Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149885) > Seite 1269 nach 2499

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.92 EUR
40+1.8 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
165+0.43 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
91+0.79 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
95+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.82 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
29+2.47 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
58+1.24 EUR
66+1.09 EUR
100+1.02 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
117+0.61 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
177+0.4 EUR
200+0.36 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
83+0.86 EUR
125+0.57 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
102+0.7 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+4.16 EUR
50+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
15+5.09 EUR
50+4.46 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
14+5.36 EUR
17+4.3 EUR
50+3.73 EUR
250+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.26 EUR
21+3.42 EUR
50+3.09 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
100+1.22 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.56 EUR
33+2.23 EUR
50+1.97 EUR
100+1.76 EUR
250+1.56 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
76+0.95 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
101+0.71 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP(B,P)042N03LG.pdf IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
20+3.58 EUR
55+1.3 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
39+1.86 EUR
50+1.66 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
19+3.92 EUR
50+2.72 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
45+1.62 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
49+1.46 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
61+1.17 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
50+2.03 EUR
100+1.87 EUR
250+1.72 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
35+2.04 EUR
37+1.94 EUR
100+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.65 EUR
10+7.39 EUR
50+6.55 EUR
100+6.21 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 214W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
31+2.36 EUR
50+1.5 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
38+1.92 EUR
40+1.8 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
165+0.43 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
91+0.79 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+0.68 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1
IPD80R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
95+0.75 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
62+1.16 EUR
71+1.02 EUR
100+0.82 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD90N04S404 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598
IPD95R450P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
29+2.47 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3G-DTE.pdf
IPI086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
58+1.24 EUR
66+1.09 EUR
100+1.02 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26.6W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
117+0.61 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d
IPN50R950CEATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
177+0.4 EUR
200+0.36 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
83+0.86 EUR
125+0.57 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a
IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
102+0.7 EUR
114+0.63 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
25+4.16 EUR
50+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
15+5.09 EUR
50+4.46 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
14+5.36 EUR
17+4.3 EUR
50+3.73 EUR
250+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.26 EUR
21+3.42 EUR
50+3.09 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
100+1.22 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E95E936085211C&compId=IPP034NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=8d0e6de0bd6b07ddb826b41cbddb3eb2f3531bd6
IPP034NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05
IPP037N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.56 EUR
33+2.23 EUR
50+1.97 EUR
100+1.76 EUR
250+1.56 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a
IPP041N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
76+0.95 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
101+0.71 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
20+3.58 EUR
55+1.3 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
39+1.86 EUR
50+1.66 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b
IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
19+3.92 EUR
50+2.72 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e
IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
45+1.62 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c
IPP052NE7N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
49+1.46 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
61+1.17 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC81F7082D211C&compId=IPP075N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=2206d84c866b44030e934a449c4dbb0ec14767f4
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
50+2.03 EUR
100+1.87 EUR
250+1.72 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
35+2.04 EUR
37+1.94 EUR
100+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.65 EUR
10+7.39 EUR
50+6.55 EUR
100+6.21 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927
IPP111N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 214W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
31+2.36 EUR
50+1.5 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 249 498 747 996 1245 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Nächste Seite >> ]