Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149582) > Seite 1250 nach 2494
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC0910NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0911NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0923NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0924NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0925NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC093N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3751 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC098N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.8nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 176A Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 45nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4643 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC105N10LSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 304A Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 48A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 49A On-state resistance: 11.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC118N10NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A On-state resistance: 11.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC120N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 33A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC120N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC123N10LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 11.3A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC150N03LDGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC190N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 120V Drain current: 44A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC196N10NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A On-state resistance: 19.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC265N10LSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC320N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC360N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC500N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC600N25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.35Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3936 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSF030NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSF035NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF134N10NJ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF450NE7NH3XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 15A Power dissipation: 18W Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL211SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSL214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain current: 1.4A Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.56Ω Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Power dissipation: 0.5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.4/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL372SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 4797 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BSC0910NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0911NDATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0923NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0924NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0925NDATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC093N04LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.51 EUR |
BSC097N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSC098N10NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
2000+ | 0.40 EUR |
2500+ | 0.39 EUR |
BSC105N10LSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC117N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC118N10NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC120N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC120N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.70 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
BSC123N10LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC150N03LDGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC160N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC16DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC190N12NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC190N15NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.00 EUR |
BSC196N10NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC252N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BSC265N10LSFGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC320N20NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
BSC360N15NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC500N20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC520N15NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC600N25NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSD214SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSD223PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD223PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSD223PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
211+ | 0.34 EUR |
665+ | 0.11 EUR |
703+ | 0.10 EUR |
1500+ | 0.10 EUR |
BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
242+ | 0.30 EUR |
374+ | 0.19 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
736+ | 0.10 EUR |
782+ | 0.09 EUR |
BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.40 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.11 EUR |
BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
309+ | 0.23 EUR |
360+ | 0.20 EUR |
459+ | 0.16 EUR |
794+ | 0.09 EUR |
834+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
BSF030NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF035NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 0.76 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
229+ | 0.31 EUR |
3000+ | 0.30 EUR |
BSL211SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSL214NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
201+ | 0.36 EUR |
213+ | 0.34 EUR |
250+ | 0.32 EUR |
BSL296SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 0.74 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
237+ | 0.30 EUR |
500+ | 0.29 EUR |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
129+ | 0.56 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
239+ | 0.30 EUR |
246+ | 0.29 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
410+ | 0.17 EUR |
BSL372SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.15 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
BSL802SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH