Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN2028USS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2028USS-13 | Diodes | MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8 Транзистори | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | auf Bestellung 23375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2028USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2028USS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2028UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V | auf Bestellung 3057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2028UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 110032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10, Qg, нКл = 18,6 @ 8 В, Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 8 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A | auf Bestellung 4468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2029USD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 107500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029USD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2029UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2029UVT-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2029UVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2029UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2029UVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2029UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 6.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 10 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2030UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1111-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2030UCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.3A 4DSN Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 523pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 160µA Supplier Device Package: X4-DSN1111-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.45W Case: X2-WLB1616-4 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 | auf Bestellung 2726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2036UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2036UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2036UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8 Mounting: SMD Case: TSSOP8 Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.89W Gate charge: 5.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape On-state resistance: 36mΩ | auf Bestellung 2012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040LTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN | auf Bestellung 4564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040LTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040LTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040LTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040LTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040LTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 23087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040U-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 7470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K | auf Bestellung 16604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040U-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 7470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 | auf Bestellung 1675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040UVT-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2040UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2040UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2040UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041L | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 780mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 780mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL | auf Bestellung 14830 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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| DMN2041L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 4387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 107 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041LSD | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.63A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE | auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 166243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.92A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.16W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 20A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.2W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 65mΩ Pulsed drain current: 20A Gate charge: 15nC Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26 Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2041UVT-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2041UVT-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2041UVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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