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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
23+3.25 EUR
26+2.85 EUR
29+2.52 EUR
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.8 EUR
29+2.53 EUR
31+2.35 EUR
32+2.25 EUR
100+2 EUR
250+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.26 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
95+1.26 EUR
190+1.23 EUR
1900+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA49DF8BDAB53D7&compId=ir2304.pdf?ci_sign=7f72118dd22d9864326e5acc4031a73c65be54a0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
22+3.32 EUR
50+2.92 EUR
100+2.73 EUR
250+2.47 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
64+1.13 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
49+1.47 EUR
58+1.24 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
87+0.83 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
48+1.52 EUR
53+1.37 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
49+1.47 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
100+1.77 EUR
200+1.73 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
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IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
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auf Bestellung 345 Stücke:
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32+2.26 EUR
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
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auf Bestellung 278 Stücke:
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IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
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Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
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auf Bestellung 613 Stücke:
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IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
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Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
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auf Bestellung 1060 Stücke:
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28+2.57 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
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Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
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IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
29+2.46 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRF250P225 IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
12+6.15 EUR
13+5.81 EUR
25+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.35 EUR
30+2.45 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
50+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 27
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IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.68 EUR
29+2.47 EUR
30+2.39 EUR
200+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
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100+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 30
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IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 48
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
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250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF40B207 IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
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IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
105+0.68 EUR
177+0.41 EUR
187+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
47+1.53 EUR
49+1.46 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
100+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
31+2.33 EUR
50+1.86 EUR
100+1.7 EUR
250+1.5 EUR
500+1.37 EUR
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IR2184SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR2184SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
23+3.25 EUR
26+2.85 EUR
29+2.52 EUR
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2184STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR2184STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
29+2.53 EUR
31+2.35 EUR
32+2.25 EUR
100+2 EUR
250+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2214SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2214SSPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.26 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
95+1.26 EUR
190+1.23 EUR
1900+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2302SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1
IR2302SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2304SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA49DF8BDAB53D7&compId=ir2304.pdf?ci_sign=7f72118dd22d9864326e5acc4031a73c65be54a0
IR2304SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR4427PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR4427STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
22+3.32 EUR
50+2.92 EUR
100+2.73 EUR
250+2.47 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
64+1.13 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
49+1.47 EUR
58+1.24 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
87+0.83 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a
IRF1010NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431
IRF1018EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
48+1.52 EUR
53+1.37 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1
IRF1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
49+1.47 EUR
82+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72
IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
38+1.9 EUR
40+1.8 EUR
100+1.77 EUR
200+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF135B203 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797
IRF135B203
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
25+2.96 EUR
34+2.14 EUR
250+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
40+1.83 EUR
50+1.44 EUR
63+1.14 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
50+1.49 EUR
100+1.39 EUR
200+1.29 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
68+1.06 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
53+1.37 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9
IRF1405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
33+2.2 EUR
41+1.76 EUR
53+1.36 EUR
100+1.1 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
51+1.42 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc
IRF2204PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
29+2.46 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720
IRF250P225
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
12+6.15 EUR
13+5.81 EUR
25+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a
IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd
IRF2804STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.35 EUR
30+2.45 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
40+1.8 EUR
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
100+1.1 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
42+1.74 EUR
51+1.41 EUR
100+1.27 EUR
200+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2907ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614
IRF2907ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.68 EUR
29+2.47 EUR
30+2.39 EUR
200+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
77+0.93 EUR
100+0.82 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
45+1.6 EUR
58+1.25 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
69+1.04 EUR
100+0.98 EUR
250+0.91 EUR
500+0.84 EUR
800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
50+1.44 EUR
57+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
50+1.46 EUR
61+1.18 EUR
100+1.06 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
46+1.56 EUR
55+1.31 EUR
100+1.21 EUR
250+1.08 EUR
500+0.98 EUR
800+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
31+2.32 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
24+2.99 EUR
27+2.75 EUR
30+2.46 EUR
50+2.26 EUR
100+2.04 EUR
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDC51618816143&compId=IRF40B207.pdf?ci_sign=12d3808b9e66cb40651b76a6f2b50069792efd39
IRF40B207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBDD1A753CD6143&compId=IRF40R207.pdf?ci_sign=4cd6fca78f66572d898b62deac93256e3bb94244
IRF40R207
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
105+0.68 EUR
177+0.41 EUR
187+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
47+1.53 EUR
49+1.46 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905LPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db
IRF4905LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211
IRF4905PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
52+1.39 EUR
100+1.27 EUR
250+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
31+2.33 EUR
50+1.86 EUR
100+1.7 EUR
250+1.5 EUR
500+1.37 EUR
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
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