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CY62137EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8fb93241&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62137EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV18LL-55BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV18_MoBL(R)_2-Mbit_(128_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe93e13249 62137FV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f 62137FV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f 62137FV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62146EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62146EV30_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe5b4d31de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62146EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62146EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62146EV30_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe5b4d31de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62146EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62147EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES CY62147EV30_MoBL_RevT_6-26-20.pdf 62147EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62148EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d 62148EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62148EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TSOP32 II
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY62157EV30LL-45BVXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 62157EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62157EV30LL-45ZSXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 62157EV30LL45ZSXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62158EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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CY62158EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY62167EV18LL-55BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167EV30LL-45BVXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62167EV30_MoBL_16-Mbit_(1M_x_16_2M_x_8)_Static_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe4ea831c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62168EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=50111 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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CY62177EV30LL-55BAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62177EV30_MOBL_32_MBIT_(2M_X_16_4M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebefcbd3300&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62177EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62187EV30LL-55BAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62187EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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65DN06B02ELEMXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391 65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
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6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 13...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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6EDL04N02PR 6EDL04N02PR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597E2A9163A8747&compId=6EDL04N02PR.pdf?ci_sign=8bd3da517352d4c6ba4d0d0ba3a732ae80bcef92 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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CY7C1061GE30-10BV1XIT INFINEON TECHNOLOGIES download 7C1061GE3010BV1XIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY7C1312KV18-250BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY7C15632KV18-400BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download 7C15632KV18400BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25632KV18-550BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download 7C25632KV18550BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-400BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download 7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-500BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download 7C25652KV18500BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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AIDK10S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 33A
Leakage current: 12µA
Power dissipation: 53W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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AIDK12S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A; 62W
Power dissipation: 62W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 14µA
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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AIDW10S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW10S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2e5c35686 AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW12S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW16S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680 AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW20S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689 AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW30S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683 AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW40S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA17D8D761D820&compId=AIGW40N65F5.pdf?ci_sign=9f18b81e1388b36fe28a61d1a64aea2a56a17800 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA1E5F77139820&compId=AIGW40N65H5.pdf?ci_sign=2a5ebfdaf36f3a1c5d8093fdcc4ae6cc86adb1bc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.32 EUR
12+6.03 EUR
240+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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AIHD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60RATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA5C743CCE9820&compId=AIHD10N60RF.pdf?ci_sign=bac07947d49b12dbb3c05a8d007c6697ec7f2c24 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA62BF3FDC1820&compId=AIHD15N60R.pdf?ci_sign=1030122affd7dc3ad569ab50afc6205a19c2f6a1 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 26ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA66FDB7EC1820&compId=AIHD15N60RF.pdf?ci_sign=ca42b879f16dea63ab2fd70290170f430052ad65 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
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AIKQ100N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99 AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
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CY62137EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62137EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8fb93241&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62137EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV18LL-55BVXIT Infineon-CY62137FV18_MoBL(R)_2-Mbit_(128_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe93e13249
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62137FV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV30LL-45BVXIT Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62137FV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62137FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9762324f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62137FV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62137FV30LL-55ZSXET download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62137FV30LL55ZSXET Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62138EV30LL-45BVXIT ?docID=45534
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62138EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62138FV30LL-45ZAXAT ?docID=49121
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62138FV30LL45ZAXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62138FV30LL-45ZAXIT ?docID=49121
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62138FV30LL45ZAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62146EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62146EV30_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe5b4d31de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62146EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62146EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62146EV30_MOBL_4_MBIT_(256K_X_16)_STATIC_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe5b4d31de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
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62146EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62147EV18LL-55BVXIT ?docID=45535
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62147EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62147EV30LL-45B2XIT ?docID=45537
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62147EV30LL45B2XIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62147EV30LL-45BVXIT CY62147EV30_MoBL_RevT_6-26-20.pdf
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62147EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62147EV30LL-45ZSXIT CY62147EV30_MoBL_RevT_6-26-20.pdf
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62147EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62148EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62148EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62148EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TSOP32 II
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY62157EV18LL-55BVXIT ?docID=49267 CYPRS13583-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62157EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62157EV30LL-45BVXAT Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62157EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62157EV30LL-45ZSXAT Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62157EV30LL45ZSXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62158EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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CY62158EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY62167DV30LL-55BVXIT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167DV30LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167EV18LL-55BVXIT Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167EV30LL-45BVXAT Infineon-CY62167EV30_MoBL_16-Mbit_(1M_x_16_2M_x_8)_Static_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe4ea831c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62168EV30LL-45BVXIT ?docID=50111
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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CY62177EV30LL-55BAXIT Infineon-CY62177EV30_MOBL_32_MBIT_(2M_X_16_4M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebefcbd3300&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62177EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62187EV30LL-55BAXIT Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62187EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
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6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 13...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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6EDL04N02PR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597E2A9163A8747&compId=6EDL04N02PR.pdf?ci_sign=8bd3da517352d4c6ba4d0d0ba3a732ae80bcef92
6EDL04N02PR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 200V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1061GE30-10BV1XIT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C1061GE3010BV1XIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1312KV18-250BZXCT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C15632KV18-400BZXC download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C15632KV18400BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25632KV18-550BZXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25632KV18550BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-400BZXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-500BZXC download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25652KV18500BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK08S65C5ATMA1 Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK10S65C5ATMA1 Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 33A
Leakage current: 12µA
Power dissipation: 53W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A; 62W
Power dissipation: 62W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 14µA
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW10S65C5XKSA1 Infineon-AIDW10S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2e5c35686
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW12S65C5XKSA1 Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW16S65C5XKSA1 Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW20S65C5XKSA1 Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW30S65C5XKSA1 Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW40S65C5XKSA1 Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW40N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA17D8D761D820&compId=AIGW40N65F5.pdf?ci_sign=9f18b81e1388b36fe28a61d1a64aea2a56a17800
AIGW40N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW40N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA1E5F77139820&compId=AIGW40N65H5.pdf?ci_sign=2a5ebfdaf36f3a1c5d8093fdcc4ae6cc86adb1bc
AIGW40N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.32 EUR
12+6.03 EUR
240+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7
AIGW50N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD04N60RATMA1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD04N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD04N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD06N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD10N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b
AIHD10N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD10N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA5C743CCE9820&compId=AIHD10N60RF.pdf?ci_sign=bac07947d49b12dbb3c05a8d007c6697ec7f2c24
AIHD10N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA62BF3FDC1820&compId=AIHD15N60R.pdf?ci_sign=1030122affd7dc3ad569ab50afc6205a19c2f6a1
AIHD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 26ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD15N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA66FDB7EC1820&compId=AIHD15N60RF.pdf?ci_sign=ca42b879f16dea63ab2fd70290170f430052ad65
AIHD15N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
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14+5.29 EUR
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AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
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