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NTD4815NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V

auf Bestellung 13300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1567+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1567 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4815NT4G

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4815NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NTD4815NT4H

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 650 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

443+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 443 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854NHT4G

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4854NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 51325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 650 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 10425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

987+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 987 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 807 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 209901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

919+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 919 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855NT4G

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4855NT4H

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

919+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 919 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 952 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 952 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1211 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4856NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1268+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1268 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857N-1G

Description: ONSEMI - NTD4857N-1G - NTD4857N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1575+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 1575 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857N-35G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 12A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V

auf Bestellung 5700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1025 Stücke

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NTD4857NA-1G

Description: ONSEMI - NTD4857NA-1G - NTD4857NA - MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

336+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 336 Stücke

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NTD4857NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857NAT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1025 Stücke

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NTD4857NAT4G

ON Semiconductor

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTD4857NAT4G

Description: ONSEMI - NTD4857NAT4G - NTD4857NAT4G - MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1240+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 1240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4857NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 131000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1268+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1268 Stücke

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NTD4857NT4G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTD4858N

NFET DPAK 25V 73A 0.0062R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTD4858N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-1G

Description: ONSEMI - NTD4858N-1G - NTD4858N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

auf Bestellung 4875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1211 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-1G

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 4875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1481+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1481 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-35G

Description: ONSEMI - NTD4858N-35G - MOSFET, N-CH, 25V, 73A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 118666 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

975+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 975 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-35G

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 5425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-35G

ON Semiconductor

MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

auf Bestellung 729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR
75+	1.11 EUR
150+	1 EUR
525+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858N-35G

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 110416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1567+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1567 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-1G

Description: ONSEMI - NTD4858NA-1G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-1G

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1916+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1916 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-35G

Description: ONSEMI - NTD4858NA-35G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12881 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-35G

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

auf Bestellung 12881 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1716+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1716 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NA-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

auf Bestellung 12881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1402+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NAT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NAT4G

Description: ONSEMI - NTD4858NAT4G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 56969 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NAT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK

auf Bestellung 56969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1402+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NAT4G

MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

auf Bestellung 55889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1716+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1716 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 8872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

Description: ONSEMI - NTD4858NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 14A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 175670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4858NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 99985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 260 Stücke

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NTD4858NT4G

0912+ TO-252

auf Bestellung 1335 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTD4858NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V

auf Bestellung 95359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 807 Stücke

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

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NTD4858NT4G

MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NTD4858NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 63445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

933+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 933 Stücke

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NTD4860N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V

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NTD4860N-1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 8475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1196+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1196 Stücke

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NTD4860N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 8475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1150+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1150 Stücke

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NTD4860N-35G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK

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Mindestbestellmenge: 1200 Stücke

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NTD4860NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V

auf Bestellung 8325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1366+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1366 Stücke

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NTD4860NA-1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 65A IPAK

auf Bestellung 8325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1420+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1420 Stücke

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NTD4860NA-1G

Description: ONSEMI - NTD4860NA-1G - NTD4860N - MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTD4860NA-35G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1200 Stücke

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NTD4860NAT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NTD4860NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 16451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

639+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 639 Stücke

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NTD4860NT4G

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTD4860NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NTD4860NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

639+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 639 Stücke

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NTD4860NT4G

MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK

auf Bestellung 4524 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NTD4860NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTD4860NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V

auf Bestellung 42111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

615+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 615 Stücke

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NTD4860NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

639+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 639 Stücke

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NTD4860NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.59 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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NTD4860NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4860NT4H

Description: RF MOSFET 25V DPAK
Packaging: Bulk

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

781+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 781 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4860NT4H

ON Semiconductor

NTD4860NT4H

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

812+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 812 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4863N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK

auf Bestellung 8475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1603 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4863N-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1425 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4863N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4863N-35G

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V

auf Bestellung 177225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1025 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTD4863NA-1G

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)

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