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IR FET UP TO 60V

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IRFB3206PBF

Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 1446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 19500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.58 EUR
2000+	1.44 EUR

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IRFB3206PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	2.83 EUR
36+	2.03 EUR
45+	1.6 EUR
50+	1.43 EUR
100+	1.24 EUR
250+	1.1 EUR
500+	1.02 EUR

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IRFB3206PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

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IRFB3206PBF

MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

auf Bestellung 983 Stücke:

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1+	5.28 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.41 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.88 EUR
2000+	1.76 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 15833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	3.9 EUR
52+	2.81 EUR
121+	1.17 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.1 EUR
2000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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IRFB3206PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT

auf Bestellung 481 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.52 EUR
10+	1.44 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.58 EUR
2000+	1.46 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.67 EUR

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IRFB3206PBF

JSMSEMI

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

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IRFB3206PBFXKMA1

IR FET UP TO 60V

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IRFB3207

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.73 EUR
52+	2.81 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IRFB3207PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
10+	3.96 EUR
100+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори

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IRFB3207PBF
Produktcode: 180333

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.32 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.27 EUR
500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

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IRFB3207PBF

MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.62 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.52 EUR
2000+	2.36 EUR

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.91 EUR
2000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3207PBF

Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFB3207PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	11.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.91 EUR
2000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.72 EUR
52+	2.74 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IRFB3207Z

Infineon / IR

MOSFETs

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IRFB3207Z
Produktcode: 37831

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 12
Id,A: 120 A
Rds(on),Om: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6920/120
/: THT

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1+	1.8 EUR

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IRFB3207ZG

Infineon / IR

MOSFET

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IRFB3207ZGPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRFB3207ZGPBF

MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZGPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZGPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

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IRFB3207ZGPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори

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IRFB3207ZGPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3207ZGPBFXKMA1

IRFB3207ZGPBFXKMA1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.27 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZGPBFXKMA1

IRFB3207ZGPBFXKMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.27 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.89 EUR
2000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	2.83 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 194 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V

auf Bestellung 4997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.7 EUR
50+	2.87 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.96 EUR
2000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори

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IRFB3207ZPBF
Produktcode: 197879

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	2.83 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 194 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.42 EUR
50+	3.12 EUR
100+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.89 EUR
2000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	2.83 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 194 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

395+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 395 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

395+	0.37 EUR
399+	0.35 EUR
400+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 395 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.15 EUR
25+	2.89 EUR
28+	2.6 EUR
50+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.33 EUR
100+	2.97 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.42 EUR
50+	3.19 EUR
100+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBF

MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg

auf Bestellung 597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	4 EUR
100+	2.97 EUR
500+	2.5 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZPBFXKMA1

IRFB3207ZPBFXKMA1

auf Bestellung 73000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.38 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3256

MOSFETs

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3256PBF

MOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB

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IRFB3256PBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3256PBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IRFB3256PBF

Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 202 Stücke

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3306

N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3306

N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3306

Infineon / IR

MOSFETs

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IRFB3306

09+ PLCC

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.01 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3306GPBF

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.31 EUR
10000+	1.28 EUR

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IRFB3306GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Mindestbestellmenge: 308 Stücke

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IRFB3306GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306GPBF

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.01 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.01 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3306GPBFXKMA1

IRFB3306GPBFXKMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

345+	1.59 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 345 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 22437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	3.89 EUR
75+	1.9 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.95 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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IRFB3306PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

auf Bestellung 2018 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
50+	1.9 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.26 EUR
2000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.75 EUR
88+	1.62 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

301+	1.82 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 301 Stücke

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IRFB3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.32 EUR
66+	2.2 EUR
100+	2.08 EUR
250+	1.97 EUR
500+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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IRFB3306PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1037 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.49 EUR
32+	2.29 EUR
42+	1.73 EUR
49+	1.47 EUR
55+	1.3 EUR
100+	1.16 EUR
200+	1.04 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.68 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.3 EUR
2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.36 EUR
79+	1.83 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

301+	1.82 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 301 Stücke

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IRFB3306PBF
Produktcode: 88656

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT

auf Bestellung 71 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	2.16 EUR

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IRFB3306PBF

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 22437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

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IRFB3306PBF

Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFB3306PBFXKMA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

auf Bestellung 1698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.5 EUR
2000+	1.44 EUR
5000+	1.4 EUR

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IRFB3306PBFXKMA1

IRFB3306PBFXKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
50+	1.9 EUR
100+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IRFB3307

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IRFB3307PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1268 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.03 EUR
26+	2.77 EUR
28+	2.57 EUR
37+	1.94 EUR
44+	1.64 EUR
54+	1.34 EUR
100+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IRFB3307PBF

MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC

auf Bestellung 1164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307PBF