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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.82 EUR
14+5.25 EUR
15+4.96 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA083N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
40+1.8 EUR
46+1.56 EUR
62+1.16 EUR
100+1.04 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0 IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.66 EUR
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
70+1.04 EUR
76+0.95 EUR
91+0.79 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
110+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.29 EUR
12+6.28 EUR
15+5.05 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
44+1.66 EUR
52+1.39 EUR
100+1.24 EUR
250+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1 IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6 IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
153+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02 IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.88 EUR
21+3.4 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
37+1.97 EUR
100+1.62 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
250+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
59+1.23 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
55+1.3 EUR
71+1.02 EUR
100+0.93 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
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IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf IPAN70R360P7S THT N channel transistors
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IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Drain-source voltage: 700V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
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17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
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40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
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12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
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IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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17+4.3 EUR
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IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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10+7.31 EUR
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IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
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15+4.83 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
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27+2.67 EUR
39+1.87 EUR
50+1.83 EUR
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IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.92 EUR
40+1.8 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
165+0.43 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
91+0.79 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
152+0.47 EUR
182+0.39 EUR
191+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.82 EUR
14+5.25 EUR
15+4.96 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5-DTE.pdf
IPA083N10N5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3G-DTE.pdf
IPA086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
40+1.8 EUR
46+1.56 EUR
62+1.16 EUR
100+1.04 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cdc7347c0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.66 EUR
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cd97047bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CE-DTE.pdf
IPA50R280CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
70+1.04 EUR
76+0.95 EUR
91+0.79 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R950CEXKSA2 Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.95 EUR
110+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f
IPA60R125C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6
IPA60R125CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.29 EUR
12+6.28 EUR
15+5.05 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a
IPA60R190P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
44+1.66 EUR
52+1.39 EUR
100+1.24 EUR
250+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R230P6XKSA1 Infineon-IPX60R230P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415f8ab7321ec1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281f9863f444e6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P6XKSA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
153+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R400CEXKSA1 Infineon-IPA60R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c82d428e1f02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CE-DTE.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6-DTE.pdf
IPA65R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.88 EUR
21+3.4 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
37+1.97 EUR
100+1.62 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
250+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
39+1.87 EUR
41+1.77 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R750P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5
IPA80R750P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
59+1.23 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
55+1.3 EUR
71+1.02 EUR
100+0.93 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
20+3.58 EUR
50+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPAN70R360P7SXKSA1 infineon-ipan70r360p7s-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Drain-source voltage: 700V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
132+0.54 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
18+3.99 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.59 EUR
100+2.37 EUR
200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB019N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
14+5.48 EUR
16+4.52 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
25+2.97 EUR
100+2.14 EUR
250+1.94 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.86 EUR
15+4.83 EUR
100+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
39+1.87 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
39+1.84 EUR
40+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
35+2.1 EUR
50+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
38+1.92 EUR
40+1.8 EUR
50+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
82+0.88 EUR
120+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
127+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
65+1.1 EUR
100+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
129+0.55 EUR
136+0.53 EUR
155+0.46 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
37+1.97 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
60+1.2 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
165+0.43 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
91+0.79 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
152+0.47 EUR
182+0.39 EUR
191+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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