Produkte > JSMICRO > Alle Produkte des Herstellers JSMICRO (27) > Seite 1 nach 1

Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3P
fT: 20 MHz
U, V: 180 V
U, V: 180 V
I, А: 15 A
h21,max: 50

Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 70 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 1 А
Bem.: NPN/PNP

Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 V
I-auf, mA: 10 mA
I max, A: 16 A

Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
U,zu,V: 650 V
I-auf,mA: 3 mA

Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
U,zu,V: 800 V
I-auf,mA: 32 mA
Imax,A: 20 A

Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220F
U,zu,V: 800 V
I-auf,mA: 3 mA
Imax,A: 20 A

Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 23 mA
I max, A: 25 A

Hersteller: JSmicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 600 V
I-auf, mA: 50 mA
I max, A: 25 A

Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
I max, A: 25 A

Hersteller: JSmicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 V
I-auf, mA: 50 mA
I max, A: BTB16-600BW

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
JHGF: SMD

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
JHGF: THT

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
IC > IC Speicher
Gehäuse: SO-8
Beschreibung: EEPROM 2K (256x8)
Strom.V: 1,7...5,5 V
T°C: -40…+85°C
6: EEPROM
7: 2 кбіт
Інтерфейс: I2C

Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
JHGF: SMD

Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,85 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A

Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 20 A
VF@IF: 0,9 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 200 A

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
JHGF: THT

Hersteller: JSMICRO
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TO-220-5
U Strom, V: ±6...±22 V
P, W: 18 W
R Last., Om: 4 Ohm
K g, %: 4 Ohm