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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.64 EUR
50+3.58 EUR
100+3.24 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.34 EUR
41+5.71 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.31 EUR
41+4.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineonMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 102758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.15 EUR
100000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.31 EUR
41+4.27 EUR
100+2.98 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
40+5.91 EUR
100+3.94 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077GPBF Transistor
Produktcode: 72192
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
10+5.96 EUR
50+4.65 EUR
100+4.22 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.87 EUR
100+4.16 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.71 EUR
33+5.13 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
33+7.18 EUR
100+4.66 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.86 EUR
24+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInternational RectifierTO-200AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.76 EUR
33+5.27 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.58 EUR
54+3.19 EUR
100+2.78 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
39+6.06 EUR
100+4.31 EUR
500+3.3 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.93 EUR
34+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
54+3.11 EUR
100+2.68 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.51 EUR
10+6.24 EUR
100+4.65 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.71 EUR
5000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBF
Produktcode: 127026
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
10+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB31N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFB3206Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3206GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
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IRFB3206GPBF
Produktcode: 52938
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3206GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.28 EUR
30+2.86 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3206GPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
55+4.27 EUR
100+2.73 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB3206PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.9 EUR
2000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT
auf Bestellung: 397 St.
  • 397 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+3.45 EUR
100+3.24 EUR
1000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.37 EUR
36+2.42 EUR
45+1.9 EUR
50+1.7 EUR
100+1.48 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.41 EUR
53+3.24 EUR
120+1.4 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.63 EUR
50+3.44 EUR
100+3.25 EUR
250+3.08 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFB3206PBFJSMSEMIMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.4 EUR
53+3.17 EUR
121+1.34 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+3.81 EUR
50+2.92 EUR
100+2.63 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.88 EUR
2000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.57 EUR
28+3.05 EUR
31+2.81 EUR
32+2.69 EUR
50+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.63 EUR
46+3.8 EUR
100+2.77 EUR
500+2.36 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
49+3.46 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.41 EUR
100+3.09 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.82 EUR
49+3.5 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
45+5.27 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.62 EUR
46+3.71 EUR
100+2.67 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBF
Produktcode: 180333
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.8 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207Z
Produktcode: 37831
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZGPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
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IRFB3207ZGPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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