| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SA1492 Produktcode: 200234
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JSMicro |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNPGehäuse: TO-3P Grenzfrequenz fT, MHz: 20 МГц Spannung Uce, V: 180 В Spannung Ucb, V: 180 В Strom Ic, A: 15 А Stromverstärkung h21, max: 50 |
auf Bestellung 27 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SA1837/2SC4793 Transistorpaar Produktcode: 196247
2
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JSMicro |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-220FP Grenzfrequenz fT, MHz: 70 МГц Spannung Uce, V: 230 В Spannung Ucb, V: 230 В Strom Ic, A: 1 A Bemerkung: NPN/PNP |
auf Bestellung 27 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SC4672 Produktcode: 215336
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JSMicro |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: SOT-89 Transitfrequenz fT: 210 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В Kollektorstrom Ic, A: 3 A Montage: SMD |
auf Bestellung 114 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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78L15 Produktcode: 221831
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JSMICRO |
IC > IC lineare SpannungsreglerGehäuse: TO-92 Eingangsspannung Uin, V: 35 В Ausgangsspannung Uout, V: 15 В Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 А Spannungsabfall Udrop, V: 1,8 В Ausgangstyp: Fest |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 250 St.
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BT139-600E Produktcode: 188703
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JSMicro |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TO-220 Umax, V: 600 В I-auf, mA: 10 мА Imax, A: 16 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BT152-600R Produktcode: 205694
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JSMICRO |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, DynistorsGehäuse: TO-220 Sperrspannung Uzu, V: 650 В Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА |
auf Bestellung 81 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BT152-800R Produktcode: 185650
1
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JSMICRO |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-220 Sperrspannung Uzu, V: 800 В Durchlassstrom I-auf, mA: 32 мА Maximalstrom Imax, A: 20 А |
auf Bestellung 23 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BT152X-800 (JSMicro) Produktcode: 188100
2
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JSMicro |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-220F Sperrspannung Uzu, V: 800 В Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА Maximalstrom Imax, A: 20 А |
auf Bestellung 110 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 200 St.: 200 St. - erwartet 20.08.2026 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTA140-800 Produktcode: 184660
1
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JSMICRO |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TO-220 Umax, V: 800 В I-auf, mA: 23 мА Imax, A: 25 А |
auf Bestellung 25 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTA26-600BRG Produktcode: 193436
2
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JSmicro |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TOP-3 Umax, V: 600 В I-auf, mA: 50 мА Imax, A: 25 А |
auf Bestellung 34 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTA26-800BRG Produktcode: 188816
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JSMicro |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TOP-3 Umax, V: 800 В I-auf, mA: 50 мА Imax, A: 25 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTA40-600B Produktcode: 211558
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JSMICRO |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: RD-91 Umax, V: 600 В I-auf, mA: 50 мА Imax, A: 40 А |
auf Bestellung 15 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTB16-600BW Produktcode: 193805
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JSmicro |
Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TO-220 Umax, V: 600 В I-auf, mA: 50 мА Imax, A: BTB16-600BW |
auf Bestellung 195 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 10 St.: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FQP50N06 Produktcode: 193976
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1180/31 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
2
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JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 60 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146 Montage: THT |
auf Bestellung 43 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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JSMICRO |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D2Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Id, A: 31 А Montage: SMD |
auf Bestellung 11 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF9333 Produktcode: 190631
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 7,3 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14 Montage: SMD |
auf Bestellung 100 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFS31N20DPBF | JSMicro |
D2PAK Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRL2505PBF Produktcode: 191359
1
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 68 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1204/17,9 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung 18 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 100 St.: 100 St. - erwartet 25.07.2026 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRL3103 Produktcode: 189656
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 64 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12 mOhm Montage: THT |
auf Bestellung 61 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLB8743PBF Produktcode: 190955
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JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 110 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,9 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6201/171 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLU2905 Produktcode: 189658
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 35 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/11 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JSM24C02 Produktcode: 186192
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JSMICRO |
IC > IC SpeicherGehäuse: SO-8 Funktionsbeschreibung: EEPROM 2K (256x8) Versorgung, V: 1,7...5,5 В T°C: -40...+85°C Speichertyp: EEPROM Speicherkapazität: 2 kbit Schnittstelle: I2C |
auf Bestellung 200 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LR3705 Produktcode: 189655
1
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JSMicro |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/44 Montage: SMD |
auf Bestellung 9 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR10100 Produktcode: 199951
1
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JSMicro |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220-3 Sperrspannung Vrrm, V: 100 В Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 А Durchlassspannung Vf, V: 0,85 В Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 150 А |
auf Bestellung 22 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR20200CT JSMicro Produktcode: 193203
1
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JSMicro |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 200 В Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А Durchlassspannung Vf, V: 0,9 В Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode. Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 200 А |
auf Bestellung 373 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MJE3055T Produktcode: 190953
1
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JSMICRO |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-220AB Transitfrequenz fT: 2 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В Kollektorstrom Ic, A: 10 А Stromverstärkung h21: 100 Montage: THT |
auf Bestellung 90 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RFP50N06LE Produktcode: 189268
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JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STP24NF10 Produktcode: 196973
2
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JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 26 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/30 Montage: THT |
auf Bestellung 80 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TDA2030A Produktcode: 190952
3
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JSMICRO |
IC > IC NiederfrequenzverstärkerGehäuse: TO-220-5 Versorgungsspannung Uпит, V: ±6...±22 В Leistung P, W: 18 Вт Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ом Klirrfaktor Kг, %: 4 Ом |
auf Bestellung 230 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 20 St.: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA1492 Produktcode: 200234
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![]() |
Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3P
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 МГц
Spannung Uce, V: 180 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 15 А
Stromverstärkung h21, max: 50
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3P
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 МГц
Spannung Uce, V: 180 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 15 А
Stromverstärkung h21, max: 50
auf Bestellung 27 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2SA1837/2SC4793 Transistorpaar Produktcode: 196247
2
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|
Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 70 МГц
Spannung Uce, V: 230 В
Spannung Ucb, V: 230 В
Strom Ic, A: 1 A
Bemerkung: NPN/PNP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 70 МГц
Spannung Uce, V: 230 В
Spannung Ucb, V: 230 В
Strom Ic, A: 1 A
Bemerkung: NPN/PNP
auf Bestellung 27 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2SC4672 Produktcode: 215336
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|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
Transitfrequenz fT: 210 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
Transitfrequenz fT: 210 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Montage: SMD
auf Bestellung 114 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 78L15 Produktcode: 221831
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|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Eingangsspannung Uin, V: 35 В
Ausgangsspannung Uout, V: 15 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 А
Spannungsabfall Udrop, V: 1,8 В
Ausgangstyp: Fest
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Eingangsspannung Uin, V: 35 В
Ausgangsspannung Uout, V: 15 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 А
Spannungsabfall Udrop, V: 1,8 В
Ausgangstyp: Fest
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 250 St.
