Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (151635) > Seite 1259 nach 2528
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Drain current: 55A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 66W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC123N10LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Drain current: 71A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 114W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.125Ω Drain current: 11.3A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC150N03LDGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 16mΩ Drain current: 42A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 60W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.165Ω Drain current: 10.9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 62.5W Drain-source voltage: 250V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC190N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19mΩ Drain current: 44A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 69W Drain-source voltage: 120V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1741 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC196N10NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19.6mΩ Drain current: 45A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 78W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC265N10LSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC320N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 36A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 3543 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC360N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC500N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC600N25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Kind of channel: enhancement Case: SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.39A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSF030NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 28W Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSF035NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF134N10NJ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF450NE7NH3XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL211SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain current: 1.4A Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.56Ω Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2072 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL372SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4585 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSM200GB60DLC | INFINEON TECHNOLOGIES | BSM200GB60DLC IGBT modules |
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BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.3A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -7A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -7A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -4.6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.79W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -13.8A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.44A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1543 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC123N08NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.69 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
86+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
BSC123N10LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC150N03LDGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC160N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC16DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 10.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 10.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC190N12NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Drain-source voltage: 120V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Drain-source voltage: 120V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC190N15NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
BSC196N10NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC252N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC265N10LSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC320N20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
BSC360N15NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC500N20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC520N15NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC600N25NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD214SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD223PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
404+ | 0.18 EUR |
477+ | 0.15 EUR |
511+ | 0.14 EUR |
667+ | 0.11 EUR |
705+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.099 EUR |
BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
117+ | 0.61 EUR |
747+ | 0.096 EUR |
782+ | 0.092 EUR |
BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.11 EUR |
BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
231+ | 0.31 EUR |
329+ | 0.22 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
794+ | 0.09 EUR |
834+ | 0.086 EUR |
6000+ | 0.083 EUR |
BSF030NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF035NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
230+ | 0.31 EUR |
1000+ | 0.3 EUR |
BSL211SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL214NH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
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BSL215CH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
201+ | 0.36 EUR |
213+ | 0.34 EUR |
250+ | 0.32 EUR |
BSL296SNH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL307SPH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
93+ | 0.77 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
178+ | 0.4 EUR |
327+ | 0.22 EUR |
348+ | 0.21 EUR |
3000+ | 0.2 EUR |
BSL308CH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 0.84 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
293+ | 0.24 EUR |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
98+ | 0.73 EUR |
226+ | 0.32 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
3000+ | 0.29 EUR |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
102+ | 0.71 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
410+ | 0.17 EUR |
BSL372SNH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
178+ | 0.4 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
BSL802SNH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSM200GB60DLC |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSM200GB60DLC IGBT modules
BSM200GB60DLC IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSO033N03MSGXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO080P03SHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO150N03MDGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO201SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO203PHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO203SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
218+ | 0.33 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
BSO211PHXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
237+ | 0.3 EUR |
BSO220N03MDGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO301SPHXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
200+ | 0.43 EUR |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.72 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
148+ | 0.49 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
200+ | 0.44 EUR |
BSP129H6906XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.56 EUR |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 1.4 EUR |
71+ | 1.01 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
1000+ | 0.56 EUR |