Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148618) > Seite 1244 nach 2477

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC059N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a BSC060N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC066N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec BSC066N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f BSC070N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c BSC070N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC072N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 BSC076N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 BSC077N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
164+0.44 EUR
173+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC082N10LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC084P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c84ef6ec327c BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
74+0.98 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0904NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
101+0.71 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
184+0.39 EUR
208+0.34 EUR
222+0.32 EUR
231+0.31 EUR
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0911NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0923NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6 BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0925NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1.00 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
250+0.53 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC097N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 BSC097N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
2000+0.40 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC105N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC110N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC118N10NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 28W
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N10LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC16DN25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N12NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC196N10NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC252N10NSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.30 EUR
215+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC066N06NSATMA1 Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC066N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC070N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC070N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5-DTE.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC076N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC077N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSG-DTE.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
164+0.44 EUR
173+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c84ef6ec327c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS-DTE.pdf
BSC0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI-DTE.pdf
BSC0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSATMA1 BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI-DTE.pdf
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
74+0.98 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
101+0.71 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS-DTE.pdf
BSC0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.39 EUR
208+0.34 EUR
222+0.32 EUR
231+0.31 EUR
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0923NDIATMA1 Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0925NDATMA1 Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
250+0.53 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC097N06NSATMA1 Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC097N06NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSG-DTE.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
2000+0.40 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFG-DTE.pdf
BSC105N10LSFGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3G-DTE.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5-DTE.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSG-DTE.pdf
BSC118N10NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSG-DTE.pdf
BSC120N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSG-DTE.pdf
BSC120N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 28W
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSG-DTE.pdf
BSC123N10LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3G-DTE.pdf
BSC12DN20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
BSC160N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3G-DTE.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3G-DTE.pdf
BSC190N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G-DTE.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
33+2.17 EUR
35+2.04 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSG-DTE.pdf
BSC196N10NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFG-DTE.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.30 EUR
215+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G-DTE.pdf
BSC520N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 247 494 741 988 1235 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Nächste Seite >> ]