Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (152096) > Seite 1259 nach 2535
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BFR380L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | BFR380L3E6327 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 12501 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFR740L3RHE6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BFR92PE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8115 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFR93AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13009 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFR93AWH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14834 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFS481H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT363 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFS483H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2741 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BGA524N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape Type of integrated circuit: RF amplifier Bandwidth: 1550...1615MHz Mounting: SMT Number of channels: 1 Case: TSNP6 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: low noise Application: global navigation satellite systems (GPS) Noise Figure: 0.55dB Operating voltage: 1.5...3.3V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BGS12P2L6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGS12SN6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGS13S4N9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGS14MPA9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz Case: ATSLP-9-3 Mounting: SMD Supply voltage: 1.65...1.95V DC Number of channels: 4 Bandwidth: 0.05...6GHz Application: telecommunication Interface: MIPI Type of integrated circuit: RF switch Output configuration: SP4T Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BGSA14GN10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz Output configuration: DPDT Supply voltage: 1.65...3.4V DC Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz Application: telecommunication Mounting: SMD Case: ATSLP-10-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGSX24MU16E6327XUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGT24MTR11E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BGT24MTR12E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C Type of integrated circuit: interface Interface: SPI Kind of package: reel; tape Case: VQFN32 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Number of receivers: 2 Number of transmitters: 1 Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver Noise Figure: 12dB DC supply current: 210mA Supply voltage: 3.135...3.465V DC Frequency: 24...24.25GHz Open-loop gain: 26dB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BGX50AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | BGX50AE6327 SMD universal diodes |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSB008NE2LXXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB012NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB013NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 57W Drain current: 103A Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSB014N04LX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W On-state resistance: 1.4mΩ Power dissipation: 89W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 180A Drain-source voltage: 40V Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSB015N04NX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSB028N06NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 78W Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB104N08NP3GXUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB165N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSB280N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2 Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 28mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Power dissipation: 57W Drain-source voltage: 150V Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC009NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC010N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 67nC Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC010N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC010N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC010NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC010NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 38A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.05mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC011N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC011N03LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC014N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC014NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC016N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC016N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC017N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC019N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC019N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BSC019N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC022N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC022N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC024NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC026N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BFR380L3E6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR380L3E6327 NPN SMD transistors
BFR380L3E6327 NPN SMD transistors
auf Bestellung 12501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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358+ | 0.2 EUR |
676+ | 0.11 EUR |
715+ | 0.1 EUR |
BFR740L3RHE6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BFR92PE6327 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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295+ | 0.24 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
439+ | 0.16 EUR |
556+ | 0.13 EUR |
596+ | 0.12 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
893+ | 0.08 EUR |
BFR93AE6327 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13009 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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179+ | 0.4 EUR |
236+ | 0.3 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
353+ | 0.2 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
944+ | 0.076 EUR |
981+ | 0.073 EUR |
BFR93AWH6327 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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455+ | 0.16 EUR |
650+ | 0.11 EUR |
782+ | 0.092 EUR |
944+ | 0.076 EUR |
999+ | 0.072 EUR |
12000+ | 0.069 EUR |
BFS481H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT363
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT363
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BFS483H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
BFS483H6327 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
BGA524N6E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: low noise
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: low noise
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BGS12P2L6E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS12P2L6E6327XTSA Analog multiplexers and switches
BGS12P2L6E6327XTSA Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BGS12SN6E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS12SN6E6327XTSA1 Analog multiplexers and switches
BGS12SN6E6327XTSA1 Analog multiplexers and switches
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Stück im Wert von UAH
BGS13S4N9E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
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BGS14MPA9E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Number of channels: 4
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Interface: MIPI
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Number of channels: 4
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Interface: MIPI
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BGSA14GN10E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSA14GN10E6327 Analog multiplexers and switches
BGSA14GN10E6327 Analog multiplexers and switches
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Stück im Wert von UAH
BGSX22G2A10E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
BGSX22G5A10E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
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Stück im Wert von UAH
BGSX24MU16E6327XUSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24LTR11 Integrated circuits - others
BGT24LTR11 Integrated circuits - others
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Stück im Wert von UAH
BGT24MTR11E6327XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BGT24MTR12E6327XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 1
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Noise Figure: 12dB
DC supply current: 210mA
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Frequency: 24...24.25GHz
Open-loop gain: 26dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Number of receivers: 2
Number of transmitters: 1
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Noise Figure: 12dB
DC supply current: 210mA
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Frequency: 24...24.25GHz
Open-loop gain: 26dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.72 EUR |
BGX50AE6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGX50AE6327 SMD universal diodes
BGX50AE6327 SMD universal diodes
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
371+ | 0.19 EUR |
569+ | 0.13 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
BSB008NE2LXXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSB012NE2LXIXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
BSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB013NE2LXIXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSB014N04LX3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB015N04NX3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB028N06NN3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB044N08NN3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB056N10NN3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB104N08NP3GXUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSB165N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB165N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB165N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC009NE2LS5IATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors
BSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC009NE2LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC010N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC010N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC010N04LSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC010NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC010NE2LSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC011N03LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC011N03LSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N04LSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC014NE2LSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC016N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC016N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 |
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BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BSC019N04NSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC022N04LS6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC022N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC022N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC022N04LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BSC024NE2LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC025N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N02KSGAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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