Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (149582) > Seite 1242 nach 2494
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AIDW20S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AIDW30S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AIDW40S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AIGW40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AIGW40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 31ns Gate charge: 92nC Turn-off time: 160ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AIGW50N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIGW50N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 184ns Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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AIHD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIHD04N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 19ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIHD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors |
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AIHD06N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors |
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AIHD10N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIHD10N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIHD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIHD15N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AIKQ100N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 772nC Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 55ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS2051LTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS2052GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS6031RTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS7091GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.12Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIPS7111STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS71451GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.5A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.1Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR2085STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Output current: -1...1A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 100V Power: 625mW Supply voltage: 10...15V DC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3240STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 4...36V DC Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Voltage class: 40V Output current: 0.3A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3241STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 3...36V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Voltage class: 40V Power: 625mW Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3242SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 3...36V DC Mounting: SMD Number of channels: 1 Voltage class: 40V Output current: 0.2A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3314STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF1010ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 94A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1324S-7P | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF1324STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 340A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1324WL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AUIRF1404S | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRF1404STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1404ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF2804L | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AUIRF2804STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF3205Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 76nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRF3710ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF3805S-7P | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF4104STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Gate charge: 68nC Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF4905S | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRF540Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 2.4W Gate charge: 10nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7316QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 23nC Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7341QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 2.4W Gate charge: 29nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7342QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7343QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 4.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43/95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AIDW20S65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW30S65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW40S65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIGW40N65F5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.44 EUR |
9+ | 8.19 EUR |
10+ | 7.74 EUR |
90+ | 7.44 EUR |
AIGW40N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.32 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
240+ | 5.81 EUR |
AIGW50N65F5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIGW50N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIHD04N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIHD04N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIHD06N60RATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIHD06N60RFATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIHD10N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AIHD10N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIHD15N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIHD15N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIKB20N60CTATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
16+ | 4.68 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
AIKQ100N60CTXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIKW20N60CTXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AIKW30N60CTXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DF5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DH5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N60CTXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DF5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIKW75N60CTXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIMW120R045M1XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AUIPS2051LTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIPS2052GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIPS6031RTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIPS7091GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIPS7111STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIPS71451GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR2085STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Supply voltage: 10...15V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Supply voltage: 10...15V DC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR3240STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Output current: 0.3A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Output current: 0.3A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR3241STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Power: 625mW
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR3242SXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Output current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Output current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR3314STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1010ZSTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324S-7P |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324WL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404S |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404ZSTRL |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF2804L |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF2804STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF3205Z |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF3710ZSTRL |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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AUIRF3805S-7P |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AUIRF4104STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF4905S |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIRF540Z |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7103QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7309QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7316QTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7341QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7342QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7343QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH