Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149672) > Seite 1249 nach 2495
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BSC011N03LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC014N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC014NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC016N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC016N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC017N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC019N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC019N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC019N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC022N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 FL Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC022N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC024NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 25A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC026N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC026N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 66A Power dissipation: 29W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC027N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC028N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3432 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC030N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 98A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC030N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC030N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC030N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC031N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC032N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC032NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 84A Power dissipation: 37W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC034N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC035N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC039N06NS | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC040N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC042N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC042N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC042NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC046N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0501NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC0503NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC0504NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 72A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 71A Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC050NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A Power dissipation: 28W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC052N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC054N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 81A Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC057N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC057N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC011N03LSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC014N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC014N04LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC014N04LSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC014N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC014NE2LSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BSC016N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC016N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC016N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC018N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC019N02KSGAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC019N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC019N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC022N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC022N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC024NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC025N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026N02KSGAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC027N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC027N06LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC028N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.80 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
BSC030N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.87 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
5000+ | 0.99 EUR |
BSC031N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC032N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
BSC032NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC034N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC035N04LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC035N10NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC036NE7NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC037N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC039N06NS |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC040N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC040N10NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC042N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC046N10NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC047N08NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0501NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0503NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0504NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050NE2LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC052N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC054N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH