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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N034ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L054ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211 IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L008-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e19bb10a8 IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L012ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3c0351219 IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC26N10S5L245ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202 IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC40N08S5L140ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC41N06S5N102ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC45N04S6L063HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC50N08S5N102ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC64N08S5L075ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
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IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors
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IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors
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IAUS240N08S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS240N08S5N019.pdf IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors
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IAUS260N10S5N019TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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IAUS300N08S5N011ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS300N08S5N011-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c14610467a IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors
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IAUS300N08S5N011TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS300N08S5N011T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f1ecf7663d49 IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors
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IAUS300N08S5N012ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348 IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors
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IAUS300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS300N08S5N014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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IAUS300N08S5N014TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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IAUS300N10S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c159b7467d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5433F95CF8BF&compId=IAUT150N10S5N035.pdf?ci_sign=6a528e190c175351cabbebf2a2a8afeaca2b9413 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6 IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors
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IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors
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IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUT300N08S5N011ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT300N08S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795d395544683 IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors
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IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors
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IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUT300N10S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors
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IAUZ18N10S5L420ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5 IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors
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IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N034ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUC100N10S5L054ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
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IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L008-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e19bb10a8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
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IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
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IAUC120N04S6L012ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3c0351219
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
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IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
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IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
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IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
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IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
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IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
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IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
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IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208
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IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
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IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC64N08S5L075ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon-IAUC90N10S5N062-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6291c10dd2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS165N08S5N029ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70
IAUS165N08S5N029ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS240N08S5N019ATMA1 IAUS240N08S5N019.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS300N08S5N011ATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N011-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c14610467a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N011T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f1ecf7663d49
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01644081e6ac6348
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors
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IAUS300N08S5N014ATMA1 IAUS300N08S5N014.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUS300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUS300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c159b7467d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT150N10S5N035ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5433F95CF8BF&compId=IAUT150N10S5N035.pdf?ci_sign=6a528e190c175351cabbebf2a2a8afeaca2b9413
IAUT150N10S5N035ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT165N08S5N029ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51
IAUT165N08S5N029ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon-IAUT200N08S5N023-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01611d61e9ce2ab6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon-IAUT240N08S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e0506723e791a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT260N10S5N019ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b
IAUT260N10S5N019ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon-IAUT300N08S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795d395544683
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N08S5N014ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19
IAUT300N08S5N014ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors
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