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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR56SB3
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR56SB3-Rohm (Infrarot-LED 5mm)
Produktcode: 14584
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LEDs > LED Infrarot (IR)
Größe: 5 mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR56SB3F
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR56ST3
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 33.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
87+2.69 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 5364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
84+1.93 EUR
85+1.84 EUR
100+1.75 EUR
250+1.67 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.05 EUR
85+1.99 EUR
100+1.93 EUR
250+1.89 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.8 EUR
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 16252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.37 EUR
100+1.63 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.9 EUR
6000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
57+4.13 EUR
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+4.13 EUR
100+3.03 EUR
500+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
53+3.18 EUR
100+3.07 EUR
250+3 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
53+3.06 EUR
100+2.92 EUR
250+2.77 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.16 EUR
100+3.63 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5710DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 18068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.24 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5712DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
93+2.51 EUR
141+1.52 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5712DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 10324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.46 EUR
3000+1.25 EUR
6000+0.98 EUR
24000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5712DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
141+1.52 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
70+3.34 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 16624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.76 EUR
100+2.59 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 92.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 59.7A
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.74 EUR
6000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
auf Bestellung 5938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.88 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
90+2.59 EUR
126+1.7 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 48.1A; Idm: 150A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 14.3mΩ
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
126+1.7 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR574DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 11972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V
auf Bestellung 5722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
6000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 7264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
126+1.71 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.17 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
98+2.39 EUR
126+1.71 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR576DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42.2A; Idm: 120A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 71.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 42.2A
Pulsed drain current: 120A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V
auf Bestellung 5785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
3000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
10+4.3 EUR
100+2.99 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
56+4.18 EUR
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70.2A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.66 EUR
100+3.26 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR578DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.57 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
3000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.57 EUR
6000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 13965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
58+4.06 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.57 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5802DP-T1-RE3-XVishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5808DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
83+2.81 EUR
124+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5808DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
auf Bestellung 11881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5808DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 11528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.49 EUR
100+1.67 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5808DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
124+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5808DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.29 EUR
6000+1.2 EUR
9000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
auf Bestellung 4102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.57 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SIR580DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIR580DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.75 EUR
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SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIR580DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 35.8A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.82 EUR
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SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V
auf Bestellung 13869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.98 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
70+3.32 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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SIR580DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 146A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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