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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SP8K5FU6TB
auf Bestellung 8124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K5FU6TBROHM SemiconductorMOSFET 30V 3.5A N-CHAN DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K5FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SP8K5FU7TB
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K5T
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K5TBROHM
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
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SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K63N/A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K64SOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K64TB1ROHM8
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K66TB1ROHMSOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K67TB1ROHMSOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8K70 FU7TBROHMSOP8
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 500V .5A
auf Bestellung 6722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.61 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
55+3.15 EUR
100+2.42 EUR
200+2.19 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+3 EUR
100+2.39 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K80TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.11 EUR
100+1.98 EUR
250+1.86 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8KSTB
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10ROHM07+ SOP8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
102+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
76+3.08 EUR
104+2.08 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FRATBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M10TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M2ROHMSOP8
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M2-TBROHMSOP8 0915+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21ROHM07+ SOP8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V Vds 6A 15.4Qg SOP8
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21FU6TB
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 4682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+3.89 EUR
100+2.87 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.2 EUR
100+2.93 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.4 EUR
250+2.81 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.74 EUR
50+3.96 EUR
100+3.52 EUR
200+2.59 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24ROHM07+ SOP8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24-TB
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.64 EUR
100+2.05 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M24FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
79+2.95 EUR
106+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M24FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
106+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FU6TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24FU7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8SOP
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
75+3.11 EUR
101+2.13 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
100+1.95 EUR
250+1.78 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
auf Bestellung 4285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.78 EUR
25+2.64 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
101+2.13 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.84 EUR
100+2.62 EUR
200+2.38 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24MB4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8SOP
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24TBROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M24TB
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M2FT1TB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M2FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M2FU6TBROHM SemiconductorMOSFET 30V, 3.5V; Inverter Switch, Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3
Produktcode: 89014
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3(TB)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3-TB
auf Bestellung 49950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
62+2.78 EUR
100+2 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.75 EUR
5000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FD5-TB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FD5TB
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FD5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FQ1TB1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FTB
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TB
Produktcode: 26073
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RohmTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 230/3,9
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 76 St.
  • 76 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.24 EUR
10+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TBRohmMOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TBROHM SemiconductorMOSFETs SWITCHING Nch/Pch 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU6TB1ROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3FU7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.67 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
141+1.52 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.45 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
89+1.93 EUR
124+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
104+2.25 EUR
146+1.48 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3TBROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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