Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (150676) > Seite 1269 nach 2512
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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|---|---|---|---|---|---|
| IAUC120N04S6L012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 115W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N04S6N009ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N06S5L032ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Pulsed drain current: 364A Power dissipation: 94W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC120N06S5N017ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 757A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC24N10S5L300ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors |
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| IAUC26N10S5L245ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors |
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors |
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| IAUC40N08S5L140ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors |
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| IAUC41N06S5L100ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors |
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| IAUC41N06S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors |
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| IAUC45N04S6L063HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors |
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| IAUC45N04S6N070HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors |
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| IAUC50N08S5L096ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors |
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| IAUC50N08S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors |
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| IAUC60N04S6L030HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6L039ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 54A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N031HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N044ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6N050HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 16A Pulsed drain current: 171A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 9.8mΩ Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22.6nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 168A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 168A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N10S5L110ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 88W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC64N08S5L075ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors |
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| IAUC70N08S5N074ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 47A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC80N04S6L032ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors |
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| IAUC90N10S5N062ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors |
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IAUS165N08S5N029ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W Case: PG-HSOG-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 660A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IAUS200N08S5N023ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors |
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| IAUS240N08S5N019ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors |
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| IAUS260N10S5N019TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 91A Pulsed drain current: 995A Power dissipation: 300W Case: PG-HDSOP-16 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 166nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
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| IAUS300N08S5N011ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors |
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| IAUS300N08S5N011TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors |
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| IAUS300N08S5N012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors |
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2kA Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-HSOG-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 230A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
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| IAUS300N08S5N014TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 187nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1186A Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-HDSOP-16 Drain-source voltage: 80V Drain current: 108A On-state resistance: 2.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
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| IAUS300N10S5N014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 216nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1315A Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-HSOG-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A On-state resistance: 2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
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IAUT150N10S5N035ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Power dissipation: 166W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IAUT165N08S5N029ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IAUT200N08S5N023ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors |
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| IAUT240N08S5N019ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors |
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IAUT260N10S5N019ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 260A Power dissipation: 300W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IAUT300N08S5N011ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors |
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| IAUT300N08S5N012ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors |
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IAUT300N08S5N014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8 Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 300A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IAUT300N10S5N014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 216nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1315A Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A On-state resistance: 2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IAUT300N10S5N015ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors |
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| IAUZ18N10S5L420ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors |
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| IAUZ20N08S5L300ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors |
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| IAUZ30N08S5N186ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUZ30N08S5N186 SMD N channel transistors |
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| IAUZ30N10S5L240ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUZ30N10S5L240 SMD N channel transistors |
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| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36.7nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 252A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30.5nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 241A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUZ40N06S5N105ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A On-state resistance: 12.8mΩ Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.3nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUZ40N08S5N100ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 68W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUZ40N10S5L120ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 62W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUZ40N10S5N130ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 68W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| ICE1HS01G1XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
ICE1HS01G-1 Voltage regulators - PWM circuits |
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ICE2A180ZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Frequency: 0.1MHz Number of channels: 1 Case: DIP7 Mounting: THT Operating temperature: -25...130°C Topology: flyback Input voltage: 80...265V Breakdown voltage: 800V Duty cycle factor: 0...77% Application: SMPS Operating voltage: 8.5...21V DC Output current: 4.1A Power: 29/17W Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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ICE2HS01GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20; SMPS Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: resonant mode controller Frequency: 0.03...1MHz Case: PG-DSO-20 Mounting: SMD Operating temperature: -25...125°C Topology: push-pull Application: SMPS Operating voltage: 11...18V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IAUC120N04S6L012ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC120N06S5N017ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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| IAUC24N10S5L300ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
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| IAUC26N10S5L245ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
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| IAUC40N08S5L140ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
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| IAUC41N06S5L100ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
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| IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
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| IAUC45N04S6L063HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
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| IAUC45N04S6N070HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
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| IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
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| IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
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| IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6L045HATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6N031HATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6N044ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N04S6N050HATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC60N10S5L110ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC64N08S5L075ATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC70N08S5N074ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC80N04S6L032ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors
IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUC90N10S5N062ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors
IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUS165N08S5N029ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUS200N08S5N023ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors
IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors
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| IAUS240N08S5N019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors
IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors
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| IAUS260N10S5N019TATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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| IAUS300N08S5N011ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors
IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors
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| IAUS300N08S5N011TATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors
IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors
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| IAUS300N08S5N012ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors
IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors
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| IAUS300N08S5N014ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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| IAUS300N08S5N014TATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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| IAUS300N10S5N014ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT150N10S5N035ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT165N08S5N029ATMA2 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT200N08S5N023ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors
IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUT240N08S5N019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors
IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUT260N10S5N019ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors
IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors
IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUT300N08S5N014ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT300N10S5N014ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IAUT300N10S5N015ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors
IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors
IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUZ20N08S5L300ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors
IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors
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| IAUZ30N08S5N186ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUZ30N08S5N186 SMD N channel transistors
IAUZ30N08S5N186 SMD N channel transistors
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| IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUZ30N10S5L240 SMD N channel transistors
IAUZ30N10S5L240 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.5nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.5nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N06S5N105ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N08S5N100ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N10S5L120ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| ICE1HS01G1XUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ICE1HS01G-1 Voltage regulators - PWM circuits
ICE1HS01G-1 Voltage regulators - PWM circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE2A180ZXKLA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE2HS01GXUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 0.03...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 0.03...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
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