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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
31+2.32 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A1DE2482E11C&compId=BSC030N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=e2923a653bbc49ae9f0a658a51ab2dbc6a80e934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
46+1.57 EUR
50+1.43 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC031N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
59+1.23 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A99160AE011C&compId=BSC032NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=fba83687b313e70a9dcdb9920d08f73dceae32cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NS BSC039N06NS INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E7B9E48F611C&compId=BSC040N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=1afe5a86553b823be907139a75c36c5eed705e55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366 BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25 BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC046N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC046N10NS3G.pdf BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F74B50B0811C&compId=BSC0501NSI-DTE.pdf?ci_sign=3e21b3e46ed68d71901e7df3c9e2d2453ebc58d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FCC41651611C&compId=BSC050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=55fc8546e1bdca0ab93af1429ad045914edb6305 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FE70931A411C&compId=BSC050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=30504bf576f6632aed8312b78da20e1992fd0544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC054N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7 BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
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BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874DAA9396E11C&compId=BSC0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=1a6e993ca51164ce3845b282c744d47c054d2816 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
74+0.98 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
120+0.60 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
142+0.51 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
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Mindestbestellmenge: 97
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BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0
BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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31+2.32 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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BSC030N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2
BSC030N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5
BSC030N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A1DE2482E11C&compId=BSC030N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=e2923a653bbc49ae9f0a658a51ab2dbc6a80e934
BSC030N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3G-DTE.pdf
BSC031N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A99160AE011C&compId=BSC032NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=fba83687b313e70a9dcdb9920d08f73dceae32cc
BSC032NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae
BSC039N06NS
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E7B9E48F611C&compId=BSC040N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=1afe5a86553b823be907139a75c36c5eed705e55
BSC040N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03LSGATMA1 dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03MSGATMA1 Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F74B50B0811C&compId=BSC0501NSI-DTE.pdf?ci_sign=3e21b3e46ed68d71901e7df3c9e2d2453ebc58d4
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0503NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf
BSC0503NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0504NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FCC41651611C&compId=BSC050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=55fc8546e1bdca0ab93af1429ad045914edb6305
BSC050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FE70931A411C&compId=BSC050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=30504bf576f6632aed8312b78da20e1992fd0544
BSC050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FFC98BBD611C&compId=BSC050N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=bab86aea4c7844d5cff3c21b3c415e028bec8062
BSC050N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f
BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG-DTE.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N03LSGATMA1 Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N03MSGATMA1 Infineon-BSC057N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de68c6ce037a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917
BSC060P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC061N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f
BSC061N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC066N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d
BSC066N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC067N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c
BSC067N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa
BSC070N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC072N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e
BSC072N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393
BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC077N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b
BSC077N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39
BSC080N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c84ef6ec327c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155
BSC0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874DAA9396E11C&compId=BSC0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=1a6e993ca51164ce3845b282c744d47c054d2816
BSC0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d
BSC0902NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
74+0.98 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0904NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92
BSC0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
120+0.60 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348
BSC0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
142+0.51 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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