Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148618) > Seite 1245 nach 2477
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSC900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.35Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Case: SOT363 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSF030NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF035NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF134N10NJ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSF450NE7NH3XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL211SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Case: PG-TSOP-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.4/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL372SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4645 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSM200GB60DLC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.3A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2213 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.56W Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1072 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS® Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP50H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
BSP603S2L | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP603S2L SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC900N20NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD214SNH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD223PH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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218+ | 0.33 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
443+ | 0.16 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
653+ | 0.11 EUR |
691+ | 0.10 EUR |
BSD235CH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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148+ | 0.49 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
242+ | 0.30 EUR |
374+ | 0.19 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
747+ | 0.10 EUR |
782+ | 0.09 EUR |
BSD235NH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.40 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
463+ | 0.15 EUR |
589+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.11 EUR |
BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
209+ | 0.34 EUR |
309+ | 0.23 EUR |
360+ | 0.20 EUR |
459+ | 0.16 EUR |
794+ | 0.09 EUR |
834+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
BSF030NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF030NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
BSF030NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF035NE2LQXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 0.76 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
231+ | 0.31 EUR |
3000+ | 0.30 EUR |
BSL211SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSL214NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
201+ | 0.36 EUR |
213+ | 0.34 EUR |
250+ | 0.32 EUR |
BSL296SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 0.74 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Case: PG-TSOP-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Case: PG-TSOP-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
220+ | 0.33 EUR |
232+ | 0.31 EUR |
400+ | 0.30 EUR |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
129+ | 0.56 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
239+ | 0.30 EUR |
246+ | 0.29 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
410+ | 0.17 EUR |
BSL372SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
178+ | 0.40 EUR |
242+ | 0.30 EUR |
257+ | 0.28 EUR |
500+ | 0.27 EUR |
BSL802SNH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSM200GB60DLC |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BSO033N03MSGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO080P03SHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO150N03MDGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO201SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO203PHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO203SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 0.74 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
195+ | 0.37 EUR |
BSO220N03MDGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.56W
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.56W
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
88+ | 0.81 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 0.93 EUR |
94+ | 0.77 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
250+ | 0.45 EUR |
500+ | 0.44 EUR |
BSP129H6906XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.63 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
250+ | 0.57 EUR |
1000+ | 0.56 EUR |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.87 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
1000+ | 0.56 EUR |
BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.62 EUR |
60+ | 1.21 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
1000+ | 0.59 EUR |
BSP149H6906XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
2000+ | 0.36 EUR |
BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
197+ | 0.36 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
1000+ | 0.40 EUR |
BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.15 EUR |
212+ | 0.34 EUR |
225+ | 0.32 EUR |
BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.15 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
1000+ | 0.44 EUR |
BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
73+ | 0.99 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
164+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.18 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.56 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
139+ | 0.52 EUR |
147+ | 0.49 EUR |
5000+ | 0.48 EUR |
BSP452 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.08 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
2000+ | 1.50 EUR |
BSP50H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP603S2L |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP603S2L SMD N channel transistors
BSP603S2L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
100+ | 0.75 EUR |