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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7143DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7143DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7143DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2820 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 75828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
81+2.02 EUR
100+1.74 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
81+2.11 EUR
100+1.84 EUR
250+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.53 EUR
100+2.32 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7145DPT1GE3
Produktcode: 145072
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DPT1GE3VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si7148SIBGA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7148DPVISHAY09+
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixМОП-транзистор 75V 28A 0.011Ohm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.4 EUR
100+3.12 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.75 EUR
3000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3
Produktcode: 61766
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
auf Bestellung 5961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.64 EUR
100+3.26 EUR
500+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.64 EUR
100+3.26 EUR
500+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.28 EUR
100+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3VishaySI7148DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 75V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.43 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 25117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
6000+0.88 EUR
9000+0.86 EUR
15000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3SiliconixTranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 25117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 59086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3Vishay TransitorТранзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8 Транзистори
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SI7149ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 24916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.96 EUR
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SI7149ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.73 EUR
253+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 Transistor
Produktcode: 193702
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SI7149DP
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7149DP
Produktcode: 140330
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SI7149DP-T1
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7149DP-T1-E3
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7149DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.33 EUR
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SI7149DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 22303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
6000+1.19 EUR
9000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7153DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7153DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7153DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 52W
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.12 EUR
120+0.71 EUR
185+0.46 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
auf Bestellung 6528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.3 EUR
9000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7155DP
Produktcode: 162602
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 8158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.17 EUR
100+2.03 EUR
250+1.92 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.83 EUR
6000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20, Qg, нКл = 220, Rds = 4,6 мОм, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK-SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 22954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.69 EUR
106+1.61 EUR
108+1.52 EUR
110+1.44 EUR
250+1.36 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SI7155DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK Транзистори
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SI7155DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7155DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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SI7155DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
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4+6.03 EUR
10+3.93 EUR
100+2.73 EUR
500+2.2 EUR
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SI7156DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7156DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6540 Stücke:
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SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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92+1.93 EUR
93+1.88 EUR
122+1.39 EUR
250+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
6000+0.94 EUR
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SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
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5+4.32 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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2+3.33 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3
Produktcode: 148717
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SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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68+2.62 EUR
92+1.86 EUR
93+1.77 EUR
122+1.29 EUR
250+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.24 EUR
6000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.94 EUR
9000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистор польовий, MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.96 EUR
9000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7159DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7159DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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