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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R250CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.299Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB530N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c IPB530N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c IPB600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7dc74c0483 IPB60R080P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e IPB60R099C6ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d IPB60R099C7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b IPB60R099CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a8704aa0489 IPB60R099P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b IPB60R120P7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R125C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R165CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R065C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R110CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R150CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R280E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R310CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R660CFD.pdf IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N04S2H4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t IPB80N08S2L07 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
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IPB90R340C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R2 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S51R2 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R7 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S51R7 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S51R9 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S52R8 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-1R1 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R1 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
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IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S5-5R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S55R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S5L5R5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
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IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5-3R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
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IPC90N04S5L-3R3 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
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IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 IPD025N06NATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
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56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
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86+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP-DTE.pdf
IPB50R250CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP-DTE.pdf
IPB50R299CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.299Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB530N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB600N25N3GATMA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R080P7ATMA1 Infineon-IPB60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a7dc74c0483
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R080P7 SMD N channel transistors
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IPB60R099C6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C6 SMD N channel transistors
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IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C6ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R099C7ATMA1 Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099C7 SMD N channel transistors
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IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R099P7ATMA1 Infineon-IPB60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a8704aa0489
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R099P7 SMD N channel transistors
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IPB60R120P7ATMA1 Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R120P7 SMD N channel transistors
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IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6-DTE.pdf
IPB60R125C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6-DTE.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R165CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPB60R190C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R199CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R250CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6-DTE.pdf
IPB60R280C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R299CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
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IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IPB65R045C7ATMA1 DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R045C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R065C7ATMA1 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R065C7ATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFD-DTE.pdf
IPB65R110CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R150CFDATMA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R150CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7-DTE.pdf
IPB65R190C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFD-DTE.pdf
IPB65R190CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6-DTE.pdf
IPB65R280E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R310CFDATMA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R310CFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R420CFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R420CFDATMA1 SMD N channel transistors
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IPB65R660CFDATMA1 IPx65R660CFD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB65R660CFDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4.pdf
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80N08S2L07 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB80P04P4L04 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1 IPB90R340C3+final+datasheet.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB90R340C3ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5-1R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R2 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R7 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-1R9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S51R9 SMD N channel transistors
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IPC100N04S5-2R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S52R8 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-1R1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-1R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R5 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-1R9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L1R9 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC100N04S5L-2R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC100N04S5L2R6 SMD N channel transistors
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IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S55R8.pdf
IPC50N04S5-5R8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L5R5.pdf
IPC50N04S5L-5R5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 42W
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC70N04S5-4R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC70N04S5L-4R2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC90N04S5-3R6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC90N04S5L-3R3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD025N06NATMA1 SMD N channel transistors
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33+2.19 EUR
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LG-DTE.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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61+1.17 EUR
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