Produkte > IMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG40R036M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm | auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 1603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R007M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Power Dissipation (Max): 789W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R009M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R009M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V Power Dissipation (Max): 555W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R009M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V Power Dissipation (Max): 555W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2H | Infineon Technologies | Description: IMBG65R010M2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 535W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm | auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 535W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm | auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm | auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm | auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 326W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R020M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 326W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R022M1H | Infineon Technologies | IMBG65R022M1H | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R026M2H | Infineon Technologies | Description: IMBG65R026M2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 263W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 263W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R033M2H | Infineon Technologies | Description: IMBG65R033M2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R033M2H | Infineon Technologies | Description: IMBG65R033M2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IMBG65R033M2H | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IMBG65R033M2H | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R033M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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