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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCP380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400-12GBel Power SolutionsRack Mount Power Supplies POWER SUPPLY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400-12GBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 12V 400W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
50+4.18 EUR
100+3.8 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 800V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP400N80ZonsemiMOSFETs SuperFET2 800V 400mohm
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+4.44 EUR
100+4.02 EUR
500+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP4N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chl MOSFET
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+3.56 EUR
100+2.84 EUR
250+2.62 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP4N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP4N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600-48GBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 48V 3.35V 600W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N60ZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
50+3.72 EUR
100+3.07 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.2 EUR
2000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.64 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N65S3R0ON Semiconductor
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.69 EUR
100+2.53 EUR
500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
53+4.39 EUR
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP650N80Zonsemi / FairchildMOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+5.07 EUR
25+4.93 EUR
100+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP650N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
44+5.38 EUR
100+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
38+6.18 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60FSC07+ QFP-80
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.86 EUR
82+2.06 EUR
100+1.87 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60
Produktcode: 208584
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+2.98 EUR
100+2.78 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ONS/FAIIGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+21.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
50+3.42 EUR
100+3.09 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.34 EUR
2000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.25 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP850N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.96 EUR
800+2.3 EUR
1600+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FCP850N80ZonsemiMOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+4.24 EUR
100+2.92 EUR
500+2.4 EUR
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FCP850N80ZON Semiconductor
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP850N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 33480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60Nonsemi / FairchildMOSFET SupreMOS 9A
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+5.18 EUR
25+5.01 EUR
100+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60Nfairchild2011+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N-F102onsemi / FairchildMOSFET FCP9N60N, in TO220 F102 T/F option
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9PP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-1083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X8 SPLITTER;
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-1323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 1x32 splitter; single splice input; 32 SC-APC outputs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-1323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 1X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2083GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x8 splitter; dual splice inputs; 8 SC-APC outputs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2083GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X8 SPLITTER;
Number of Positions: 8
Number of Rows: 1
Type: Patch Panel, Fiber
Connector Type: SC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2163GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x16 splitter; dual splice inputs; 16 SC-APC outputs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2163GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X16 SPLITTER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2323GGPanduitWire Ducting & Raceways PON Splitter Tray; 2x32 splitter; dual splice inputs; 32 SC-APC outputs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9SP-2323GGPanduit CorpDescription: PON SPLITTER TRAY; 2X32 SPLITTER
Packaging: Bulk
Connector Type: SC
Type: Patch Panel, Fiber
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Number of Positions: 32
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPAPER1HellermannTytonDescription: 1 MICRON POLISHING PAPER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPAPER5HellermannTytonDescription: POLISHING FILM
Part Status: Obsolete
Applications: Fiber Optic Connector Polishing
Type: Polishing Film
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPAPERSMHellermannTytonDescription: 1MICRON DIAMOND POLISH PPR SING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPBBK1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPBNA1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
Number of Cells: 1
Part Status: Active
Charge Current - Max: 2.4A
Voltage - Nominal: 5V, 9V, 12V
Charge Time: 3.5 Hrs
Power - Max: 18W
Termination Style: USB A Receptacle, USB C Receptacle
Type: Wireless Charger
Voltage - Input: 5V
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 5.67" L x 2.83" W x 1.30" H (144.00mm x 72.00mm x 33.00mm)
Features: LED Indicator, USB Pluggable
Packaging: Box
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPBYE1AmpereDescription: BATT CHG WIRELESS 5V/9V/12V 1.5A
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPEUS0A201GlobalscaleDescription: ESPRESSObin Ultra
Speed: 1.2GHz
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
RAM Capacity/Installed: 1GB/-
Number of Cores: 2
Storage Interface: eMMC
Watchdog Timer: No
USB: USB 2.0 (1), USB 3.0 (1), USB Micro (1)
Ethernet: GbE (4)
Expansion Site/Bus: M.2, Mini-PCIe, PCIe, SIM, Wi-Fi, UART
Core Processor: ARMADA, ARM® Cortex®-A35 Dual
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+251.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 4467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3ONS/FAIMOSFET N-CH 650V 44A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.84 EUR
50+8.66 EUR
100+7.97 EUR
500+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
19+12.78 EUR
26+8.41 EUR
50+8.22 EUR
100+8.03 EUR
250+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
auf Bestellung 80132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.13 EUR
50+6.47 EUR
100+5.93 EUR
500+4.97 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3
Produktcode: 142690
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.11 EUR
26+8.94 EUR
100+7.28 EUR
500+5.25 EUR
1000+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
auf Bestellung 11766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+6.22 EUR
100+5.68 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF099N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
auf Bestellung 11449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.67 EUR
10+8.07 EUR
100+7.12 EUR
500+5.13 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ON-SemiconductorN-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60onsemiMOSFETs 600V 11A N-CH
auf Bestellung 8215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.51 EUR
10+6.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.12 EUR
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
50+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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FCPF11N60ONS/FAI650В; 11А; TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
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FCPF11N60
Produktcode: 166014
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF11N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
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