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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XMC4502F100F768ACXQMA1 XMC4502F100F768ACXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 160kBSRAM,768kBFLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 768kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Case: PG-LQFP-100
Interface: CAN x3; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4500
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC4502F100K768ACXQMA1 XMC4502F100K768ACXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 160kBSRAM,768kBFLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 768kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Case: PG-LQFP-100
Interface: CAN x3; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4500
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R040M2HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-imza65r040m2h-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF129N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPF129N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF067N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPF067N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 138A; Idm: 552A
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 138A
Pulsed drain current: 552A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABNFV010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
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 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 173A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGP4068DPBF IRGP4068DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgp4068dpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 96A; 330W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 96A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA38827AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDA38827-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe8601767300e600523f Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPM1211-40LQXIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Integrated circuit: USB interface
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPM1211-42FNXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PMG1-S2_DATASHEET_POWER_DELIVERY_MICROCONTROLLER_GEN1-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4788733e Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R140CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263
Polarisation: unipolar
Transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 64nC
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50N10S3L16ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R250CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.52 EUR
36+2.37 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R120P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R080P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R125C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R040C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R045P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac25385ea1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R070CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R099CPA-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R105CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R105CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb24e552a198a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R160P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R210CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0bf0c1ac0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB60R280P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1403Q048X0064AAXUMA1 XMC1403Q048X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1403Q048X0200AAXUMA1 XMC1403Q048X0200AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC1403Q064X0064AAXUMA1 XMC1403Q064X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
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XMC1403Q064X0128AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
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XMC1403Q064X0200AAXUMA1 XMC1403Q064X0200AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
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XMC4502F100F768ACXQMA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4502F100F768ACXQMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 160kBSRAM,768kBFLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 768kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Case: PG-LQFP-100
Interface: CAN x3; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4500
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XMC4502F100K768ACXQMA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4502F100K768ACXQMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 160kBSRAM,768kBFLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 768kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Case: PG-LQFP-100
Interface: CAN x3; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4500
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IMZA65R040M2HXKSA1 infineon-imza65r040m2h-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IPF067N20NM6ATMA1 IPF067N20NM6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 138A; Idm: 552A
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 138A
Pulsed drain current: 552A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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S25FL064LABNFV010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 173A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
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IRGP4068DPBF irgp4068dpbf.pdf
IRGP4068DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 96A; 330W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 96A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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TDA38827AUMA1 Infineon-TDA38827-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe8601767300e600523f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Integrated circuit: driver
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPM1211-40LQXIT
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Integrated circuit: USB interface
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPM1211-42FNXIT Infineon-PMG1-S2_DATASHEET_POWER_DELIVERY_MICROCONTROLLER_GEN1-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4788733e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Integrated circuit: USB interface
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP-DTE.pdf
IPB50R140CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
IPB50N10S3L16ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263
Polarisation: unipolar
Transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 64nC
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50N10S3L16ATMA2 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CP-DTE.pdf
IPB50R199CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP-DTE.pdf
IPB50R250CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP-DTE.pdf
IPB50R299CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.52 EUR
36+2.37 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CP-DTE.pdf
IPB60R099CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6-DTE.pdf
IPB60R125C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP-DTE.pdf
IPB60R199CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7.pdf
IPB60R099C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB60R040C7ATMA1 Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
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Transistor: N-MOSFET
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
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IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
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IPB60R099C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB60R099CPAATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPB60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6-DTE.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB60R160P6ATMA1 Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
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Transistor: N-MOSFET
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IPB60R210CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R210CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0bf0c1ac0
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6-DTE.pdf
IPB60R280C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB60R280P6ATMA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
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IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP-DTE.pdf
IPB60R299CPATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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XMC1403Q048X0064AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q048X0064AAXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
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XMC1403Q048X0200AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q048X0200AAXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
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XMC1403Q064X0064AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q064X0064AAXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
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XMC1403Q064X0128AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
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XMC1403Q064X0200AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q064X0200AAXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
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