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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Case: SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
168+0.43 EUR
207+0.35 EUR
261+0.27 EUR
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
281+0.25 EUR
332+0.22 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
164+0.43 EUR
362+0.2 EUR
994+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
575+0.12 EUR
822+0.087 EUR
1197+0.06 EUR
1266+0.056 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Gate charge: 0.6nC
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
275+0.26 EUR
323+0.22 EUR
505+0.14 EUR
610+0.12 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
154+0.47 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
295+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
250+0.29 EUR
304+0.24 EUR
353+0.2 EUR
407+0.18 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
468+0.15 EUR
554+0.13 EUR
625+0.11 EUR
703+0.1 EUR
946+0.076 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
407+0.18 EUR
583+0.12 EUR
684+0.1 EUR
1091+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Pulsed drain current: 0.92A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
556+0.13 EUR
642+0.11 EUR
851+0.084 EUR
946+0.076 EUR
1244+0.057 EUR
1316+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 1.12A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
200+0.36 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.23A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
183+0.39 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
191+0.38 EUR
247+0.29 EUR
277+0.26 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA927B55CB5EB1CC&compId=BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf?ci_sign=15b0307eacafb5f99389df84c9a392d42ed54513 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
133+0.54 EUR
176+0.41 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 BSS205NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
194+0.37 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.63A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
549+0.13 EUR
633+0.11 EUR
1069+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
2500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 BSS214NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
826+0.087 EUR
873+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
550+0.13 EUR
881+0.081 EUR
1069+0.067 EUR
1389+0.051 EUR
1467+0.049 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3728 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
379+0.19 EUR
479+0.15 EUR
579+0.12 EUR
693+0.1 EUR
957+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7DD62C61DB10B&compId=BSS225H6327FTSA1.pdf?ci_sign=d1dd1bf6451e98d1f321df5d8a294dd402ce6bc6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
138+0.52 EUR
145+0.49 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
75000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
191+0.37 EUR
911+0.079 EUR
964+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
217+0.33 EUR
382+0.19 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
603+0.12 EUR
826+0.087 EUR
937+0.076 EUR
1092+0.065 EUR
1475+0.048 EUR
1558+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 3.2A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
139+0.51 EUR
180+0.4 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
578+0.12 EUR
673+0.11 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6991B9E6C8E211C&compId=BSS7728NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1d15bed56711911e496e833a8f9d71baedf49e5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
463+0.15 EUR
650+0.11 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
278+0.26 EUR
408+0.18 EUR
479+0.15 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
414+0.17 EUR
675+0.11 EUR
1174+0.061 EUR
1241+0.058 EUR
12000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
410+0.17 EUR
554+0.13 EUR
626+0.11 EUR
731+0.098 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
272+0.26 EUR
343+0.21 EUR
410+0.17 EUR
486+0.15 EUR
962+0.074 EUR
1021+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
348+0.21 EUR
447+0.16 EUR
684+0.1 EUR
916+0.078 EUR
1153+0.062 EUR
1367+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
930+0.077 EUR
1027+0.07 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84704B7FFF10B&compId=BSS87H6327FTSA1.pdf?ci_sign=f9330c95011fdd909fb6f9e38030ee639046a456 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Case: SOT89-4
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
210+0.34 EUR
262+0.27 EUR
286+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE506FFFB611C&compId=BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf?ci_sign=2eb03ffea6713708ea6c2abffa5148b9ce7c1547 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF2B639A8A11C&compId=BSZ019N03LS-DTE.pdf?ci_sign=b52c6b23a22669ecf0dae412af6ec741297d374d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF4E393A0611C&compId=BSZ025N04LS-DTE.pdf?ci_sign=c7e189cc621b48c52fd66a8f0c37be3c84d10bf3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113cefe327502e4 BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddeb998f02e7 BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ042N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3 BSZ0506NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ058N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6 BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ068N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSR316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Case: SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
168+0.43 EUR
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261+0.27 EUR
275+0.26 EUR
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BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969
BSR92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
281+0.25 EUR
332+0.22 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.43 EUR
362+0.2 EUR
994+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
