channel transistors
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IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600C6ATMA1 Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7ATMA1 Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.51 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.219Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
90+0.80 EUR
95+0.76 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7-DTE.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.2A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFD-DTE.pdf
IPD65R1K4CFDBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 2.8A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7-DTE.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6-DTE.pdf
IPD65R250C6XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6-DTE.pdf
IPD65R250E6XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 16.1A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6-DTE.pdf
IPD65R380C6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 700V
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 8.7A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
IPD65R600C6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 7.3A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 3.9A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N10S312ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70N10S312ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70N10S3L12ATMA1 SMD N channel transistors
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IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
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IPD70R1K4CE SMD N channel transistors
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IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
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IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R2K0CE SMD N channel transistors
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R600P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R900P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1AC19AA1CA259&compId=IPD70R900P7S.pdf?ci_sign=746f7b1943fba9fedd7a1fb78f582f1027187f3b
IPD70R900P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD78CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80P03P4L07ATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPD80R1K4CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
79+0.92 EUR
95+0.76 EUR
114+0.63 EUR
120+0.60 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R280P7ATMA1 Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R280P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R360P7ATMA1 Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R360P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R3K3P7ATMA1 INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R450P7ATMA1 Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R450P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R750P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N03S4L02 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S304ATMA1 Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S304 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d
IPD90N04S405ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90R1K2C3ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90R1K2C3BTMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R750P7ATMA1 Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R750P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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