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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
135+0.53 EUR
147+0.49 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
100+1 EUR
200+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
100+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
29+2.5 EUR
50+2 EUR
100+1.83 EUR
250+1.63 EUR
500+1.49 EUR
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 0.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
182+0.39 EUR
261+0.27 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
249+0.29 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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89+0.8 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 732 Stücke:
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57+1.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1255 Stücke:
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44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
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100+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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103+0.7 EUR
142+0.5 EUR
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194+0.37 EUR
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252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
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114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
142+0.5 EUR
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500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4 description IRF7241TRPBF SMD P channel transistors
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104+0.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 970 Stücke:
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71+1.01 EUR
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115+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2255 Stücke:
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62+1.16 EUR
92+0.78 EUR
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130+0.55 EUR
200+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
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65+1.1 EUR
93+0.78 EUR
138+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
66+1.1 EUR
92+0.78 EUR
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500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
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2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
68+1.05 EUR
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250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
108+0.66 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b IRF7351TRPBF Multi channel transistors
auf Bestellung 3492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
87+0.83 EUR
92+0.79 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
121+0.59 EUR
160+0.45 EUR
181+0.4 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
102+0.7 EUR
122+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
72+1 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
81+0.89 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 3639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.48 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
129+0.56 EUR
192+0.37 EUR
250+0.32 EUR
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1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
103+0.69 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
139+0.52 EUR
250+0.46 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
53+1.37 EUR
74+0.97 EUR
100+0.84 EUR
250+0.7 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
50+1.43 EUR
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250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
125+0.57 EUR
176+0.41 EUR
204+0.35 EUR
250+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
98+0.74 EUR
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113+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
59+1.21 EUR
72+1 EUR
87+0.83 EUR
104+0.69 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
150+0.48 EUR
250+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
45+1.6 EUR
48+1.49 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
41+1.77 EUR
50+1.72 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39
IRF40B207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244
IRF40R207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
135+0.53 EUR
147+0.49 EUR
250+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
100+1 EUR
200+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
100+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
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114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1711 Stücke:
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31+2.36 EUR
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50+1.57 EUR
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500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 558 Stücke:
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20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
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84+0.85 EUR
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250+0.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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75+0.96 EUR
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115+0.62 EUR
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250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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75+0.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857
IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 0.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2854 Stücke:
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143+0.5 EUR
162+0.44 EUR
182+0.39 EUR
261+0.27 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6
IRF5802TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1771 Stücke:
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
249+0.29 EUR
348+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
100+0.72 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
100+0.72 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
1600+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
142+0.5 EUR
170+0.42 EUR
194+0.37 EUR
220+0.33 EUR
252+0.28 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7205TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780
IRF7205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
142+0.5 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7241TRPBF description irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7241TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
104+0.69 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
71+1.01 EUR
100+0.72 EUR
115+0.63 EUR
250+0.53 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
92+0.78 EUR
117+0.61 EUR
130+0.55 EUR
200+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
93+0.78 EUR
138+0.52 EUR
250+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
66+1.1 EUR
92+0.78 EUR
106+0.68 EUR
200+0.6 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
45+1.62 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
100+1.1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
250+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
68+1.05 EUR
80+0.9 EUR
100+0.73 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
71+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7351TRPBF Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf
IRF7413ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8
IRF7416TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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56+1.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab
IRF7425TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
55+1.3 EUR
72+1 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8
IRF7832TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
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Anzahl Preis
91+0.79 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC935A3E8EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7842pbf.pdf?ci_sign=744a801cb6d39a17fc5323a2cd421e1967a6254c
IRF7842TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2118 Stücke:
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44+1.64 EUR
59+1.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 3639 Stücke:
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49+1.48 EUR
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117+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3981 Stücke:
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80+0.9 EUR
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2000+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8734TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c
IRF8734TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
103+0.69 EUR
117+0.61 EUR
128+0.56 EUR
139+0.52 EUR
250+0.46 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4
IRF9310TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
53+1.37 EUR
74+0.97 EUR
100+0.84 EUR
250+0.7 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11
IRF9389TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
IRF9393TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
125+0.57 EUR
176+0.41 EUR
204+0.35 EUR
250+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
98+0.74 EUR
106+0.68 EUR
113+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
32+2.29 EUR
50+1.96 EUR
100+1.83 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
59+1.21 EUR
72+1 EUR
87+0.83 EUR
104+0.69 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
150+0.48 EUR
250+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca
IRFB260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
45+1.6 EUR
48+1.49 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
41+1.77 EUR
50+1.72 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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