575+0.12 EUR
822+0.087 EUR
1197+0.06 EUR
1266+0.056 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Gate charge: 0.6nC
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
275+0.26 EUR
323+0.22 EUR
505+0.14 EUR
610+0.12 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
154+0.47 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
295+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
250+0.29 EUR
304+0.24 EUR
353+0.2 EUR
407+0.18 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BSS131H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e
BSS131H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
468+0.15 EUR
554+0.13 EUR
625+0.11 EUR
703+0.1 EUR
946+0.076 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
407+0.18 EUR
583+0.12 EUR
684+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Pulsed drain current: 0.92A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
556+0.13 EUR
642+0.11 EUR
851+0.084 EUR
946+0.076 EUR
1244+0.057 EUR
1316+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 1.12A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
200+0.36 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250
BSS159NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.23A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
183+0.39 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
191+0.38 EUR
247+0.29 EUR
277+0.26 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA927B55CB5EB1CC&compId=BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf?ci_sign=15b0307eacafb5f99389df84c9a392d42ed54513
BSS192PH6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
133+0.54 EUR
176+0.41 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS205NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6013 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
194+0.37 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.63A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
549+0.13 EUR
633+0.11 EUR
1069+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
2500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS214NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
826+0.087 EUR
873+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c
BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3366 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
550+0.13 EUR
881+0.081 EUR
1069+0.067 EUR
1389+0.051 EUR
1467+0.049 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3728 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
379+0.19 EUR
479+0.15 EUR
579+0.12 EUR
693+0.1 EUR
957+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS225H6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7DD62C61DB10B&compId=BSS225H6327FTSA1.pdf?ci_sign=d1dd1bf6451e98d1f321df5d8a294dd402ce6bc6
BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
138+0.52 EUR
145+0.49 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
75000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
191+0.37 EUR
911+0.079 EUR
964+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
217+0.33 EUR
382+0.19 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
603+0.12 EUR
826+0.087 EUR
937+0.076 EUR
1092+0.065 EUR
1475+0.048 EUR
1558+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 3.2A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
139+0.51 EUR
180+0.4 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
578+0.12 EUR
673+0.11 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6991B9E6C8E211C&compId=BSS7728NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1d15bed56711911e496e833a8f9d71baedf49e5f
BSS7728NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
650+0.11 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
278+0.26 EUR
408+0.18 EUR
479+0.15 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
414+0.17 EUR
675+0.11 EUR
1174+0.061 EUR
1241+0.058 EUR
12000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
410+0.17 EUR
554+0.13 EUR
626+0.11 EUR
731+0.098 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
272+0.26 EUR
343+0.21 EUR
410+0.17 EUR
486+0.15 EUR
962+0.074 EUR
1021+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
348+0.21 EUR
447+0.16 EUR
684+0.1 EUR
916+0.078 EUR
1153+0.062 EUR
1367+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
930+0.077 EUR
1027+0.07 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84704B7FFF10B&compId=BSS87H6327FTSA1.pdf?ci_sign=f9330c95011fdd909fb6f9e38030ee639046a456
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Case: SOT89-4
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
210+0.34 EUR
262+0.27 EUR
286+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE506FFFB611C&compId=BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf?ci_sign=2eb03ffea6713708ea6c2abffa5148b9ce7c1547
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa
BSZ018NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6
BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ019N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF2B639A8A11C&compId=BSZ019N03LS-DTE.pdf?ci_sign=b52c6b23a22669ecf0dae412af6ec741297d374d
BSZ019N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ025N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF4E393A0611C&compId=BSZ025N04LS-DTE.pdf?ci_sign=c7e189cc621b48c52fd66a8f0c37be3c84d10bf3
BSZ025N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ028N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471
BSZ028N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113cefe327502e4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddeb998f02e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
93+0.78 EUR
98+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0506NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8
BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9
BSZ050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ065N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870
BSZ065N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ068N06NSATMA1 Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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