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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 400 Stücke:
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50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
55+1.30 EUR
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IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R075CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
Case: PG-VSON-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R085P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42 IPL60R125P7 SMD N channel transistors
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IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R180P6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R185CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
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IPL60R199CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R210P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R285P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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IPL60R299CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R365P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0 IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R650P6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037 IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R070C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R165CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R165CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144dee127e60baf IPL65R165CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R190E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R195C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R210CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144e392799a11a4 IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R230C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332 IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R420E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R420E-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b19d39c60132 IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69 IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166 IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
98+0.73 EUR
109+0.66 EUR
115+0.63 EUR
119+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R950CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
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IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 IPN60R600P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d IPN70R1K0CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f IPN70R1K5CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 IPN70R360P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R2K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R3K3P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
96+0.75 EUR
113+0.63 EUR
123+0.58 EUR
131+0.55 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R600P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R900P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
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IPN95R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
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IPN95R3K7P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
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IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.95 EUR
12+6.26 EUR
15+4.80 EUR
16+4.53 EUR
250+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IPP023N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IPL60R065P7AUMA1 Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7.pdf
IPL60R075CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
Case: PG-VSON-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R085P7AUMA1 Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
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IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
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IPL60R105P7AUMA1 Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
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IPL60R125P7AUMA1 Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R125P7 SMD N channel transistors
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IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6-DTE.pdf
IPL60R180P6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL60R185CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
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IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R1K5C6SATMA1 DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R210P6AUMA1 DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R285P7AUMA1 Infineon-IPL60R285P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed0cea5b3c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
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IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R2K1C6SATMA1 DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R365P7AUMA1 Infineon-IPL60R365P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be57abf3cc0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
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IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL60R650P6SATMA1 DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1 Infineon-IPL65R130C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7977eef9029b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R165CFDAUMA1 Infineon-IPL65R165CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144dee127e60baf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R165CFDAUMA1 SMD N channel transistors
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IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6-DTE.pdf
IPL65R190E6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7-DTE.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R1K5C6SATMA1 DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPL65R210CFDAUMA1 Infineon-IPL65R210CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304344d727a80144e392799a11a4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R230C7AUMA1 Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R310E6AUMA1 Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1 Infineon-IPL65R340CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41d258c14e3d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R420E6AUMA1 Infineon-IPL65R420E-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b19d39c60132
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R660E6AUMA1 Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CE.pdf
IPN50R800CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
98+0.73 EUR
109+0.66 EUR
115+0.63 EUR
119+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CE.pdf
IPN50R950CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1 Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R1K0CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R1K5CE SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
75+0.96 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7.pdf
IPN80R2K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7.pdf
IPN80R3K3P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
96+0.75 EUR
113+0.63 EUR
123+0.58 EUR
131+0.55 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7.pdf
IPN80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP020N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.95 EUR
12+6.26 EUR
15+4.80 EUR
16+4.53 EUR
250+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
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