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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
256+0.28 EUR
334+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
343+0.21 EUR
391+0.18 EUR
455+0.16 EUR
544+0.13 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
556+0.13 EUR
723+0.099 EUR
820+0.087 EUR
918+0.078 EUR
1025+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
715+0.1 EUR
847+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193E6327 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193FH6327 BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
336+0.21 EUR
472+0.15 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193L3E6327 NPN SMD transistors
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
202+0.35 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
10000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
325+0.22 EUR
388+0.18 EUR
481+0.15 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR360F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
348+0.21 EUR
391+0.18 EUR
459+0.16 EUR
516+0.14 EUR
569+0.13 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380FH6327 BFR380FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DA5C602CE11C&compId=BFR380FH6327-dte.pdf?ci_sign=f554be1c0ad7074722cef881db18471561449346 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSFP-3
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
197+0.36 EUR
329+0.22 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DC0BC51BC11C&compId=BFR380L3E6327-dte.pdf?ci_sign=b5f19b4970edb76116e8ca3bf21f1178122d9548 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
834+0.086 EUR
962+0.074 EUR
1009+0.071 EUR
1053+0.068 EUR
1060+0.067 EUR
1114+0.064 EUR
2500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
472+0.15 EUR
544+0.13 EUR
638+0.11 EUR
711+0.1 EUR
789+0.091 EUR
875+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
183+0.39 EUR
205+0.35 EUR
237+0.3 EUR
264+0.27 EUR
285+0.25 EUR
315+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
376+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFS483H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC20A4F8F5353D7&compId=BFS483H6327.pdf?ci_sign=61c3d157ad5086885e7ea2f5e876061a78c1bec1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2721 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9DD4A23BA301E28&compId=BGT24MTR12.pdf?ci_sign=f624d640ac2e865a0dc9b9642ef785ba696a0b44 Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 1
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Noise Figure: 12dB
Open-loop gain: 26dB
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
463+0.15 EUR
521+0.14 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
41+1.77 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
144+0.5 EUR
155+0.46 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 63
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BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
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174+0.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 81
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
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73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
127+0.56 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2591 Stücke:
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53+1.36 EUR
76+0.94 EUR
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106+0.68 EUR
250+0.6 EUR
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1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
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91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
139+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
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36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
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91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
329+0.22 EUR
400+0.18 EUR
454+0.16 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
305+0.23 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
618+0.12 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C25C1489EFE469&compId=BSL215CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a00f3acfd22f79b2d11b8c2d73959540f65466f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
201+0.36 EUR
207+0.35 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
400+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C272455EE04469&compId=BSL316CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=14aa7da8dcaaad0b75d5e3d2295a1488451ee071 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
210+0.34 EUR
293+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
98+0.74 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 98
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BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
119+0.6 EUR
155+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
93+0.77 EUR
130+0.55 EUR
150+0.48 EUR
157+0.46 EUR
200+0.42 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
268+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
148+0.48 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
95+0.75 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR106E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0
BFR106E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
256+0.28 EUR
334+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310
BFR181E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
343+0.21 EUR
391+0.18 EUR
455+0.16 EUR
544+0.13 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
556+0.13 EUR
723+0.099 EUR
820+0.087 EUR
918+0.078 EUR
1025+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR182WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025
BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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BFR193E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR193E6327 NPN SMD transistors
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168+0.43 EUR
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BFR193FH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d
BFR193FH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
336+0.21 EUR
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618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193L3E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR193L3E6327 NPN SMD transistors
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296+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
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152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
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388+0.18 EUR
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BFR360FH6327XTSA1 BFR360F.pdf
BFR360FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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278+0.26 EUR
348+0.21 EUR
391+0.18 EUR
459+0.16 EUR
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569+0.13 EUR
625+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380FH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DA5C602CE11C&compId=BFR380FH6327-dte.pdf?ci_sign=f554be1c0ad7074722cef881db18471561449346
BFR380FH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSFP-3
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5595 Stücke:
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152+0.47 EUR
197+0.36 EUR
329+0.22 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380L3E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DC0BC51BC11C&compId=BFR380L3E6327-dte.pdf?ci_sign=b5f19b4970edb76116e8ca3bf21f1178122d9548
BFR380L3E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
962+0.074 EUR
1009+0.071 EUR
1053+0.068 EUR
1060+0.067 EUR
1114+0.064 EUR
2500+0.062 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR92PE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9
BFR92PE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
472+0.15 EUR
544+0.13 EUR
638+0.11 EUR
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789+0.091 EUR
875+0.082 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9174 Stücke:
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Anzahl Preis
152+0.47 EUR
183+0.39 EUR
205+0.35 EUR
237+0.3 EUR
264+0.27 EUR
285+0.25 EUR
315+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
376+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFS483H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC20A4F8F5353D7&compId=BFS483H6327.pdf?ci_sign=61c3d157ad5086885e7ea2f5e876061a78c1bec1
BFS483H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2721 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX22G2A10E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGT24MTR12E6327XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9DD4A23BA301E28&compId=BGT24MTR12.pdf?ci_sign=f624d640ac2e865a0dc9b9642ef785ba696a0b44
BGT24MTR12E6327XUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 1
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Noise Figure: 12dB
Open-loop gain: 26dB
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGX50AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b
BGX50AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
463+0.15 EUR
521+0.14 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 463
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0
BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.5 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
41+1.77 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39
BSC080N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
144+0.5 EUR
155+0.46 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
156+0.46 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348
BSC0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2591 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
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112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
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250+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
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36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
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91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
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Anzahl Preis
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2609 Stücke:
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
329+0.22 EUR
400+0.18 EUR
454+0.16 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
305+0.23 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
618+0.12 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C25C1489EFE469&compId=BSL215CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a00f3acfd22f79b2d11b8c2d73959540f65466f
BSL215CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
201+0.36 EUR
207+0.35 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e
BSL308CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
400+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C272455EE04469&compId=BSL316CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=14aa7da8dcaaad0b75d5e3d2295a1488451ee071
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
210+0.34 EUR
293+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
98+0.74 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
119+0.6 EUR
155+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104
BSP295H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
93+0.77 EUR
130+0.55 EUR
150+0.48 EUR
157+0.46 EUR
200+0.42 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
268+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7
BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee
BSP317PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
148+0.48 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
95+0.75 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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