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HEXFET Power MOSFET

auf Bestellung 39300 Stücke:

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253+	2.56 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.05 EUR
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IRFB260NPBFAKMA1

HEXFET Power MOSFET

auf Bestellung 500 Stücke:

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35+	4.99 EUR
51+	3.38 EUR
64+	2.59 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.83 EUR

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IRFB3004

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IRFB3004
Produktcode: 99476

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9200/160
Montage: THT

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1+	3.33 EUR

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IRFB3004GPBF
Produktcode: 177418

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3004GPBF

MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори

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IRFB3004GPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

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IRFB3004GPBF

MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC

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IRFB3004PBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 676 Stücke:

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143+	4.51 EUR
500+	4.21 EUR

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IRFB3004PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 380W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 340A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.75mΩ

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IRFB3004PBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.9 EUR
41+	4.13 EUR
100+	3.51 EUR

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IRFB3004PBF

Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

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IRFB3004PBF

MOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg

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IRFB3004PBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1889 Stücke:

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21+	8.23 EUR
34+	5.05 EUR
100+	4.19 EUR
1000+	3.78 EUR

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IRFB3004PBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 684 Stücke:

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30+	5.9 EUR
41+	4.21 EUR
100+	3.65 EUR

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IRFB3004PBF

Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.59 EUR
33+	7.08 EUR
100+	5.27 EUR

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IRFB3004PBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1889 Stücke:

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21+	8.23 EUR
34+	4.94 EUR
100+	4.03 EUR
1000+	3.58 EUR

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IRFB3004PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори

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IRFB3006

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IRFB3006
Produktcode: 99477

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8970/200
Montage: THT

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1+	4.05 EUR

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IRFB3006GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRFB3006GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1096 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	3.63 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 178 Stücke

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IRFB3006GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3006GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3006GPBF - IRFB3006 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3006GPBF

MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.58 EUR
10+	5.53 EUR
25+	3.52 EUR

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IRFB3006GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3006GPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3006GPBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

206+	3.14 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 206 Stücke

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IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 102758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	3.05 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.44 EUR
10000+	2.13 EUR
100000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 212 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.54 EUR
45+	5.2 EUR
100+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

294+	0.58 EUR
297+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 294 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3006PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.88 EUR
25+	3.53 EUR
26+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	0.58 EUR
294+	0.57 EUR
297+	0.54 EUR
300+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Infineon

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

auf Bestellung 1901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.95 EUR
10+	4.55 EUR
50+	3.51 EUR
100+	3.18 EUR
500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBFXKMA1

Description: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.32 EUR
39+	5.96 EUR
100+	3.99 EUR
500+	3.26 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3006PBFXKMA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077

Infineon / IR

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077GPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077GPBF Transistor
Produktcode: 72192

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.85 EUR
10+	4.57 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	3.42 EUR
2000+	3.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

TO-200AB Транзистори

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.7 EUR
37+	6.28 EUR
100+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.52 EUR
500+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

auf Bestellung 1330 Stücke:

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3+	8.82 EUR
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50+	4.55 EUR
100+	4.14 EUR
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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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22+	7.95 EUR
39+	4.41 EUR
100+	3.89 EUR

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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500+	3.31 EUR
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10000+	2.8 EUR

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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010

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IRFB3077PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBFXKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRFB3077PBFXKMA1

MOSFETs IR FET >60-400V

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10+	6.24 EUR
100+	4.65 EUR
500+	3.92 EUR
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5000+	3.39 EUR

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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183+	3.52 EUR
500+	3.31 EUR

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IRFB3077PBFXKMA1

Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.79 EUR
36+	6.62 EUR
100+	4.5 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	3.02 EUR

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

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IRFB31N20DPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFB31N20DPBF

MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC

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IRFB31N20DPBF

Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IRFB31N20DPBF
Produktcode: 127026

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Transistoren > MOSFET N-CH

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1+	2 EUR
10+	1.81 EUR

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IRFB31N20DPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V

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IRFB31N20DPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IRFB3206

Infineon

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3206

Infineon

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IRFB3206

Infineon / IR

MOSFETs

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IRFB3206GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Mindestbestellmenge: 189 Stücke

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IRFB3206GPBF
Produktcode: 52938

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

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IRFB3206GPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	4.28 EUR
30+	2.86 EUR
100+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.67 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

auf Bestellung 1761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.67 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

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IRFB3206GPBFXKMA1

Description: IR FET UP TO 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 15633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.53 EUR
64+	2.65 EUR
116+	1.43 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 42200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.74 EUR
2000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

JSMSEMI

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 1016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.77 EUR
55+	4.27 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412

4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT

auf Bestellung: 91 St.

91 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.72 EUR
10+	3.45 EUR
100+	3.24 EUR
1000+	2.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.76 EUR
2000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.58 EUR
50+	3.4 EUR
100+	3.21 EUR
250+	3.05 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	3.37 EUR
36+	2.42 EUR
45+	1.9 EUR
50+	1.7 EUR
100+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 15633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.46 EUR
65+	2.56 EUR
118+	1.36 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.74 EUR
10+	3.72 EUR
50+	2.86 EUR
100+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFB3206PBF