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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL10DN15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10HN65M2STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.5 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N3LLH5
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; 48W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 48W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL10N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
87+1.94 EUR
88+1.84 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.96 EUR
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.45 EUR
500+2.26 EUR
3000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
87+1.99 EUR
88+1.92 EUR
100+1.84 EUR
250+1.78 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
auf Bestellung 4774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.4 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
3000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 108A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110N8F8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 4.5 mOhm max., 126 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 28 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFETs plus monolithic Schottky in a PowerFLAT(TM) 5x6
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 107A; Idm: 428A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 428A
Power dissipation: 136W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.11 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.92 EUR
6000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.4 EUR
200+1.34 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.3 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i
auf Bestellung 4134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.51 EUR
100+2.34 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
3000+1.19 EUR
6000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.7 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
100+2.34 EUR
150+1.44 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
150+1.44 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
74+2.27 EUR
75+2.17 EUR
100+1.74 EUR
250+1.65 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
80+2.17 EUR
100+1.76 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 17nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
74+2.32 EUR
75+2.25 EUR
100+1.84 EUR
250+1.8 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 10 mOhm typ., 11 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11NH3L
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11NH3LL
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120FlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120Fluke ElectronicsDescription: SHIELDED TEST LEAD SET OF 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120-IIIFlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD SET, 12.5MHZ,1.2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120-IIIFlukeSTL120-III
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+431.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120-III Prüfspitzensatz
Produktcode: 203698
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STL120-IVFlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD SET 600V CAT IV
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STL120-IVFluke ElectronicsDescription: STL120-IV, SHIELDED TEST LEAD SE
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STL120-IVFlukeSTL120-IV
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STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
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3000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N10F8STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2990 Stücke:
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26+3.39 EUR
28+3.15 EUR
36+2.38 EUR
40+2.18 EUR
75+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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STL120N10F8STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
auf Bestellung 5187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N10F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL120N10F8STMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND Транзистори
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STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N10F8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
auf Bestellung 2514 Stücke:
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1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.74 EUR
6000+1.4 EUR
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STL120N10F8STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N10F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
63+3.69 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STL120N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL120N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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