- 250 St. - erwartet 18.07.2026
| BT139-600E Produktcode: 188703
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![]() |
Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 10 мА
Imax, A: 16 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 10 мА
Imax, A: 16 А
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BT152-600R Produktcode: 205694
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|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 650 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 650 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА
auf Bestellung 81 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BT152-800R Produktcode: 185650
1
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|
Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 800 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 32 мА
Maximalstrom Imax, A: 20 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 800 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 32 мА
Maximalstrom Imax, A: 20 А
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BT152X-800 (JSMicro) Produktcode: 188100
2
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|
Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220F
Sperrspannung Uzu, V: 800 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА
Maximalstrom Imax, A: 20 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220F
Sperrspannung Uzu, V: 800 В
Durchlassstrom I-auf, mA: 3 мА
Maximalstrom Imax, A: 20 А
auf Bestellung 110 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet 20.08.2026| BTA140-800 Produktcode: 184660
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![]() |
Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 23 мА
Imax, A: 25 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 23 мА
Imax, A: 25 А
auf Bestellung 25 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BTA26-600BRG Produktcode: 193436
2
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|
![]() |
Hersteller: JSmicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 25 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 25 А
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BTA26-800BRG Produktcode: 188816
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|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 25 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 25 А
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTA40-600B Produktcode: 211558
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|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: RD-91
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 40 А
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: RD-91
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 40 А
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BTB16-600BW Produktcode: 193805
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|
![]() |
Hersteller: JSmicro
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: BTB16-600BW
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: BTB16-600BW
auf Bestellung 195 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 St.:
| FQP50N06 Produktcode: 193976
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|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1180/31
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1180/31
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
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|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF9333 Produktcode: 190631
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/14
Montage: SMD
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRFS31N20DPBF |
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Hersteller: JSMicro
D2PAK Транзистори
D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRL2505PBF Produktcode: 191359
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1204/17,9
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1204/17,9
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 18 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 St.:
100 St. - erwartet 25.07.2026| IRL3103 Produktcode: 189656
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 64 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12 mOhm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 64 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12 mOhm
Montage: THT
auf Bestellung 61 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLB8743PBF Produktcode: 190955
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,9 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6201/171
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,9 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6201/171
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLU2905 Produktcode: 189658
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/11
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/11
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JSM24C02 Produktcode: 186192
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
IC > IC Speicher
Gehäuse: SO-8
Funktionsbeschreibung: EEPROM 2K (256x8)
Versorgung, V: 1,7...5,5 В
T°C: -40...+85°C
Speichertyp: EEPROM
Speicherkapazität: 2 kbit
Schnittstelle: I2C
IC > IC Speicher
Gehäuse: SO-8
Funktionsbeschreibung: EEPROM 2K (256x8)
Versorgung, V: 1,7...5,5 В
T°C: -40...+85°C
Speichertyp: EEPROM
Speicherkapazität: 2 kbit
Schnittstelle: I2C
auf Bestellung 200 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| LR3705 Produktcode: 189655
1
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/44
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/44
Montage: SMD
auf Bestellung 9 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MBR10100 Produktcode: 199951
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220-3
Sperrspannung Vrrm, V: 100 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,85 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220-3
Sperrspannung Vrrm, V: 100 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,85 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
auf Bestellung 22 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MBR20200CT JSMicro Produktcode: 193203
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,9 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 200 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,9 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 200 А
auf Bestellung 373 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MJE3055T Produktcode: 190953
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung 90 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RFP50N06LE Produktcode: 189268
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STP24NF10 Produktcode: 196973
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 26 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/30
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 26 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/30
Montage: THT
auf Bestellung 80 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| TDA2030A Produktcode: 190952
3
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|
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Hersteller: JSMICRO
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TO-220-5
Versorgungsspannung Uпит, V: ±6...±22 В
Leistung P, W: 18 Вт
Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ом
Klirrfaktor Kг, %: 4 Ом
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: TO-220-5
Versorgungsspannung Uпит, V: ±6...±22 В
Leistung P, W: 18 Вт
Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ом
Klirrfaktor Kг, %: 4 Ом
auf Bestellung 230 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:



















