Produkte > IPP

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 266000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

149+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 149 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.76 EUR
10+	3.06 EUR
50+	2.32 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	5.2 EUR
82+	2.83 EUR
108+	2 EUR
500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.69 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	1.04 EUR
223+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 168 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	2.11 EUR
92+	1.82 EUR
104+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	2.11 EUR
92+	1.87 EUR
104+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.77 EUR
1000+	1.62 EUR
2500+	1.57 EUR
5000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1
Produktcode: 166075

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.96 EUR
96+	1.8 EUR
113+	1.49 EUR
200+	1.37 EUR
500+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5AKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.46 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.49 EUR
50+	2.2 EUR
100+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 30364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

259+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 259 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

385+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 385 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP085N06LGAKSA1 - IPP085N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

371+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 371 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.46 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2 EUR
100+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	5.32 EUR
77+	3.03 EUR
100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	5.09 EUR
70+	2.45 EUR
100+	2.18 EUR
200+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.97 EUR
88+	1.92 EUR
100+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

auf Bestellung 90500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.07 EUR
45000+	1.87 EUR
67500+	1.7 EUR
90000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.87 EUR
50+	2.9 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.87 EUR
100+	2.5 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.73 EUR
2000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.18 EUR
2500+	1.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 158W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 88A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	3 EUR
39+	2.21 EUR
50+	1.78 EUR
100+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.84 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.84 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.57 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.73 EUR
2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CN10LG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CNE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

341+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 341 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CNE8NG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP08CNE8NG - IPP08CNE8 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

304+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 304 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP091N06N G

Description: MOSFET N-CHAN TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.48 EUR
5000+	1.4 EUR
10000+	1.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 464A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™ 6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.43 EUR
36+	4.76 EUR
37+	4.38 EUR
100+	4.07 EUR
500+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
10+	5.59 EUR
100+	5.09 EUR
500+	4.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

Description: IPP095N20NM6AKSA1

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.83 EUR
50+	5.68 EUR
100+	5.19 EUR
500+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03LG

TO220 10+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03LGHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP096N03LGHKSA1 - IPP096N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03LGHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 13100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

831+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 831 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP09N03LA - IPP09N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LAHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S204AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 213 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

auf Bestellung 9616 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

151+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L-03

MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

179+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 179 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA1 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12531 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 36500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 157 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

143+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 143 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.14 EUR
10+	9.12 EUR
100+	7.47 EUR
250+	7.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

120+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S4-03D